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Gate 시세 데이터에 따르면, 미국 주식 소프트웨어 주식이 상승했으며, IBM은 5% 상승, ServiceNow는 4.8% 상승, Salesforce는 3% 상승했습니다.

재무연구소에 따르면, 현지 시간 9월 29일 보도에 따르면, 삼성전자 부사장 김태우는 내년 HBM이 DRAM 제조업체의 웨이퍼 총 생산능력의 거의 30%를 차지할 것으로 예상하며, 현재 이 비율은 약 20%라고 밝혔다. 그는 HBM과 전통적인 DRAM이 동일한 웨이퍼 생산능력을 두고 경쟁하고 있으며, HBM 생산 확대가 전통적인 DRAM 공급을 압박할 수 있다고 언급했다.트렌드포스는 이전에 2027년 말까지 세계 3대 HBM 공급업체의 HBM 웨이퍼 투입량이 DRAM 웨이퍼 총 투입량의 약 30%를 차지할 것으로 예상했지만, 저장 용량 기준으로는 약 13%의 DRAM 총 공급량에 기여할 수 있다고 밝혔다. 또 다른 보도에 따르면, 삼성은 올해 2월부터 HBM4의 양산 출하를 시작했으며, 5월에는 엔비디아를 포함한 고객에게 12층 HBM4E 샘플을 제공했다. 업계에서는 삼성 HBM의 월 평균 웨이퍼 투입량이 올해 약 18만 장에서 내년 약 25만 장으로 증가할 것으로 예상하고 있다.트렌드포스는 같은 날 AI 서버 수요가 지속되고 있으며, HBM과 범용 DRAM이 여전히 제한된 첨단 공정 생산능력을 공유할 것이라고 밝혔다. 2027년 저장 공급은 여전히 긴축 상태를 유지할 것이며, 2027년 HBM 가격 전망을 상향 조정하여 혼합 평균 판매가가 전년 대비 121% 상승할 것으로 예상하고 있다. 공급이 제한되고 시스템 비용 상승의 영향을 받아, 8층 HBM은 2027년 여러 제조업체가 우선 평가할 솔루션이 될 것으로 예상되며, 그 가격은 12층 제품보다 약 10%에서 20% 더 높을 것으로 보인다.

IBM은 디지털 자산 관리 플랫폼 IBM Digital Asset Haven의 고객이 이제 라이선스 기반 블록체인 네트워크에 연결할 수 있다고 발표했습니다. 여기에는 Swift의 블록체인 기반 공유 원장이 포함됩니다. 새로운 테스트 버전 ISO 20022 메시지 어댑터는 금융 기관이 해당 원장을 통해 표준 결제 메시지를 사용하여 토큰화된 예치 거래를 시작할 수 있도록 합니다. IBM은 Swift 관련 프로그램에 참여하는 금융 기관들이 Digital Asset Haven을 사용하여 해당 원장에서 토큰화된 예치를 테스트했다고 밝혔습니다. 이 원장은 은행이 발행한 토큰화된 예치를 지원하여 참여하는 IBM 고객이 24시간 디지털 자산을 전송할 수 있게 하며, 최종 결제는 기존 시스템을 통해 이루어집니다.Swift는 Sibos 2025에서 이 원장을 처음 발표했으며, Consensys와 협력하여 개발한 프로토타입을 기반으로 하고 있습니다. 40개 이상의 금융 기관이 설계에 참여했으며, 그 중 17개는 토큰화된 예치 파일럿에 참여하고 있습니다. Swift는 현재 전 세계 200개 이상의 시장에서 12,500개 이상의 금융 기관과 연결되어 있습니다. 위의 메시지 어댑터는 은행이 기존 결제 메시지 형식과 운영 프로세스를 그대로 유지하면서 블록체인 전용 워크플로를 채택할 필요가 없도록 합니다.IBM은 또한 Digital Asset Haven을 로컬 배포 테스트 버전으로 확장했습니다. 이 버전은 고객의 데이터 센터에 설치할 수 있는 IBM Z 및 IBM LinuxONE에서 안정적인 코인, 토큰화된 예치 등 디지털 자산을 관리하는 데 사용되며, 공용 클라우드 인프라에 의존할 필요가 없습니다. IBM은 플랫폼 및 키 관리 계층이 고객의 환경 내에 완전히 보존되며, 키는 IBM Crypto Express 하드웨어 보안 모듈에 의해 보호된다고 밝혔습니다.

