量產

ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 9 月 28 日報導，三星電子正加快平澤第五園區（P5）首條量產線（Ph1）建設，並與主要設備廠商討論將 Ph1 設備搬入目標從原定明年三季度提前至明年二季度。P5 是以 2028 年投產為目標的下一代半導體生產基地，今年三季度已開始建設 Ph1 潔淨室。三星電子此前已將原定明年初完成的 P5 Ph1 潔淨室建設提前約 6 個月，設備導入因此預計在明年三季度左右。業內人士稱，設備搬入開始時間擬從明年 7 月至 8 月提前至明年 5 月至 6 月前後；另有人士表示，三星甚至提出明年一季度先交付設備、由其他地點暫存，顯示其提前投資意願較強。P5 第二階段（Ph2）投資討論也在推進。目前 Ph1 更可能建設為 DRAM 與 HBM 產線，Ph2 則更可能建設為包括第十代（V10）在內的先進 NAND 產線。設備業人士稱，正式採購訂單尚未下達，但三星已與合作方討論將 Ph2 建成 NAND 產線，並因設備交付周期較長，要求提前備妥相關零部件。報導稱，全球大型科技公司增加 AI 基礎設施用高性能 DRAM 與 NAND 訂單，而三星等儲存企業產能有限。三星在 7 月二季度業績電話會上曾表示，今年未能滿足的需求將延至明年，明年供應短缺將比今年更嚴重，並預計短缺將持續至 2028 年。

ChainCatcher 消息，台積電 2 奈米 N2 量產，半導體先進製程由 FinFET 跨入 GAA 世代。法人指出，隨製程複雜度、CMP 道數、晶圓監控頻率及材料規格同步提升，設備、CMP 耗材、再生晶圓及先進材料需求增加，中砂、昇陽半、新應材、頌勝等供應鏈迎成長契機。台積電 N2 采 nanosheet GAA，相較 N3E，在相同功耗下效能可提升 10%～15%，或相同速度下降低 25%～30% 功耗，晶片密度提高逾 15%。中砂最大客戶鑽石碟業務中，先進製程占比達 63%，N3、N2 各占 22%，1.4 奈米亦已小量出貨；N3 進入 N2 後，CMP 內容價值提高 10%～15%。昇陽半 2026 年底再生晶圓月產能調整為 110 萬～120 萬片，2026 年資本支出預算達 48.2 億元，預估 2025～2029 年再生晶圓擴產年複合成長率達 25%～30%。新應材 Rinse、BARC 及 EBR 三項核心產品出貨可望隨 N2 產能爬坡逐季走高，頌勝上半年半導體營收占比達 66%、年增約 25%，台積電相關營收年增約 170%。

ChainCatcher 消息，在 2026 世界製造業大會上，儲存晶片廠商長鑫科技宣布第五代技術平台正式量產。據介紹，長鑫科技將內存陣列有源區半間距做到 11.95 納米，儲存器電容深寬比 45:1，核心動能區高度降至 6762 納米。第五代工藝平台的儲存密度有大幅提升，同等條件下每張晶圓產出較上一代平台提升 50% 以上。基於該平台打造的 24GB LPDDR5X 產品已進入正式量產，並進入國產主流旗艦手機。

ChainCatcher 消息，特斯拉團隊於 9 月 16 日抵達寧波，並於 9 月 17 日啟動新一輪針對機器人業務的量產審廠。此次審廠旨在配合審查 Optimus 機器人的量產獨家性和一致性，計畫在 2026 年下線約 5 萬台 Optimus 機器人。

ChainCatcher 消息，美光展示全球首款面向伺服器的 512GB DDR5 RDIMM 記憶體模組，運行速度最高達 9200 MT/s。AMD 與 Intel 正在針對未來平台進行驗證。該模組通過矽通孔垂直堆疊 DRAM 晶片實現容量，配備 24 個模組的伺服器記憶體可達 12 TB。單個 512GB 模組額定功耗為 16W，四個 128GB 模組合計功耗為 44.2W，降幅超過 60%。美光稱，在 Spark SVM 記憶體密集型分析場景中，相較 256GB DDR5 性能最高提升 1.4 倍。該產品延續美光今年早些時候送樣的 256GB DDR5 RDIMM（同樣最高 9200 MT/s，採用 1-gamma DRAM 與 3D 堆疊），計劃 2027 年量產，尚未公布定價。

