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first_img 分析: 中国はすでに343台の浸没式深紫外線露光装置を蓄積している可能性がある。

『南華早報』の報道によると、前アメリカ官僚は、中国の半導体工場が近年、数百台、数十億ドル相当の浸漬式露光機を蓄積しており、ワシントンとその同盟国にさらなる輸出を停止するよう促していると述べています。2026年8月に設立された技術と国家戦略センターは、9月下旬に報告書を発表し、2026年初頭までに中国のウェハ工場が約343台の浸漬式深紫外線露光システムを取得したと推定しています。この報告書は、前アメリカ輸出管理官のニコラス・ブラウンと、前ホワイトハウスおよび商務省の技術政策顧問のサイフ・カーンが共同で執筆しました。報告書は、そのうち約270台がASMLのTwinscan NXT:1980iであると推定しています。著者は、これらの機器は極紫外線露光機には劣るが、7ナノメートル級のロジックチップや人工知能プロセッサ(ファーウェイの昇騰シリーズを含む)に必要な先進的なメモリの製造に改造できると述べています。中国のウェハ工場は2024年に約90台のNXT:1980iを購入するために130億ドル以上を費やし、2025年には89台を購入しました。ASMLは、出荷先の国別に見ると、中国は2024年の純システム売上高の41%、2025年の33%を占め、2026年第1四半期には19%、第2四半期には14%に減少したことを明らかにしました。オランダは2023年9月からNXT:2000iおよびそれ以上の先進的な浸漬式深紫外線機器に対して輸出許可を要求しており、これらのモデルは実質的に中国への輸出が禁止されています。一年後、許可要件はNXT:1980iにまで拡大されましたが、このモデルは依然として個別に出荷が承認される可能性があります。

hot_img スイス・ユニオンバンク(UBS):中国は今後10年以内にASMLの最先端EUV露光装置に匹敵するものを開発するのが難しく、DUVの量産には2年から5年を要する可能性がある。

彭博社の報道によると、UBSグループのアナリストは、今後10年間で中国の半導体製造能力が十分に速い進展を遂げることは難しいと予測しており、ASMLの最先端EUV露光技術を本当に代替できるソリューションを開発することができないとしています。UBSのアナリストは報告書の中で、「彼らが現在いる段階は、ASMLが2004年にいた段階に相当するようだ」と述べており、特に光源やレーザーサブシステムの分野における特許申請活動から見ると、中国の現在の技術成熟度は、ASMLがEUV装置の大規模生産を開始する前の15年のレベルに大体相当しています。UBSは同時に、中国が今後2〜5年以内に浸漬式DUV露光機の大規模量産能力を持つことが期待されると予測しています。浸漬式DUVはEUVほど先進的ではありませんが、依然としてチップ製造に不可欠な設備です。ASMLの浸漬式DUVの価格は約9000万ドルで、EUV装置は1台あたり2億ドルを超えます。中国はASMLの最大市場の一つですが、輸出制限の影響を受け、ASMLは中国にEUV装置を販売することが禁止されています。UBSは、良率や生産能力の差、規制の制約を考慮すると、中国の露光装置が海外で使用される可能性は低いと指摘しています。ASMLのスポークスマンはコメントのリクエストに応じていません。この報道はUBSアナリストの予測に基づいており、実際の進展は産業の動向に基づいています。

hot_img 国産浸漬式DUV露光装置が小規模生産を開始し、今年は約5台の納品を計画しています。

『The Information』の報道によると、ある未公開の名称の上海国有資本背景の会社が国産浸漬式DUV露光機の生産を開始し、今年約5台を製造する計画で、2027年には約20台に増加する予定です。最初の設備は中芯国際、華虹半導体、長鑫科技などの主要なウェハファウンドリに納入されますが、設備は精度、安定性、及び生産ラインの互換性の検証を経る必要があり、このプロセスは数ヶ月、あるいはそれ以上かかる可能性があります。現在、この設備の大部分の部品は国内から調達されていますが、一部の重要な部品は依然として日本に依存しており、性能と製造品質はASMLに劣っています。対照的に、ASMLは2025年に約131台の浸漬式DUV露光機を納入する予定です。国産設備はプロトタイプテストから小規模生産への移行を実現しましたが、ASMLの大規模な代替にはまだ明らかな差があります。以前、ロイター通信はアメリカが中国への露光設備の輸出及び中国でのメンテナンスサービスの制限をさらに強化することを検討していると報じており、今回の国産設備の納入はこの背景と重なっています。
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