BidClub 팟캐스트 제 166회에서, 칩 설계자 Bubble boi는 고대역폭 플래시가 기술적으로 매력적이지만 결정적인 데이터 센터 사용 사례가 부족하다고 언급했습니다. 그가 제공한 정보에 따르면, 들은 주요 고객은 고급 HBM을 얻거나 생산하기 어려운 중국 고객입니다.Bubble boi는 HBF와 고급 AI 플래시의 지연 시간이 약 5 마이크로초이며, 대역폭은 HBM보다 낮고, 단위 비트 비용은 더 낮지만 총 비용은 상당할 수 있다고 말했습니다. 그는 가장 명확한 고객은 HBM을 얻지 못하는 주체라고 생각하며, 이는 그가 두세 사람에게서 들은 중국의 수요와 일치합니다. 왜냐하면 그들은 가속기를 충분히 제조할 수 없거나 비선도 사양 제품을 수용할 의향이 있기 때문입니다.

머니 투데이에 따르면 9월 21일, 삼성전자는 HBM 시장 성장에 따라 웨이퍼 파운드리의 고급 공정 생산 능력 확장을 추진하고 있으며, HBM4 기판 칩 수요 증가에 대응하기 위해 4나노 공정 확대를 평가하고 있습니다. 삼성 HBM4는 10나노급 6세대(1c) DRAM 핵심 칩과 4나노 논리 기판 칩으로 구성되어 있으며, 기판 칩은 GPU와 같은 AI 가속기와 고속으로 데이터를 교환하는 역할을 합니다.SK 하이닉스가 TSMC의 12나노를 사용하는 것과 달리, 삼성은 HBM4 기판 칩에 자사의 4나노 공정을 사용하고 있습니다. 해당 생산 라인은 풀가동 중이며 엔비디아 Groq 3 LPU 등의 주문을 수주했습니다. 회사는 최근 4나노 신규 주문 및 HBM4 기판 칩 가격을 인상했습니다. 삼성은 3분기 HBM4 매출이 전분기 대비 3배 이상 증가할 것으로 예상하며, 하반기 HBM 매출 중 HBM4 비중이 60%를 훨씬 초과할 것이라고 밝혔습니다. 평택 P4 추가 확산의 대부분은 HBM용 1c DRAM에 사용될 것이며, 웨이퍼 파운드리 4나노 생산 능력의 절반 이상이 HBM4 기판 칩에 배정되었습니다.HBM4E 역시 4나노 기판 칩을 사용하며, 삼성은 5월 고객에게 샘플을 제공했습니다. 회사는 HBM5를 위한 2나노 신규 생산 라인 구축을 평가하고 있으며, 목표는 GAA 구조의 2나노 공정을 통해 TSV 밀도를 높여 HBM4E보다 50% 이상의 속도 향상을 이루는 것입니다. 삼성은 지난해 하반기에 2나노 1세대 양산을 시작했으며, 올해 하반기에 2세대 제품을 추진할 예정입니다. 씨티는 내년 전 세계 HBM 비트 수요가 752억 Gb에 이를 것으로 예상하며, 이는 전년 대비 62% 증가한 수치입니다. 공급은 약 594억 Gb로, 부족분은 약 21%에 이를 것으로 보입니다.

서울경제 보도에 따르면, 삼성전자는 내년에 제6세대 고대역폭 메모리 HBM4와 제7세대 HBM4E 등 HBM4 시리즈의 생산량을 올해보다 최소 두 배 이상 확대할 계획이다. 이 회사는 HBM용 DRAM 얇은 가공에 필요한 유리 기판 외주 세척량을 올해 매월 2만 장에서 내년 매월 5만 장으로 늘릴 예정이며, 이는 올해보다 2.5배 증가하는 것이다. 지난해 이 기판의 월 수요는 약 1만 장이었고, 올해는 지난해의 두 배로 증가했다.삼성전자가 집중적으로 확장하는 HBM4와 HBM4E는 12층 이상의 고적층 제품이 주를 이룬다. 이 회사는 올해 2월 제6세대 10나노급(1c) DRAM과 4나노 공정 기반 칩을 사용하는 HBM4의 양산을 시작했으며, 5월에는 엔비디아 등 고객에게 HBM4E 12층 샘플을 제공했다. 업계에서는 월 평균 웨이퍼 투입량 기준으로 삼성전자의 HBM 생산능력이 올해 약 18만 장에서 내년 약 25만 장으로 증가할 것으로 예상하며, 증가폭은 거의 40%에 달할 것으로 보인다; HBM4 시리즈 출하 비율은 올해 약 40%에서 내년 약 80%로 상승할 것으로 예상된다.

