ram

재무연구소에 따르면, 현지 시간 9월 29일 보도에 따르면, 삼성전자 부사장 김태우는 내년 HBM이 DRAM 제조업체의 웨이퍼 총 생산능력의 거의 30%를 차지할 것으로 예상하며, 현재 이 비율은 약 20%라고 밝혔다. 그는 HBM과 전통적인 DRAM이 동일한 웨이퍼 생산능력을 두고 경쟁하고 있으며, HBM 생산 확대가 전통적인 DRAM 공급을 압박할 수 있다고 언급했다.트렌드포스는 이전에 2027년 말까지 세계 3대 HBM 공급업체의 HBM 웨이퍼 투입량이 DRAM 웨이퍼 총 투입량의 약 30%를 차지할 것으로 예상했지만, 저장 용량 기준으로는 약 13%의 DRAM 총 공급량에 기여할 수 있다고 밝혔다. 또 다른 보도에 따르면, 삼성은 올해 2월부터 HBM4의 양산 출하를 시작했으며, 5월에는 엔비디아를 포함한 고객에게 12층 HBM4E 샘플을 제공했다. 업계에서는 삼성 HBM의 월 평균 웨이퍼 투입량이 올해 약 18만 장에서 내년 약 25만 장으로 증가할 것으로 예상하고 있다.트렌드포스는 같은 날 AI 서버 수요가 지속되고 있으며, HBM과 범용 DRAM이 여전히 제한된 첨단 공정 생산능력을 공유할 것이라고 밝혔다. 2027년 저장 공급은 여전히 긴축 상태를 유지할 것이며, 2027년 HBM 가격 전망을 상향 조정하여 혼합 평균 판매가가 전년 대비 121% 상승할 것으로 예상하고 있다. 공급이 제한되고 시스템 비용 상승의 영향을 받아, 8층 HBM은 2027년 여러 제조업체가 우선 평가할 솔루션이 될 것으로 예상되며, 그 가격은 12층 제품보다 약 10%에서 20% 더 높을 것으로 보인다.

반도체 분석 기관 Kernel Insight: 인공지능 수요가 DRAM 가격을 역사적 고수준으로 유지하고 있으며, 최신 공정 DRAM의 단위 면적 판매 가치는 TSMC N2, N3 웨이퍼 가격을 초과했습니다. 이 기관은 TSMC 300mm N3 웨이퍼 가격을 2만 달러, N2는 3만 달러로 추정하며, 명목 가격은 각각 약 1제곱밀리미터당 0.283달러와 0.424달러로, 엣지 손실, 절단 손실 및 수율과 결함은 포함되지 않았습니다.Gb당 1.50달러 및 세대 비트 밀도를 기준으로 계산할 때, 1y DRAM은 제곱밀리미터당 0.329달러, 1z는 0.410달러, 1b는 0.654달러로 N2보다 50% 이상 높습니다. 10나노급 공정은 1y, 1z, 1a, 1b 순서로 점진적으로 미세화됩니다. 위의 각 Gb 가격은 현물에 근접할 것으로 가정하며, DRAMeXchange 데이터에 따르면 9월 21일 16Gb DDR5 eTT 칩의 평균 거래가는 24.80달러로, 약 Gb당 1.55달러에 해당합니다.비교 기준에 차이가 있습니다. TSMC의 숫자는 고객이 지불하는 웨이퍼 파운드리 가격이며, DRAM 숫자는 완제품 판매의 총 판매 잠재력으로, 고급 패키징 비용은 포함되지 않았습니다; TSMC의 실제 공급가는 주문량 및 계약에 따라 변동합니다. DRAM 지표는 소액 현물 가격을 기준으로 하며, 삼성전자, SK 하이닉스, 마이크론의 수익 주체의 장기 계약 가격과는 다릅니다. 비공식 고정 거래 가격이 최근 강세를 보이고 있으며, 아직 현물 가격에 완전히 반영되지 않았다면, 메모리 제조업체의 웨이퍼 단위 가격의 선행 폭이 더 클 수 있습니다.