ChainCatcher 消息，美光科技（MU.O）表示，公司已實現 512GB DDR5 內存模組里程碑，並預計 512GB DDR5 RDIMM 將在 2027 年下半年進入大規模量產。

ChainCatcher 消息，中科管理局 9 日證實，台積電中科擴建二期 1.4 納米建廠全面加速。第一座 P1 廠目前已完成鋼構結構體，預計明年 4 月即可試機，明年下半年可望量產，較原訂 2028 年量產進度超前。台積電已向中科管理局提出申請，在基地建置兩座臨時辦公室，預計明年 4 月同步完工，首批將有 5400 余名營運及外包人員進駐。台積電中科二期園區先進製程新廠去年 10 月動工，規劃興建四座 1.4 納米廠，近 2000 名工人日夜趕工。P1 廠正進行樓板與外牆施工，明年初完成廠房建設。P2 廠已展開基礎廠房建設，將於明年 10 月完工，兩座廠房有望明年陸續量產。P3 廠已取得建照，P4 廠正申請建照中，計畫以半年落差建置，P3 預計 2028 年第 2 季完工，P4 訂同年第 4 季完工。P2 廠明年下半年完工後將再增加 1000 名營運人員，整個二期四座新廠全數完工投產預計總員工數在 9000 至 1 萬人。

ChainCatcher 消息，台積電 9 月 8 日宣布，將從 2030 年起在量產中採用荷蘭 ASML 製造的極端紫外線（EUV）光刻裝置新型"高 NA"機。雙方同日還表示，將開展行業橫斷的高 NA 機改良工作。ASML 壟斷供應用於形成納米級超微細電路的 EUV 光刻機，並於 2023 年 12 月起開始出貨可描繪更細電路的高 NA 機。英特爾已引入高 NA 機，台積電此前因成本高等原因推遲量產採用。台積電與 ASML 將啟動行業橫斷項目，把作為電路原版的光掩模從目前的 6 英寸（約 15 公分）方形大型化為 12 英寸方形，並開發對應大型掩模的高 NA 機及相關部件。計畫於 2031 年前設立大型掩模試製產線，2033 年前使對應大型掩模的高 NA 機達到可投入先進半導體生產的狀態。主要半導體製造商及掩模企業等已對參與表示興趣。高 NA 機可描繪更細電路，但單次可描繪面積減為傳統機型的一半，繪製大型芯片電路時需分多次曝光，工序複雜、成本上升。通過光掩模大型化可擴大曝光面積、降低成本。台積電董事長兼首席執行官魏哲家當日表示，將匯集全行業專業知識，持續推進使先進技術可廣泛使用的技術創新，並傳遞其益處。

ChainCatcher 消息，据彭博社報導，瑞銀集團分析師預計，未來十年內中國半導體製造能力可能難以取得足夠快的進展，從而開發出能夠真正替代阿斯麥尖端 EUV 光刻技術的方案。瑞銀分析師在報告中寫道，"他們目前所處的階段似乎與阿斯麥在 2004 年時相當"，從專利申請活動來看，尤其是在光源和激光子系統領域，中國當前技術成熟度大致相當於阿斯麥開始大規模生產 EUV 設備前 15 年的水平。瑞銀同時預計，中國有望在未來兩到五年內具備浸沒式 DUV 光刻機的大規模量產能力。浸沒式 DUV 雖不如 EUV 先進，但仍是晶片製造不可或缺的設備。阿斯麥浸沒式 DUV 售價近 9000 萬美元，EUV 設備每台超 2 億美元。中國是阿斯麥最大市場之一，但受出口限制，阿斯麥被禁止向中國出售 EUV 設備。瑞銀指出，考慮到良率和產能差距及監管限制，中國光刻設備不太可能在境外得到應用。阿斯麥發言人對置評請求未作回應。該報導基於瑞銀分析師的預測觀點，實際進展以產業動態為準。