KB 증권은 9월 11일 보고서에서 삼성전자의 HBM 시장 점유율이 2분기의 33%에서 4분기의 40%로 증가할 것으로 예상된다고 밝혔습니다. 이는 주로 HBM4의 3분기 판매량이 전분기 대비 3배 이상 증가한 덕분이며, 하반기 HBM4가 HBM 총 판매액의 60% 이상을 차지할 것으로 보입니다.삼성전자는 HBM4의 전면적인 양산을 확립하고, 핵심 고객에게 HBM4E 샘플을 공급하며, 1c 코어 다이와 2나노 기반 다이의 HBM5 아키텍처 및 차세대 ZHBM 로드맵을 채택했습니다. 위탁 생산 사업 부문에서는 4나노 수율이 80% 이상으로 안정화되었고, 2나노 GAA 수율이 빠르게 70% 이상으로 향상되었습니다. KB 증권의 분석가 김동원은 위탁 생산 사업이 3분기부터 흑자로 전환될 것으로 예상하며, 2나노 수율이 연내에 미국 대고객 주문을 확보하는 데 기여할 것이라고 밝혔습니다.

로이터 통신에 따르면 9월 10일 독점 보도에서 중국 AI 칩 제조업체들이 고대역폭 메모리 부족으로 인해 가격을 대폭 인상했다고 전했습니다. 화웨이는 승통 950DT 가속 카드의 가격을 25만 위안 이상으로 조정했으며, 이는 두 달 전 가격보다 20%에서 50% 상승한 것입니다. 한무기 또한 계획 중인 690 칩의 가격을 20%에서 30% 인상했으며, 목희와 천수지 칩도 유사한 가격 인상이 있었습니다.보도에 따르면, 그 이유는 미국의 수출 통제와 회색 시장의 고대역폭 메모리 공급이 비용을 증가시켰기 때문입니다. 화웨이는 이전 제품인 승통 950PR과 910C의 가격도 약 30% 상승했습니다. 이러한 가격 인상은 중국 AI 연산력 구축 비용을 증가시켰습니다. 화웨이, 한무기 등 회사들은 이에 대해 언급하지 않았습니다.

업계 소식에 따르면, 엔비디아는 차세대 루빈 울트라 인공지능 가속기의 고대역폭 메모리 솔루션을 12층 스택에서 8층으로 조정하는 것을 고려하고 있습니다.저장 비용 상승 배경 속에서, 엔비디아는 단위 대역폭 비용 및 전체 시스템 경제성을 더욱 중요시하고 있습니다.

중국 최대 DRAM 제조업체인 장신 저장(CXMT)이 4세대 고대역폭 메모리 HBM3 시험 생산을 시작했으며, 초기 수율은 25%로 양산 황금 수율인 80%의 약 3분의 1에 불과합니다. SK 하이닉스는 2022년부터 유사 제품을 양산하고 있으며, 수율은 90%를 초과합니다.장신 저장 HBM3 8층 적층 제품의 전공정 수율은 약 30%, 후공정 수율은 약 70%로 최종 양품이 됩니다. 회사는 소량 샘플을 알리바바 평두거, 한무기 등 중국 기업에 공급하고 있으며, 수율 개선을 지속하고 있습니다. 그들의 G4(17nm급) 공정 일반 DRAM에는 큰 문제가 없지만, HBM용 DRAM 칩 면적이 더 크고 전기 사양이 더 엄격합니다.업계는 원인을 실리콘 관통 TSV 기술의 성숙도 부족으로 지적하고 있습니다. Nomad Semi 분석에 따르면, 삼성 HBM2는 칩당 TSV가 5000개를 초과하고, SK 하이닉스 HBM3는 8000개를 초과하며, 장신 저장은 약 3000개입니다. 삼성, SK 하이닉스와는 4~5년의 격차가 있습니다.