ZDNet Korea에 따르면, 삼성전자는 차세대 DRAM 전략을 조정하여 이전에 프로젝트 형태로 개발된 B1b를 공식 로드맵에 포함시키고, 이를 첫 번째 10nm 이하 DRAM D0a로 명명했습니다. 이전에 D0a는 수직 트랜지스터 DRAM을 지칭했으나, 현재 이 제품은 D0a-V로 별도로 분류됩니다. 이번 이름 변경은 범용 DRAM에서 고급 패키지를 도입하는 속도를 높이기 위한 것입니다.B1b는 저장 셀과 주변 구동 회로를 각각 다른 웨이퍼에서 제조한 후 결합하며, 웨이퍼 대 웨이퍼 혼합 결합을 사용하여 구리 상호 연결을 통해 직접 연결합니다. 현재 상용화된 DRAM은 1c로, 6세대 10nm급, 선폭 약 11~12nm입니다; 차세대 1d는 7세대 10nm급, 선폭 약 10~11nm로, 사실상 마지막 10nm급 제품으로 간주됩니다. 관련 선폭은 마케팅 용어일 뿐 실제 물리적 크기는 아닙니다. 수직 트랜지스터는 셀 내 트랜지스터를 수직으로 배치하여 셀 면적을 6F²에서 4F²로 줄일 수 있지만, 높은 깊이 폭 비율 에칭과 누설 전류에 대응해야 하므로 개발 난이도가 높습니다. 웨이퍼 대 웨이퍼 혼합 결합은 CMOS 이미지 센서와 고적층 NAND에서 양산 적용되고 있습니다.삼성전자는 B1b를 8세대 고대역폭 메모리 HBM5에 사용할 가능성을 평가하고 있습니다. HBM5는 약 2029년에 양산될 것으로 예상되며, HBM4E보다 50% 이상의 속도 향상을 목표로 하고 있습니다. 업계에서는 B1b 기반의 D0a DRAM이 가장 빠르면 약 2년 후 상용화될 것으로 추정하고 있으며, 구체적인 양산 투자 일정은 내년 중반에 확정될 예정입니다.

피델리티 투자 글로벌 매크로 디렉터인 주리엔 티머는 X 플랫폼에서 AI 분야의 거래가 3개월 이상 "죽은 자금" 상태에 있다고 밝혔습니다. 그가 추적하는 토큰 지출과 GPU 임대 요금은 모두 동일하거나 감소하고 있으며, 오직 메모리(DRAM) 가격만 지속적으로 상승하고 있습니다.티머는 AI가 장기적으로 삶을 변화시킬 것이며, 생산성의 기적을 발휘할 수 있어 경제의 비인플레이션 속도 한계를 글로벌 부채의 지속 가능성을 유지할 수 있는 수준으로 높일 수 있다고 생각합니다. 그러나 그 이전에 현재의 구축은 인플레이션적이며, 수조 달러 규모의 컴퓨팅 투자에 대한 수익은 아직 불확실하며, 기업의 자본 및 부채 수요는 3.3조 달러의 속도로 증가하고 있습니다.

디지털 자산에 따르면, 글로벌 결제 회사 Stripe는 React Native SDK 0.75.0 버전에서 암호 자산 법정 화폐 구매 서비스인 Crypto Onramp에 Android 단 Samsung Pay 지원을 추가하여 결제 구성, 가용성 검사, 결제 방법 수집 및 통합 예제를 포함했습니다.React Native로 개발된 Android 애플리케이션은 Samsung Pay에 접속할 수 있어 사용자가 이 결제 방법을 통해 법정 화폐로 암호 자산을 구매할 수 있습니다. 이전에 이 서비스는 신용 카드, 직불 카드, Apple Pay, Google Pay 및 ACH 은행 송금 등의 결제 방법을 지원했습니다.

TechPowerUp에 따르면, 중국 DRAM 제조업체인 장신 저장(CXMT)은 2026년 말까지 DRAM 웨이퍼 월 생산능력이 약 35만 장에 이를 것으로 예상하고 있으며, 마이크론은 같은 기간 동안 약 37.5만 장을 예상하고 있습니다. 장신 저장의 클린룸 건설 주기는 약 12개월로, 업계 일반적인 21개월에서 24개월보다 짧습니다.미국의 제재로 EUV를 확보할 수 없는 장신 저장은 구형 DUV 노광 및 다중 패터닝 기술을 사용하고 있습니다. 이 회사는 이미 16 Gb DDR5 칩을 출하하기 시작했으며, 속도는 8000 MT/s, 칩 면적은 67 mm², 밀도는 0.239 Gb/mm²로, G4 셀은 G3보다 20% 작습니다. 24 Gb 모듈은 약 6000 MT/s로 양산되고 있으며, LPDDR5X-10667 모듈(12 Gb 및 16 Gb)도 양산되었습니다. 중국 정부는 장신 저장이 JHICC, Swaysure 및 장강 저장 자회사 XMC와 같은 국내 업체로 DRAM IP를 이전하도록 장려하고 있습니다.

