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ChainCatcher 消息，据財聯社援引媒體當地時間 9 月 29 日報導，三星電子執行副總裁 Kim Taewoo：預計明年 HBM 將占 DRAM 廠商晶圓總產能的近 30%，目前該比例約為 20%。他稱，HBM 與傳統 DRAM 競爭同一批晶圓產能，擴大 HBM 產出可能擠壓傳統 DRAM 供應。TrendForce 此前預測，2027 年底全球三大 HBM 供應商的 HBM 晶圓投入約占 DRAM 晶圓總投入的 30%，但按存儲容量計僅能貢獻約 13% 的 DRAM 總供應量。另據媒體 9 月 20 日報導，三星已於今年 2 月開始量產出貨 HBM4，5 月向包括英偉達在內的客戶提供 12 層 HBM4E 樣品；業內預計三星 HBM 月均晶圓投入量將由今年約 18 萬片增至明年約 25 萬片。TrendForce 同日表示，AI 伺服器需求持續，HBM 與通用 DRAM 仍將分享有限的先進製程產能，2027 年存儲供應將維持偏緊，並上調 2027 年 HBM 價格預期，預計混合平均售價同比上漲 121%。受供應有限和系統成本上升影響，8 層 HBM 預計將成為 2027 年多家廠商優先評估的方案，其每 Gb 售價將比 12 層產品高約 10% 至 20%。

ChainCatcher 消息，衛星通信基礎設施公司 Space Network 與菲律賓基礎設施公司 HQ Company International Holdings 簽署 5000 萬美元具有約束力的預購協議，將透過低軌衛星網絡 Freeport 向菲律賓提供衛星連接。簽約儀式在首爾 SKY 31 舉行，Space Network 首席執行官 Tae Lim Oh 與 HQ Company 首席執行官 Yongsoo Samuel Cho 出席。根據協議，Space Network 提供 Freeport 網絡接入、技術硬體、軟體及持續工程支持，HQ Company 負責當地銷售、客戶獲取、頻譜授權與區域服務落地。Cho 為菲律賓前總統 Fidel V. Ramos 的孫女婿，長期在菲律賓從事跨境投資與基礎設施業務。該協議疊加 Space Network 於 2026 年 6 月與越南 DETI Technology 簽署的 1 億美元協議後，商業預購總額達到 1.5 億美元。Freeport 由 Space Network 建設並運營，目前有 4 顆低軌衛星，計劃在 2029 年商業服務啟動時擴至約 230 顆。運營商可購買區域容量並在開放網絡上自建服務，節點透過鏈上合約結算。相關項目 Spacecoin 將區塊鏈協議與低軌衛星結合，用於該網絡中的服務計價與支付。

ChainCatcher 消息，馬斯克預計星艦明年將達到每週或每兩週一次的發射頻率。

ChainCatcher 消息，SpaceX 新一代航天器 "星艦" 在第 14 次無人測試飛行中發生發動機故障，可能影響 NASA 的載人登月任務時間表。星艦是 NASA 競標選用的兩款航天器之一，計劃於 2028 年執行載人登月任務。儘管在德州發射的測試任務中完成多項目標，但推進系統故障導致任務提前結束。

ChainCatcher 消息，韓國《中央日報》報導，其取得的三星電子部長出身、前長鑫存儲（CXMT）設備投資負責人全某的陳述書顯示，CXMT 前 CEO 王寧國曾於 2016 年 10 月至 12 月召集全某等韓國團隊，要求帶回三星電子工藝配方計畫（PRP）及設備資訊，並稱若不帶回將向韓國政府舉報，還警告對方有核實人脈、不要說謊。全某稱當時感到害怕。報導稱，CXMT 管理層當時以"黃山"作為三星電子的代號。全某在三星電子工作 28 年後加入 CXMT，因涉嫌未經授權洩露並使用三星投入 1.6 萬億韓元、當時全球率先開發的 18 奈米 DRAM 工藝被起訴，今年 4 月一審被判 7 年有期徒刑，目前處於二審。PRP 包含 DRAM 製造約 600 個步驟的順序、設備、條件值及設備公司與型號。三星工藝設計工程師出身的朴某於 2016 年 9 月將相關內容手抄在 12 頁筆記中帶出，目前處於國際刑警組織紅色通報狀態。全某在庭審中陳述，與中國方面溝通時出現過做不出 18 奈米就不向 CXMT 提供投資的說法，並稱後來得知對方從一開始就想要該技術，CXMT 起初並無自行開發打算。上述施壓發生在為申請投資準備會議之前。CXMT 於 2016 年由合肥市政府下屬合肥產業投資出資 144 億人民幣設立，約 10 年未盈利，去年首次年度盈利，淨利潤 71 億人民幣。