삼성전자 웨이퍼 파운드리 사업부는 4 나노 공정에서, 여섯 번째 고대역폭 메모리 HBM4용 기판 칩의 양산 비중이 최근 50%를 돌파했다고 전했습니다. 업계에서는 이 사업부가 올해 하반기에 4 나노 웨이퍼의 절반 이상을 HBM4 기판 칩 제조에 투입할 것이라고 언급하며, 엔비디아, 브로드컴, AMD 등으로의 공급 확대에 맞춰 진행될 것이라고 합니다.삼성은 올해 2월 HBM4 양산 출하를 선도적으로 시작했으며, 3분기부터 공급량을 확대할 계획이고, 연중반부터 관련 웨이퍼 투입을 크게 늘릴 예정입니다. 이 칩은 삼성 웨이퍼 파운드리 4 나노(SF4) 공정에 기반하고 있습니다. 지난달 기준으로, 전체 4 나노 생산능력의 50% 이상이 HBM4 기판 칩에 할당되었습니다. 관계자에 따르면, 삼성의 4 나노는 현재 풀가동 중이며, HBM4 기판 칩의 비중은 약 50%에서 60%에 달하고, 하반기에도 높은 비중을 유지할 것이라고 합니다.삼성은 평택 2공장과 3공장에서 4~7 나노급 공정을 양산하고 있으며, 4 나노 생산능력은 월 약 3만 장으로 추정됩니다. 이를 바탕으로 HBM4 기판 칩 관련 웨이퍼 투입은 월 약 1.5만 장에 이를 것으로 보입니다. 삼성은 2분기 실적 전화 회의에서 3분기 HBM4 매출이 전분기 대비 3배 이상 확대될 것으로 예상하며, 하반기 HBM4 매출이 회사 전체 HBM 매출의 60%를 초과할 것이라고 밝혔습니다.

미래 자산 증권 분석가 김영건은 삼성전자의 AI 응용을 위한 HBM 출하량의 확장이 내년 일반 저장 칩 성장 둔화의 영향을 상쇄할 것으로 예상한다고 밝혔습니다. 삼성전자의 2027년 HBM 출하 용량과 평균 판매가는 각각 57%와 49% 급증할 것으로 예상되며, 일반 저장 칩의 예상 성장률인 16%와 20%를 초과할 것으로 보입니다.미래 자산은 삼성의 수익이 원화 강세의 영향을 받을 것으로 예상하지만, 전반적으로 여전히 견조할 것이라고 밝혔습니다. 이 기관은 삼성의 2026년 영업 이익 예측을 5.7% 하향 조정하여 370.057 조 원으로, 2027년에는 4.2% 하향 조정하여 535.682 조 원으로 조정했습니다.

이더리움 재단 회사 Bitmine의 회장 Tom Lee가 X 플랫폼에 글을 올리며, 3분기 기준으로 Russell 1000 지수 상승률 상위 주식 중 약 20%가 암호화폐 관련 주식이라고 밝혔다. 그 중, BMNR은 3분기 이후 99% 상승하여 4위, MSTR은 67% 상승하여 12위, CRCL은 65% 상승하여 14위, BLSH는 55% 상승하여 21위를 기록했다.Tom Lee는 3분기 종료까지 한 달밖에 남지 않았으며, 이러한 강력한 성과를 보이는 암호화폐 주식들이 투자자들이 다음에 추구할 대상이 될 수 있다고 덧붙였다.

