BTC $84,792.54 +0.23%
ETH $2,690.33 +0.61%
BNB $786.24 +2.29%
XRP $1.49 +0.01%
SOL $120.04 +0.76%
TRX $0.3353 +0.29%
DOGE $0.0929 -0.45%
ADA $0.2441 -1.03%
BCH $319.58 +2.02%
LINK $14.15 +1.97%
HYPE $89.55 +0.00%
AAVE $182.17 +1.42%
SUI $1.18 +0.18%
XLM $0.2162 +0.06%
ZEC $1,317.26 -0.37%
AAPL $333.34 +0.02%
AMZN $252.32 +0.35%
GOOGL $343.96 +0.24%
MSFT $517.94 +0.16%
META $730.68 +0.49%
NVDA $234.97 +0.23%
TSLA $371.27 +0.04%
SNDK $1,716.92 -0.24%
INTC $117.56 -1.53%
SPCX $159.03 -0.03%
MU $1,067.75 -0.19%
AMD $633.44 -0.11%
BTC $84,792.54 +0.23%
ETH $2,690.33 +0.61%
BNB $786.24 +2.29%
XRP $1.49 +0.01%
SOL $120.04 +0.76%
TRX $0.3353 +0.29%
DOGE $0.0929 -0.45%
ADA $0.2441 -1.03%
BCH $319.58 +2.02%
LINK $14.15 +1.97%
HYPE $89.55 +0.00%
AAVE $182.17 +1.42%
SUI $1.18 +0.18%
XLM $0.2162 +0.06%
ZEC $1,317.26 -0.37%
AAPL $333.34 +0.02%
AMZN $252.32 +0.35%
GOOGL $343.96 +0.24%
MSFT $517.94 +0.16%
META $730.68 +0.49%
NVDA $234.97 +0.23%
TSLA $371.27 +0.04%
SNDK $1,716.92 -0.24%
INTC $117.56 -1.53%
SPCX $159.03 -0.03%
MU $1,067.75 -0.19%
AMD $633.44 -0.11%

ram

全部
文章
快訊

first_img SK 海力士稱 3D DRAM 開發可利用代工工藝

ChainCatcher 消息,SK 海力士 9 日表示,下一代儲存器 3D DRAM 半導體開發可利用代工工藝。此前一日,該公司在利川園區 Supex 中心舉行的 2026 SK 海力士未來論壇上,副社長金慶勳、孫浩英提出 3D DRAM 主要技術方向,包括 DRAM 外圍電路採用邏輯代工工藝、最大化數據總線帶寬、超短距離傳輸等。3D DRAM 是將原先平面鋪設的儲存單元垂直堆疊以提高集成度的下一代 DRAM。兩人表示,實現該技術除設計與發熱問題外,還需一並解決微細互連、鍵合、工藝整合等封裝領域難題。隨著前道與後道封裝、代工與儲存器技術邊界趨近,超越既有領域的共同優化將更重要。孫浩英稱,3D 技術正在改變晶圓廠與封裝的技術邊界,需與先進封裝技術創新一起,建立超越既有領域的優化與新協作體系。同主題發表的高麗大學教授申昌煥表示,3D DRAM 不僅是晶片垂直堆疊,更是打破儲存器與邏輯邊界的技術;隨著器件微細化接近極限、系統與儲存器間數據移動帶來的時間與功耗增加,轉向 3D 技術不可避免,並提議以人工智慧聯動材料、器件、封裝、架構四領域的 3D 集成設計框架。SK 海力士社長郭魯正在致辭中稱,過去儲存器市場像比誰跑得更快的直線道路,現在則像時刻變化的彎道,除內部能力外,把握外部環境變化速度與方向並靈活適應也很重要。
app_icon
ChainCatcher 與創新者共建Web3世界