ChainCatcher 消息，小鵬集團董事長何小鵬在2026半年財報會上表示，人形機器人IRON計畫從今年底開始進入規模量產，並從小鵬門店和園區落地商業場景。2027年IRON將正式上市，面向零售和服務業外部客戶，在中國和海外規模交付，明年月產能可迅速提升至數千台。他自今年6月起兼任機器人業務CEO，整合汽車供應鏈、車規級製造、全球化佈局及圖靈AI晶片等資源，推動量產與商業化。當日小鵬宣布人形機器人業務獲超9億美元首輪融資，投後估值超63億美元。IDG領投，高榕創投、騰訊、阿里巴巴等認購6億美元，小鵬集團及何小鵬等高層控制主體認購3億美元。何小鵬認為高階通用機器人技術門檻至少是智能汽車的20倍，單台全生命周期收入和毛利將大幅高於汽車，期望量產後帶來可觀毛利並支持物理AI研發。搭載第二代VLA的前裝量產Robotaxi已在廣州完成超2000次內測訂單，小鵬已完成雲端接管平台開發，目標明年實現無安全員載客運營。汽車業務上半年總收入327.8億元，交付16.60萬輛，毛利率20.6%；預計三季度交付11.5萬至12.1萬輛，總收入217億至234億元。

ChainCatcher 消息，英偉達高級總監 Dion Harris 當地時間週一宣布，Groq 3 LPX 機架已進入全面量產階段，並將部署在新型雲服務商 Nebius 的數據中心，預計今年晚些時候上線。此舉標誌著英偉達去年 12 月與 Groq 達成約 200 億美元技術授權交易後所獲技術正式實現商業化，多位 Groq 核心員工已加入英偉達，創始人 Jonathan Ross 擔任英偉達首席軟體架構師。英偉達正加速生產 Groq 晶片並向客戶提供產品，凸顯低延遲推理的重要性。今年 3 月發布的 Groq 3 LPX 為 Vera Rubin 平台推理加速器，架構在晶片裸片上集成 500 兆字節高速 SRAM，以減少記憶體瓶頸。每個 LPX 機架可整合 256 顆 Groq 3，英偉達援引基準測試稱每秒可處理 3400 個 token；該晶片由三星製造。Harris 表示，低延遲晶片並非取代 GPU，而是針對工作負載不同環節使用合適處理器，雲服務商可對延遲敏感用戶提供更高收費套餐。英偉達 CEO 黃仁勳計劃將面向編程應用的數據中心空間約四分之一分配給 Groq 晶片，其餘部分採用 Vera Rubin 系統，並預計到 2027 年 Blackwell 與 Vera Rubin 累計銷售額達 1 萬億美元。

ChainCatcher 消息，据 Liberty Times 等媒體報導，台積電已完成 angstrom 級 A16（1.6nm）製程的開發與驗證，預計將於 2026 年第四季度進入大規模量產。該工藝採用台積電背面供電網絡技術 Super Power Rail（SPR），將信號布線與電源布線分離，電源位於晶圓背面，以減少瓶頸。與 2nm 工藝相比，A16 據稱可提升 8% 至 10% 的計算速度，降低 15% 至 20% 的能耗，並提高 8% 至 10% 的晶片密度。台積電將 1.6nm 工藝視為邁向 1.4nm 的過渡步驟，目標是在 2028 年開始 1.4nm 量產。