전자 뉴스에 따르면 9월 3일, 마이크론은 고대역폭 메모리 HBM 생산 능력을 지난해보다 두 배로 늘릴 계획이며, 올해 연말까지 최대 월 6만 장의 웨이퍼를 추가할 예정이다. 관계자에 따르면, 지난해 마이크론 HBM 생산량은 월 4만에서 5만 장 정도였으며, 연말에는 약 월 10만 장 규모에 이를 것으로 예상되어 삼성전자, SK 하이닉스와의 격차를 줄일 수 있을 것으로 보인다.마이크론은 여러 HBM 장비 공급업체에 대한 구매 주문을 늘리고 있으며, 생산 기지는 주로 대만과 싱가포르의 웨이퍼 공장에 위치하고 있다. 현재 생산량은 HBM3E 12층이 주를 이루고 있으며, 올해 초 HBM4 12층 비율은 약 20%에서 30%였고, 연말에는 최대 50%로 증가할 것으로 예상된다. HBM4 12층은 엔비디아의 최신 AI 가속기 베라 루빈에 사용될 예정이며, 마이크론은 올해 2분기부터 해당 제품의 양산을 시작했다.마이크론 CEO 메흐로트라(Mehrotra)는 올해 6월 2026 회계연도 3분기 실적 발표에서 HBM4 12층의 양산 속도가 HBM3E 12층의 약 두 배에 달한다고 밝혔다. HBM4 누적 출하 수익은 이미 10억 달러를 초과했다. 업계에서는 삼성과 SK 하이닉스 각각의 HBM 생산 능력이 월 15만에서 20만 장 정도로 추정하고 있다. Counterpoint 데이터에 따르면, 올해 2분기 전 세계 HBM 시장 점유율은 SK 하이닉스 50%, 삼성 32%, 마이크론 18%로 나타났다. 마이크론은 일본 히로시마에서 관련 투자를 준비하고 있다.

자료 산업 소식통에 따르면 9월 2일, TSMC는 고대역폭 메모리 HBM과 AI 가속기의 고급 패키징을 연결하기 위해 단기적으로 전통적인 마이크로 범프 기술을 계속 사용할 것으로 예상하고 있습니다. 관련 소재 개발 주기를 고려할 때, 더 세밀한 간격의 마이크로 범프는 HBM4 후반 및 HBM5 초반까지 계속 사용될 것으로 보입니다. TSMC는 소재 및 장비 파트너에게 약 5 마이크로미터 수준의 범프 결합 및 바닥 채움 솔루션을 개발하도록 요청했으며, 한국과 일본 공급업체는 개발을 시작했으며, 5μm 수준의 범프 양산은 2028년 하반기부터 시작될 것으로 예상됩니다.현재 제3세대 확장 HBM인 HBM3E의 범프 높이는 약 15--25μm이며, HBM4는 약 10μm에 가깝습니다. 일본 소재 공급업체는 이전에 15μm 이하 품질을 보장하기 어렵다고 밝혔습니다. 범프를 줄이고 세분화하는 이유는 HBM 큐브 높이 제한 및 더 높은 상호 연결 밀도 요구 때문입니다. JEDEC는 HBM 스택의 최대 높이를 775μm로 규정하고 있습니다. TSMC의 고급 CoWoS 패키징에서 GPU와 메모리 공급업체가 조립한 HBM 스택은 마이크로 범프를 통해 실리콘 중간층에 장착되며, 16층 DRAM 칩 스택은 SK hynix와 삼성전자 등이 HBM 패키징 내에서 완료합니다.1세대 및 2세대 HBM은 더 큰 솔더 범프를 사용했으며, 마이크로 범프는 HBM3 세대에서 주류가 되었습니다. SK hynix는 MR-MUF 공정을 사용하고, 삼성전자는 TC-NCF를 사용합니다. 혼합 결합은 직접 결합된 구리 패드를 통해 더 얇고 밀접한 상호 연결을 실현할 수 있으며, TSMC는 SoIC 플랫폼에서 논리 칩 스택에 사용하고 있지만 HBM은 여전히 마이크로 범프를 통해 중간층에 연결됩니다.

한국 언론 보도에 따르면, 삼성전자는 엔비디아(NVDA.O)의 요청에 따라 8층 제7세대 고대역폭 메모리(HBM4E)를 개발하고 있으며, 원래 계획된 12층, 16층 안보다 스택 높이를 상당히 낮추었습니다. 엔비디아가 제시한 속도 사양은 17-18Gbps로, 삼성 초기 HBM4E 14.4Gbps 샘플 속도보다 약 20% 높습니다. 이 제품은 NVHBM에 사용될 것으로 보도되고 있습니다.