HIP-3 시장 배포자 Entropy는 500 HYPE(약 38,950 달러)를 사용하여 코드 DRAM을 구매하였으며, io:DRAM 영구 계약 거래를 시작할 예정입니다.이전에 Trade.xyz는 xyz:DRAM 영구 계약 거래를 배포하였습니다. DRAM은 Roundhill Memory ETF(DRAM)로, 세계 최초의 순수 메모리 테마 ETF입니다.

The Block에 따르면, 글로벌 결제 회사 MoneyGram이 콜롬비아에서 첫 번째 스테이블코인 Visa 카드를 출시했으며, 이는 스테이블코인 결제 인프라 회사 Rain의 도움으로 개발되었습니다.현재 이 카드는 디지털 형태로 제공되며, 사용자는 MoneyGram 앱 내에서 미국 달러 스테이블코인 잔액을 보유하고 Visa 네트워크를 통해 온라인 및 오프라인 결제를 할 수 있으며, 잔액을 현지 현금으로 환전하고 MoneyGram 지점에서 인출할 수 있습니다.이 카드는 초기에는 USDC를 지원하며, MoneyGram은 곧 자사 스테이블코인 MGUSD를 추가할 계획입니다. 회사는 2026년 말까지 실물 카드를 출시하고, 라틴 아메리카의 다른 시장으로 사업을 확장할 계획입니다.

기업 지출 관리 플랫폼 Ramp의 수석 경제학자 Ara Kharazian이 9월 9일 2026년 9월 Ramp AI 지수를 발표했습니다. 이 지수는 Ramp 지출 데이터를 기반으로 미국 기업의 AI 사용 현황을 추적합니다. 8월, Anthropic은 구독 또는 토큰을 지불하는 미국 기업 중에서 43.8%의 점유율을 기록하며, 전월 대비 0.34%포인트 상승했습니다. OpenAI는 39.8%로, 전월 대비 0.09%포인트 상승했습니다. 전체 AI 채택은 여전히 증가하고 있지만, 증가 속도는 둔화되고 있으며, 정보, 금융 및 전문 서비스와 같은 기술 산업이 선도하고 있습니다.상위 1% 기업의 인당 월 평균 AI 지출 중위수는 9.7% 감소하여 7976달러에서 7205달러로 떨어졌습니다. 백만 토큰당 유효 가격은 2026년 3월의 정점인 1.15달러에서 41% 하락하여 0.68달러가 되었습니다. 더 저렴한 표준 모델이 사용량을 증가시키고 있으며, 최첨단 모델(오푸스, 페이블, 솔)은 토큰 점유율의 45%를 차지하고 있습니다. 오픈 소스 모델의 채택은 여전히 제한적이며, AI 지출 기업의 6.4%, 전체 기업의 3.6%를 차지하고 있습니다.

SK 하이닉스는 9일 차세대 메모리 3D DRAM 반도체 개발에 위탁 생산 공정을 활용할 수 있다고 발표했다. 전날, 이 회사는 이천 공원 Supex 센터에서 열린 2026 SK 하이닉스 미래 포럼에서 부사장 김경훈과 손호영이 3D DRAM의 주요 기술 방향을 제시했으며, 여기에는 DRAM 주변 회로의 로직 위탁 공정 채택, 데이터 버스 대역폭 최대화, 초단거리 전송 등이 포함된다.3D DRAM은 원래 평면으로 배치된 저장 셀을 수직으로 쌓아 집적도를 높이는 차세대 DRAM이다. 두 사람은 이 기술을 실현하기 위해서는 설계 및 발열 문제 외에도 미세 상호 연결, 본딩, 공정 통합 등 패키징 분야의 난제를 함께 해결해야 한다고 밝혔다. 전공정과 후공정 패키징, 위탁 생산과 메모리 기술의 경계가 가까워짐에 따라 기존 분야를 초월한 공동 최적화가 더욱 중요해질 것이다. 손호영은 3D 기술이 웨이퍼 팹과 패키징의 기술 경계를 변화시키고 있으며, 선진 패키징 기술 혁신과 함께 기존 분야를 초월한 최적화 및 새로운 협력 체계를 구축해야 한다고 말했다.같은 주제로 발표한 고려대학교 교수 신창환은 3D DRAM이 단순히 칩의 수직 쌓기가 아니라 메모리와 로직의 경계를 허무는 기술이라고 말했다. 장치 미세화가 한계에 가까워지고 시스템과 메모리 간 데이터 이동으로 인한 시간과 전력 소모가 증가함에 따라 3D 기술로의 전환은 불가피하며, 인공지능을 활용하여 재료, 장치, 패키징, 아키텍처의 3D 통합 설계 프레임워크를 제안했다. SK 하이닉스 회장 곽루는 기조연설에서 과거 메모리 시장이 누가 더 빨리 달리는 직선 도로 같았다면, 지금은 언제나 변화하는 커브 도로와 같으며, 내부 능력 외에도 외부 환경 변화의 속도와 방향을 파악하고 유연하게 적응하는 것이 중요하다고 말했다.