ChainCatcher 消息，据韓媒 ZDNet Korea 報導，三星電子正調整其器興園區 NRD-K 2 號產線的原定用途，從研發設施改為晶圓代工產線，主要目標產品為英偉達 HBM 所需的 2nm 基礎芯片。該產線預計將於 2028 年下半年啟用，採用"Send-Fab"模式，即從其他量產線接收晶圓並代工特定工序。NRD-K 是三星電子為搶佔未來半導體技術而建設的最尖端複合研發園區，總投資約 20 萬億韓元，共規劃 3 條產線，其中第 1 條已於 2024 年底竣工。此次調整旨在提前應對 AI 基礎設施投資帶動的 HBM 需求擴張。三星計劃在定制 HBM 及 HBM5 上率先應用 2nm 工藝以保持性能優勢。業內人士指出，NRD-K 2 號線規模相對較小，適合以 Send-Fab 形式運作。但距離產線啟用仍有約兩年時間，最終用途仍可能根據市場形勢再次調整。三星此前曾考慮將該產線用於 DRAM 生產，相關計劃在本月被修改後，DRAM 產能將更集中於平澤園區。設備採購訂單尚未正式發出。

ChainCatcher 消息，据 DIGITIMES 報導，英偉達下一代 AI 平台 Feynman 的量產時間目標鎖定在 2028 年下半年，將採用台積電 A16 製程，並導入 SoIC 3D 堆疊及 CPO 技術。Rubin 世代以多顆小芯片與 HBM 整合為主，Feynman 則進一步向 3D 小芯片、SoIC 及 CPO 方向發展。報導指出，台積電正加速推進相關產能建設，原規劃 2026 年底 SoIC 月產能達 2 萬片，目前最新目標已上調至 2027 年底達 5 萬片。台積電嘉義 AP7 與南科 AP8 的建廠進度同步加快，其中 AP7 共規劃 8 個階段，P1、P2 已進入裝機，P3、P4 已取得建照，P5 至 P8 持續規劃中。該廠除量產蘋果專用的 WMCM 外，後續將依客戶需求配置 SoIC、CoPoS 及 CPO 相關產線。英偉達已將研發與供應鏈資源快速轉向 Feynman 平台，台積電先進封裝訂單外溢效應持續擴大，矽品已成為承接英偉達 CoWoS 與 CPO 訂單的主力封測廠。英偉達 Feynman 平台的 NVLink 互連帶寬預計突破 1 PB/s，較 Rubin Ultra 的 520 TB/s 進一步提升。台積電的 COUPE 技術通過 SoIC 將 EIC 與 PIC 進行 3D 整合形成光引擎，將光電轉換由傳統電路板推進至封裝架構內部。2026 年以來，英偉達已投入超 400 億美元布局 AI 生態，涵蓋模型、晶圓製造、數據中心及光通訊等領域。

ChainCatcher 消息，据台灣媒體報導，英特爾下一代先進封裝技術 EMIB-T 正面臨嚴峻的良率挑戰。ABF 載板供應商欣興電子（Unimicron）在 7 月 29 日的財報電話會上表示，該技術"尚未成熟"，三家 EMIB-T 載板供應商（欣興、揖斐電、新光電氣）在 2027 年底首批量產階段的良率目標僅為 50% 。EMIB-T 是英特爾對標台積電 CoWoS-L 的先進封裝方案，區別在於將矽橋直接嵌入載板而非使用矽中介層，使載板供應商成為決定成敗的關鍵環節。谷歌第九代 TPU 已確定在 2028 年量產時採用 EMIB-T 封裝，聯發科負責晶片協同設計，該晶片若成功量產，出貨量有望挑戰英偉達。欣興電子表示，客戶（英特爾）已提供利潤保證機制，即便良率不佳仍能確保供應商盈利，50% 良率目標實現後利潤率將高於公司平均水平。目前 EMIB-T 能否在 2027 年底前達成量產目標仍存較大不確定性。