Citrini 분석가 Jukan에 따르면, SK 하이닉스는 다중화된 고대역폭 메모리(HBM)에 사용되는 기판 칩의 위탁 생산업체 공급업체를 다각화하고 있다. 이러한 HBM은 여러 개의 메모리 칩을 수직으로 쌓아 구성된다. 보도에 따르면, 이 회사는 7세대 HBM인 HBM4E의 일부 기판 칩 생산을 인텔 위탁 생산업체에 아웃소싱하는 방안을 고려하고 있다. 현재까지 SK 하이닉스는 기판 칩 생산을 전적으로 TSMC에 의존해왔다.이 조치는 공급망의 TSMC 집중도를 줄이고 SK 하이닉스의 가격 협상력을 강화하기 위한 다중 공급업체 위탁 전략 구축 노력으로 간주된다. 업계 소식통에 따르면 8월 31일 SK 하이닉스는 HBM4E의 기판 칩이 TSMC와 인텔이 공동으로 제조할 가능성이 있으며, 가장 빠르면 HBM4E 세대부터 시작될 수 있는 계획을 추진하고 있다.시장에서는 HBM4E의 기판 칩 비용 부담이 더욱 증가할 것으로 예상하고 있다. HBM 제품은 주로 장기 공급 계약(LTA)에 의해 커버되기 때문에, SK 하이닉스는 즉시 제품 가격을 인상하여 더 높은 위탁 생산 비용을 고객에게 전가하기 어려운 상황이다. 따라서 업계 관찰자들은 인텔이 결국 SK 하이닉스의 기판 칩 공급망에 합류하게 된다면, 이 회사는 비용 경쟁력과 공급 안정성 측면에서 더 많은 선택권을 갖게 될 것이라고 보고 있다.

SemiAnalysis는 최신 에피소드를 발표했으며, 여기서 SK 하이닉스와 마이크론이 최고 HBM4 속도를 달성하는 데 어려움을 겪고 있다고 지적했습니다. 특히 SK 하이닉스는 기본 칩을 재설계해야 했으며, 이로 인해 HBM4가 NVIDIA Rubin 플랫폼에 공급되는 일정이 지연되었습니다.삼성은 현재 최고의 HBM4 기술을 보유하고 있습니다. 브로드컴은 전통적으로 삼성에 HBM 공급을 크게 의존하고 있습니다. 삼성은 HBM3E 세대에서 성과가 좋지 않아 브로드컴의 ASIC에 불리한 상황이었습니다. 그러나 현재 삼성은 HBM4를 통해 경쟁업체들보다 앞서 있으며, 이러한 동일한 공급망 관계는 할라피뇨의 강점이 되었습니다.

서울경제 보도에 따르면, 삼성전자는 엔비디아의 요구에 맞춘 HBM4E(7세대) 8층 제품을 개발하고 있으며, 이를 통해 맞춤형 고대역폭 메모리 NVHBM 공급의 핵심 파트너 자리를 차지할 계획이다. 이 제품은 원래 계획된 12층, 16층보다 스택 높이를 줄였으며, 엔비디아가 제시한 속도 사양은 17-18Gbps로, 삼성의 초기 HBM4E 샘플 속도(14.4Gbps)보다 약 20% 높다. 이 제품은 엔비디아가 공개한 NVLink 최적화 사양의 NVHBM에 사용될 예정이다.8층 구조를 채택함으로써 이전의 스택 층수를 늘려 용량을 증가시키는 HBM 경쟁 논리와는 반대로 후공정 난이도와 수율 압박을 줄일 수 있어 공급 확대에 유리하며, 이는 엔비디아가 메모리 부족 문제를 완화하기 위한 전략으로 여겨진다. NVHBM은 내년 출시 예정인 차세대 AI GPU "Rubin Ultra"부터 적용될 것으로 예상되며, 이 GPU는 GPU 간 연결 규모를 72개에서 최대 576개로 확장하고, 더 빠른 HBM을 탑재한 수백 개의 GPU가 협력하여 전체 연산 능력을 향상시킬 것이다.맞춤형 HBM 시장에서 삼성은 SK 하이닉스와 마이크론보다 더 경쟁력이 있으며, NVHBM은 DRAM과 로직 칩 기반의 기본 칩 설계 생산 능력이 필요하기 때문에 삼성은 통합적으로 대응할 수 있다. 업계 관계자는 삼성은 HBM4에서 업계 최고 수준의 속도를 검증했으며, 속도 경쟁에서 우위를 점할 수 있을 것이라고 전했다.