블룸버그 통신에 따르면, 핀테크 스타트업 Ramp가 투자자들과 새로운 자금 조달 라운드에 대해 초기 협상을 진행 중이며, 회사의 가치는 약 600억 달러에 이를 것으로 예상됩니다. 거래가 성사되면 Ramp의 가치는 불과 3개월 만에 이전의 440억 달러에서 약 36% 상승할 것입니다.정보에 정통한 소식통에 따르면, Ramp는 이번에 약 10억 달러의 신규 자금을 조달할 계획이며, 관련 협상은 여전히 진행 중이며 구체적인 조건은 변경될 수 있습니다. Ramp는 논평을 거부했습니다. Ramp는 2019년에 설립되어 주로 기업에 지출 관리, 결제 처리 및 AI 사기 탐지 등의 서비스를 제공합니다. 올해 6월, 회사는 7.5억 달러의 자금 조달을 완료했으며, 현재까지 누적 자금 조달액은 약 30억 달러에 달합니다.

코인데스크에 따르면, 이더리움 핵심 개발자들이 EIP-8141(프레임 거래)를 2027년 헤고타 업그레이드 계획에 포함시켰습니다. 8월 27일의 핵심 개발자 전화 회의에서 이 제안은 "포함 예정"으로 표시되었으며, 이는 네트워크 업데이트의 일부가 될 것임을 의미합니다. 이더리움 공동 창립자 비탈릭 부테린은 제안의 10명 저자 중 한 명으로, 일요일 저녁 X에 게시글을 올리며 프레임이 지난 몇 달 동안 중요한 발전을 이루었다고 밝혔습니다.프레임은 사용자가 지갑에 스테이블코인을 보유하고 있지만 ETH가 부족하여 송금할 수 없는 문제를 해결하는 것을 목표로 합니다. 거래를 승인 검증, 수수료 지불 및 명령 실행과 같은 독립적인 단계로 분리하여 송신자와 지불자 계좌가 동일할 필요가 없게 만듭니다. 예를 들어, 결제 애플리케이션은 수수료를 자체적으로 덮거나 사용자로부터 스테이블코인을 수취한 후 ETH 청구서를 대신 결제할 수 있으며, 이더리움 네트워크는 여전히 ETH로 가격이 책정되고 사용자는 ETH를 구매할 필요가 없습니다. 기존의 제3자 서비스에 의존하는 지갑 솔루션과는 달리, 프레임은 이더리움의 일반 거래 프로세스를 통해 이 기능을 구현합니다.또한, 프레임은 동시에 실행해야 하는 작업을 묶어 처리합니다. 예를 들어, 토큰 거래에서의 승인 및 제출이 이에 해당하며, 거래가 실패할 경우 승인은 철회됩니다. 동시에 계좌는 거래 승인 규칙을 사용자 정의할 수 있어 개인 키를 변경하거나 양자 저항 키를 채택할 수 있으며, 자금을 새 주소로 이전할 필요가 없습니다. 현재 이 규격은 여전히 초안 상태이며, 세부 사항은 헤고타 업그레이드 전에 조정될 수 있으며, 사용자는 아직 프레임을 사용할 수 없습니다.

장신기술이 2026년 반기 실적 설명회를 개최했습니다. 한 투자자가 장신기술의 3분기 DRAM 가격 상황에 대해 문의하자, 회사의 고위 부사장 겸 재무 책임자인 황단양은 2026년 하반기를 전망하며, 전 세계 DRAM 제품 공급 부족 상황이 지속될 것이라고 생각한다고 밝혔습니다.