ChainCatcher 消息，日本 NAND 廠商鋼俠（Kioxia）正加速佈局 AI 用 NAND 市場，今年已啟動第 10 代（BiCS 10）332 層 3D NAND 量產，並基於此推出支持 PCIe 6.0 的數據中心 eSSD"CM10"，順序讀取性能較前代提升達 92%。此外，鋼俠計劃於今年年底量產 UFS 5.0 嵌入式存儲，數據傳輸速度較 UFS 4.1 提升約 2 倍，主攻端側 AI 移動設備市場。據 TrendForce 數據，鋼俠今年一季度全球 NAND 市場份額為 13.9%，位列第三，次於三星電子（31.6%）和 SK 海力士（17.6%）。韓廠同樣加快腳步。三星已於上月量產 PCIe 6.0 eSSD"PM1763"，搭載第 9 代 V-NAND 和 4nm 控制器，UFS 5.0 計劃於第四季度量產。三星還宣布本月起量產第 10 代 V-NAND（約 430 層），首次應用混合鍵合及三堆疊工藝。行業分析認為，鋼俠在技術迭代速度上頗具競爭力，但產能規模仍與韓廠存在差距，後續 AI 存儲市場競爭將更趨激烈。

ChainCatcher 消息，英偉達資深副總裁 Gilad Shainer 在近日舉行的技術論壇上宣布，CPO 已步入量產階段。英偉達與供應鏈合作開發的交換機已開始交付給緊密合作客戶，並在自家部署。預計今年起，搭載 CPO 技術的交換機將在全球 AI 工廠中大規模導入。Shainer 指出，未來光通訊市場最大商機在於垂直擴展（Scale-up），其所需帶寬效能將是水平擴展（Scale-out）的十倍以上。Shainer 此前在 Mellanox 負責研發，公司被英偉達收購後主持 AI 平台網路傳輸部門，並與台積電共同開發 COUPE 矽光子封裝平台。這一宣布有助於打破市場對光通訊規格升級的疑慮，提振相關廠商營運展望。據悉，英偉達已在 Spectrum-X 上先行導入 CPO，目標是配合即將大規模部署的 Vera Rubin AI 平台（運算速度較 GB300 至少提升三倍以上）。Trendforce 預估，CPO/NPO 市場規模將於 2030 年突破 390 億美元，2028 至 2029 年隨著 Scale-up 導入光互連，成長動能將顯著加速。

ChainCatcher 消息，SK海力士宣布將於今年下半年正式量產 16Gb LPDDR6 低功耗移動DRAM，首批產品將搭載於小米 下一代旗艦智能手機。該產品於 3 月 完成開發，採用 10nm 級第六代（1c） 工藝，較前代在數據處理速度和能效方面均有提升。SK海力士自 2013 年 起向小米供應LPDDR產品，雙方長期保持合作。LPDDR主要用於智能手機和平板電腦等移動設備，兼具低功耗與高性能特性。近期受AI伺服器需求拉動，LPDDR價格持續走高，合約價格不斷上漲，第一季全球移動DRAM營收環比增長 64.5% 。SK海力士與三星電子已在LPDDR6量產準備上領先於美光。此外，LPDDR6的量產有望加速 SO-CAMM （低功耗內存模組）市場的競爭，該產品被視為AI伺服器CPU的配套方案。英偉達CEO黃仁勳曾於 6 月 在台北國際電腦展上到訪SK海力士展台，為 192GB SO-CAMM留下 "LOVE SOCAMM" 題詞。

ChainCatcher 消息，半導體研究機構 SemiAnalysis 發文指出，預計英偉達（Nvidia）在今年下半年（即 2027 財年下半年）將迎來巨大的產能爬坡，其數據中心計算業務收入預估將比當前市場共識預期高出 20%。該機構表示，此前因 HBM4 遭遇技術瓶頸而推遲的英偉達新一代 Rubin 架構芯片，目前相關問題已得到解決，且前端晶圓供應已完成初步儲備，即將進入大規模量產階段。此外，SemiAnalysis 強調，其預測數據建立在對全產業鏈的深度調研之上，涵蓋從上游材料、晶圓代工、組件、伺服器集成商，到下游超大規模雲服務商及前沿 AI 實驗室的動態。其追蹤模型同時覆蓋了博通、AMD、聯發科及 Marvell 等主要 AI 晶片生態參與者。