ChainCatcher 消息，据華爾街日報報導，三星向由 KKR 和英偉達支持的人工智慧基礎設施公司 Helix Digital 投資 10 億美元，該投資將使 Helix Digital 的總資本承諾額超過 110 億美元。

ChainCatcher 消息，SpaceX 表示星艦正從太空返回地球。

ChainCatcher 消息，SpaceX (SPCX.O) 已與所有 26 顆 V3 衛星建立連接。

ChainCatcher 消息，SpaceX (SPCX.O) 星艦正在部署星鏈衛星。

ChainCatcher 消息，SpaceX (SPCX.O) 宣布星艦超級重型助推器按計劃成功濺落。

ChainCatcher 消息，SpaceX (SPCX.O) 宣布超級重型火箭按計劃與星艦分離。

ChainCatcher 消息，SpaceX 預計於週一首次將其巨型星艦送入軌道，進行可能持續近 10 小時的測試飛行。此次任務將搭載 26 顆升級版星鏈衛星，計劃將其部署至軌道並納入現有太空互聯網網絡。若成功，將為更多軌道飛行任務鋪平道路。

ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 9 月 28 日報導，三星電子正加快平澤第五園區（P5）首條量產線（Ph1）建設，並與主要設備廠商討論將 Ph1 設備搬入目標從原定明年三季度提前至明年二季度。P5 是以 2028 年投產為目標的下一代半導體生產基地，今年三季度已開始建設 Ph1 潔淨室。三星電子此前已將原定明年初完成的 P5 Ph1 潔淨室建設提前約 6 個月，設備導入因此預計在明年三季度左右。業內人士稱，設備搬入開始時間擬從明年 7 月至 8 月提前至明年 5 月至 6 月前後；另有人士表示，三星甚至提出明年一季度先交付設備、由其他地點暫存，顯示其提前投資意願較強。P5 第二階段（Ph2）投資討論也在推進。目前 Ph1 更可能建設為 DRAM 與 HBM 產線，Ph2 則更可能建設為包括第十代（V10）在內的先進 NAND 產線。設備業人士稱，正式採購訂單尚未下達，但三星已與合作方討論將 Ph2 建成 NAND 產線，並因設備交付周期較長，要求提前備妥相關零部件。報導稱，全球大型科技公司增加 AI 基礎設施用高性能 DRAM 與 NAND 訂單，而三星等儲存企業產能有限。三星在 7 月二季度業績電話會上曾表示，今年未能滿足的需求將延至明年，明年供應短缺將比今年更嚴重，並預計短缺將持續至 2028 年。

ChainCatcher 消息，SpaceX 宣布 "星艦" 第 14 次飛行計劃於 9 月 28 日週一發射，75 分鐘的發射窗口將於北京時間 9 月 28 日 20 時 15 分開啟。