트렌드포스(TrendForce) 집방 컨설팅의 최신 메모리 산업 연구에 따르면, 2026년 2분기에는 일반형 DRAM(Conventional DRAM) 계약 가격이 크게 상승하여 전체 DRAM 산업 수익이 분기 대비 59.5% 증가하며 약 1,547.3억 달러에 이를 것으로 예상됩니다.LLM 모델 훈련과 AI 추론이 AI 서버 수요를 자극함에 따라 HBM3e, LPDDR5X 및 고용량 RDIMM 출하량이 동반 성장하고 있으며, 에이전틱 AI(Agentic AI) 응용 프로그램이 다양한 용량 사양의 RDIMM 수요를 이끌고 있습니다. 공급 측면에서는 원자재 재고가 바닥을 치고 있으며, 신규 공급은 서버 응용 프로그램을 우선적으로 충족시키고 있어 2분기 전체 DRAM 비트 출하량이 소폭 성장할 것으로 보입니다.

한국일보 9월 7일 보도에 따르면, SK 하이닉스는 10나노급 6세대(1c) DRAM 생산 비율을 높이기 위해 속도를 내고 있다. 업계 데이터에 따르면, 1c DRAM 비율은 올해 1분기 약 10%에서 2분기 약 13%로 증가했으며, 3분기에는 약 24%, 4분기에는 약 34%에 이를 것으로 예상된다. 내년 1분기에는 약 35%로 증가하여 처음으로 1b(약 33%)를 초과하고 주력 공정이 될 것이다. 1b(10나노급 5세대) DRAM 비율은 올해 2분기 약 43%에서 정점을 찍은 후 하락세로 전환되었다.2분기 말, 삼성전자 1c 비율은 약 16%, 마이크론은 약 19%로, SK 하이닉스의 약 13%보다 높았다. 보도에 따르면, SK 하이닉스는 하반기에 전환을 가속화하여 4분기에는 약 34%로 삼성전자 약 31%를 초과할 것으로 보인다. SK 하이닉스는 2분기 실적 전화 회의에서 1c 공정을 적용한 DRAM 공급이 2분기부터 본격적으로 시작되었으며, 하반기에는 HBM4의 양산과 1c 범용 DRAM 출하 증가로 비트 성장률이 상반기보다 높을 것이라고 밝혔다.삼성전자는 HBM4부터 1c DRAM을 채택하여 운영 속도는 약 11.7Gbps이다. SK 하이닉스는 이전에 검증된 1b DRAM과 고급 MR-MUF 패키지를 통해 양산 안정성을 우선 보장했으며, 차세대 HBM4E부터 처음으로 1c DRAM을 HBM 핵심 칩으로 사용할 예정이다. Counterpoint Research 등은 올해 엔비디아, 구글, AMD의 총합 기준으로 HBM4 시장 점유율이 SK 하이닉스 50% 중반, 삼성전자 20% 후반, 마이크론 10% 후반으로 예상하고 있다.

닛케이 중국어 웹사이트 9월 3일 보도에 따르면, 엔비디아의 인공지능 서버 관련 수요가 반도체 메모리 DRAM 가격 상승을 가속화하고 있다. 개인용 컴퓨터 등 장치에 사용되는 범용 DRAM 제품 가격이 전월 대비 5% 상승했으며, 산업 장비를 위한 제품은 두 자릿수 상승을 보였다. 메모리 제조업체는 AI 서버 전용 메모리를 우선 공급하고 있으며, 그 연쇄 효과가 더욱 확산되고 있다.DRAM은 개인용 컴퓨터, 카메라, 스마트폰 외에도 데이터 센터의 AI 서버 등 장치에 탑재되어 데이터 임시 저장 기능을 수행한다. 메모리 제조업체는 판매자로, 장비 제조업체와 모듈 제조업체는 구매자로, 월별 또는 분기별로 대량 거래 가격을 협상하여 결정한다. PC, 게임기, 서버에 사용되는 범용 모델 DDR5의 16Gb 규격 제품 7월 대량 거래 가격이 약 40.2달러로 확정되었으며, 전월 대비 5% 상승했다. 가격은 7개월 연속 상승세를 보였으며, 전자 상사 고위 관계자는 이미 역사적인 최고가를 경신했다고 밝혔다.

