擴產

ChainCatcher 消息，据 Money Today 9 月 21 日報導，三星電子因 HBM 市場增長正推進晶圓代工先進製程產能擴張，為應對 HBM4 基座晶片需求上升正在評估 4 奈米製程擴產。三星 HBM4 由 10 奈米級 6 代（1c）DRAM 核心晶片與 4 奈米邏輯基座晶片組成，基座晶片負責與 GPU 等 AI 加速器高速交換數據。與 SK 海力士採用台積電 12 奈米不同，三星對 HBM4 基座晶片使用自有 4 奈米製程。該產線已滿負荷運轉並承接英偉達 Groq 3 LPU 等訂單，公司近期上調了 4 奈米新訂單及 HBM4 基座晶片報價。三星預計第三季度 HBM4 營收環比增逾 3 倍，下半年 HBM 營收中 HBM4 占比將明顯高於 60%。平澤 P4 追加擴產大部分將用於 HBM 用 1c DRAM，晶圓代工 4 奈米產能一半以上已分配給 HBM4 基座晶片。HBM4E 同樣採用 4 奈米基座晶片，三星已於 5 月向客戶提供樣品。公司還在評估為 HBM5 建設 2 奈米新產線，目標以 GAA 結構 2 奈米製程並提高 TSV 密度，使運行速度較 HBM4E 提升 50% 以上。三星去年下半年啟動 2 奈米第一代量產，今年下半年推進第二代產品。花旗預計明年全球 HBM 比特需求達 752 億 Gb、同比增 62%，供應約 594 億 Gb、缺口約 21%；

ChainCatcher 消息，英國央行連續第六次會議將政策利率維持在 3.75% 不變，並宣布取消長期國債出售計劃。寧德時代擬出資 14 億元在雅安新建年產 4 萬噸碳酸鋰項目，華為同步發布全新計算架構。

ChainCatcher 消息，中國最大 DRAM 廠商長鑫存儲 CXMT 近日啟動上海新廠合作商設備招標，並推進多地產能擴張。CXMT 目前在合肥二期、北京一期量產 DRAM，產能估約每月 20 萬片中段，年底或超過每月 30 萬片。CXMT 計劃今年四季度開上海新廠，相關設備招標已啟動。半導體設備業人士稱，該廠擬分兩階段擴建，產能將顯著超過每月 10 萬片。隨後計劃明年上半年開合肥新廠、最早明年下半年開北京新廠，後年上半年再開合肥新廠。設備業人士稱，CXMT 已與多方溝通多地建廠時點。若計劃全部落地，CXMT 今年至 2028 年每年可新增至少每月 7 萬至 8 萬片產能，長期或超每月 60 萬片。三星電子與 SK 海力士 DRAM 產能分別估約每月 70 萬片、60 萬片。

ChainCatcher 消息，台積電、美光等企業加碼資本支出擴產，帶動半導體廠務工程五強漢唐、亞翔、帆宣、洋基、聖暉合計在手訂單已逾 8800 億元，創新高。台積電日前在半導體展表示，建置中晶圓廠高達 20 座，整體產能建置規模較過去倍數增加，但仍無法滿足客戶需求。美國關稅政策帶動美國製造建廠需求。亞翔在手訂單金額 4400.73 億元為最多，董事長姚祖驤指出近四年來在新加坡承接統包案累計金額上看 6000 億元，後續可望再接新案。漢唐在手訂單金額約 1939.37 億元續創新高，受惠於台積電、美光等大客戶持續建廠。帆宣在手訂單金額 1351 億元新高，董事長高新明透露訂單能見度至少到 2028 年，客戶端在 2029 年、2030 年相關專案已進入規劃，帆宣已部署材料、人力及在地施工團隊支援客戶在台灣、美國亞利桑那、日本及德國同步擴產需求，並投入 CoPoS 等技術發展。聖暉在手訂單金額超過 600 億元，台灣占比 68%，半導體訂單占比 63%，上半年稅後純益 29.44 億元，每股純益 23.73 元，創同期新高。洋基上半年稅後純益 23.17 億元，每股純益 17.46 元，在手訂單金額約 517.7 億元，訂單能見度達 2027 年底。

ChainCatcher 消息，据工商時報報導，在 AI 帶動儲存器及先進封裝需求長期成長下，華邦電提前啟動高雄路竹廠擴產規劃，將原定二、三期整併為 Module B 同步開發，預計 2027 年動工興建無塵室，最快 2029 年初開始裝機，並依客戶需求預測及 LTA 分階段導入設備。目前已有客戶提前洽談 2029 年、2030 年產能。法人指出，華邦電第三季利基型 DRAM 與 SLC NAND 供不應求，價格季漲幅估約 50%；NOR Flash 受惠雲端服務供應商大客戶備貨，價格季漲幅估約 30%。第四季儲存器價格漲幅估收斂至 2% 至 5%，但受惠 DRAM 產能增加及出貨量成長，營收及獲利仍可維持季增。華邦電第二季合併營收 598.43 億元，季增 56.4%、年增 184.7%，DRAM 價格季增約 100%、Flash 上漲約 43%，合併毛利率升至 66.2%，每股稅後純益 5.40 元。Module B 產品規劃涵蓋 Standard DRAM、CUBE DRAM、Wafer-on-Wafer（WoW）及矽電容（Si-Cap），將支持 14 奈米及未來 12 奈米 DRAM 製程，後續亦規劃導入 EUV 設備。

ChainCatcher 消息，据 DIGITIMES 報導，英偉達下一代 AI 平台 Feynman 的量產時間目標鎖定在 2028 年下半年，將採用台積電 A16 製程，並導入 SoIC 3D 堆疊及 CPO 技術。Rubin 世代以多顆小芯片與 HBM 整合為主，Feynman 則進一步向 3D 小芯片、SoIC 及 CPO 方向發展。報導指出，台積電正加速推進相關產能建設，原規劃 2026 年底 SoIC 月產能達 2 萬片，目前最新目標已上調至 2027 年底達 5 萬片。台積電嘉義 AP7 與南科 AP8 的建廠進度同步加快，其中 AP7 共規劃 8 個階段，P1、P2 已進入裝機，P3、P4 已取得建照，P5 至 P8 持續規劃中。該廠除量產蘋果專用的 WMCM 外，後續將依客戶需求配置 SoIC、CoPoS 及 CPO 相關產線。英偉達已將研發與供應鏈資源快速轉向 Feynman 平台，台積電先進封裝訂單外溢效應持續擴大，矽品已成為承接英偉達 CoWoS 與 CPO 訂單的主力封測廠。英偉達 Feynman 平台的 NVLink 互連帶寬預計突破 1 PB/s，較 Rubin Ultra 的 520 TB/s 進一步提升。台積電的 COUPE 技術通過 SoIC 將 EIC 與 PIC 進行 3D 整合形成光引擎，將光電轉換由傳統電路板推進至封裝架構內部。2026 年以來，英偉達已投入超 400 億美元布局 AI 生態，涵蓋模型、晶圓製造、數據中心及光通訊等領域。

ChainCatcher 消息，据日經亞洲報導，日本光纖電纜製造商藤倉（Fujikura）宣布將在日本及美國合計投資最高 3000 億日圓（約 19 億美元），計劃將光纖電纜產能擴大至現有規模的三倍，以應對人工智慧數據中心建設帶來的旺盛需求。此次投資是日本材料企業響應日美經濟合作協議、加速在美佈局的系列行動之一。與此同時，日本多家企業亦在積極跟進 AI 基礎設施相關投資，包括 JX 先進金屬擴大 AI 材料產能、日本推動建設本土 AI 晶片生態系統等。