ChainCatcher 消息，芬蘭總統曾請求埃隆·馬斯克擴大星鏈（Starlink）在俄羅斯及被佔領地區的覆蓋範圍，以幫助烏克蘭打擊俄羅斯的彈道導彈發射裝置。

ChainCatcher 消息，据紐約時報報導，下週四谷歌將發射一顆實驗性衛星進入軌道，該衛星具備足夠計算能力，可在太空中回答簡單的人工智慧查詢。

ChainCatcher 消息，9 月 24 日，話題詞"豆包員工感慨豆包成邊緣產品"登上微博熱搜。此前有媒體報導豆包通用 Session 團隊出現人員縮減，相關內容傳播後，網上出現"豆包裁員""對話團隊砍掉一半"等說法，並有網傳稱內部員工感慨豆包正在被邊緣化。針對上述說法，豆包公關負責人劉星發文回應稱：有媒體報導豆包 Session 團隊組織調整，部分自媒體將其解讀為豆包裁員、豆包對話團隊砍掉一半，相關信息不實，實際上只是分工的組織調整。據劉星介紹，豆包通用 Session 團隊的一部分職能拆分到豆包交易、豆包工作團隊，相關人員隨之平移，不少員工仍從事對話體驗相關工作，例如交易側也在優化交易對話體驗。該團隊不到 50 人，分工調整涉及 11 人，其中 3 人離職。他強調，部分自媒體報導中的"2 億人用的豆包裁員""對話團隊砍掉一半"等表述不實。

ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 報導，三星電子調整下一代 DRAM 策略，將此前以項目形式開發的 B1b 納入正式路線圖，並命名為首款 10 奈米以下 DRAM D0a。此前 D0a 指垂直晶體管 DRAM，現該產品被單獨歸類為 D0a-V。此次更名是為加快在通用 DRAM 中導入先進封裝。B1b 將儲存單元與周邊驅動電路分別在不同晶圓上製造後再鍵合，採用晶圓對晶圓混合鍵合，通過銅互連直接連接。目前已商用 DRAM 為 1c，即第 6 代 10 奈米級、線寬約 11 至 12 奈米；下一代 1d 為第 7 代 10 奈米級、線寬約 10 至 11 奈米，被視為事實上最後的 10 奈米級產品，相關線寬屬於行銷用語而非實際物理尺寸。垂直晶體管可將單元內晶體管垂直佈置，把單元面積從 6F² 縮至 4F²，但需應對高深寬比刻蝕和漏電流，開發難度較高。晶圓對晶圓混合鍵合已在 CMOS 圖像感測器和高堆疊 NAND 中量產應用。三星電子正評估將 B1b 用於第 8 代高帶寬記憶體 HBM5。HBM5 預計約 2029 年量產，目標是較 HBM4E 將運行速度提高 50% 以上。業界估計，基於 B1b 的 D0a DRAM 最快約兩年後商用，具體量產投資日程或於明年年中確定。

ChainCatcher 消息，据 Money Today 9 月 21 日報導，三星電子因 HBM 市場增長正推進晶圓代工先進製程產能擴張，為應對 HBM4 基座晶片需求上升正在評估 4 奈米製程擴產。三星 HBM4 由 10 奈米級 6 代（1c）DRAM 核心晶片與 4 奈米邏輯基座晶片組成，基座晶片負責與 GPU 等 AI 加速器高速交換數據。與 SK 海力士採用台積電 12 奈米不同，三星對 HBM4 基座晶片使用自有 4 奈米製程。該產線已滿負荷運轉並承接英偉達 Groq 3 LPU 等訂單，公司近期上調了 4 奈米新訂單及 HBM4 基座晶片報價。三星預計第三季度 HBM4 營收環比增逾 3 倍，下半年 HBM 營收中 HBM4 占比將明顯高於 60%。平澤 P4 追加擴產大部分將用於 HBM 用 1c DRAM，晶圓代工 4 奈米產能一半以上已分配給 HBM4 基座晶片。HBM4E 同樣採用 4 奈米基座晶片，三星已於 5 月向客戶提供樣品。公司還在評估為 HBM5 建設 2 奈米新產線，目標以 GAA 結構 2 奈米製程並提高 TSV 密度，使運行速度較 HBM4E 提升 50% 以上。三星去年下半年啟動 2 奈米第一代量產，今年下半年推進第二代產品。花旗預計明年全球 HBM 比特需求達 752 億 Gb、同比增 62%，供應約 594 億 Gb、缺口約 21%；