한국의 《조선일보》 보도에 따르면, 한국 DRAM 수출 가격이 지속적으로 급등하고 있으며, AI에 의해 구동되는 HBM 생산이 일반 메모리 공급을 압박하고 있습니다. 데이터에 따르면, 이달 1일부터 20일까지 한국 DRAM 수출 단가는 킬로그램당 9.2183만 달러에 달하며, 이는 전년 동기 대비 401% 상승한 것으로, 2023년 1월 저점보다 약 12.5배 상승한 수치입니다.골드만삭스는 DRAM 공급 부족이 올해 5.0%에서 내년 5.9%로 확대될 것으로 예상하며, AI 서버에 필요한 HBM과 대용량 서버 DRAM이 제한된 생산 능력을 흡수하고 있어 일반 DRAM 공급이 더욱 긴축될 것이라고 보고했습니다. 공급 부족은 2028년까지 지속될 가능성이 있습니다. TrendForce는 내년 말까지 삼성, SK 하이닉스, 마이크론이 HBM 생산에 투입하는 웨이퍼 양이 DRAM 총 웨이퍼 투입의 30%를 차지할 것으로 예상하지만, HBM이 실제 DRAM 비트 공급량에서 차지하는 비율은 약 13%에 불과하다고 밝혔습니다.메모리 제조업체들은 AI 수요에 의해 촉발된 DRAM 및 NAND 공급 긴장이 2027년 이후까지 지속될 수 있다고 경고하고 있습니다. SK 하이닉스는 공급 측면에서 2027년이 메모리 산업 역사상 가장 심각한 부족의 해가 될 수 있다고 언급했습니다.

분석에 따르면, 중국 주요 DRAM 제조업체 CXMT의 월별 웨이퍼 생산량은 2025년 말 약 24만 장의 정점에 도달할 것으로 예상되며, 2026년에는 유지될 것으로 보입니다. 미국의 고급 반도체 장비, 특히 EUV 노광기 수출 규제가 강화됨에 따라, 그들의 생산 능력은 제한을 받으며, 실질적인 생산 확대는 가장 이른 시점인 2027년까지 이루어질 수 있으며, 이는 국내 장비 공급망의 진행 상황에 따라 달라질 것입니다. 골드만삭스의 데이터에 따르면, CXMT의 국내 DRAM 수요 커버율은 2026년에 약 41%, 2028년에는 약 50%에 불과하여, 여러 해에 걸쳐 구조적인 병목 현상을 보이고 있습니다.TrendForce 데이터에 따르면, 전통적인 DRAM 계약 가격은 2026년 1분기에는 전분기 대비 90%-95% 급등하고, 2분기에는 58%-63% 다시 상승할 것으로 보입니다. 제프리스는 3분기와 4분기에도 각각 40%-50% 및 30%-40% 상승할 것으로 예상하고 있습니다. 서버 DRAM의 상승폭은 더 가파르며, 삼성과 SK 하이닉스는 마이크로소프트, 구글 등 고객에게 1분기 60%-70%의 가격 인상을 제안했습니다. S&P 글로벌은 삼성의 전통 DRAM의 비트당 수익이 2026년에는 전년 대비 116% 상승하여 0.79달러에 이를 것으로 예상하고 있으며, 마이크론의 ASP는 54% 상승하여 1.06달러에 이를 것으로 보입니다; 번스타인은 SK 하이닉스 DRAM의 총 이익률이 2026년 4분기에는 92.7%에 이를 것으로 예상하고 있습니다.다수의 예측에 따르면, 효과적인 공급 완화는 가장 이른 시점인 2027년 말 또는 2028년까지 이루어질 것으로 보입니다.

8월 21일, 3D 저장 및 계산 통합 칩 기업인 겸합익방이 자사 개발의 세계 최초 4층 3D DRAM 스택 저장 및 계산 통합 칩이 성공적으로 회로를 통과하고 점등되었다고 발표했다. 이는 해당 기술이 검증 단계를 넘어 엔지니어링 실현 단계로 나아갔음을 의미한다. 이 칩은 3차원 통합 원주 계산 아키텍처를 채택하여, 데이터 접근 및 저장 대역폭이 전통적인 솔루션에 비해 한 자릿수 증가하였고, 접근 및 저장 전력 소모, 지연 시간 및 단일 데이터 처리 비용이 모두 한 자릿수 감소하였다.겸합익방은 2024년 1월에 설립되었으며, 넷이즈의 인큐베이션을 받았고, 최근 20억 위안 이상의 B 라운드 자금을 조달하였다.