samsung

Согласно сообщениям корейских СМИ, Samsung Electronics подписала долгосрочное соглашение о поставках памяти на следующий год, охватывающее примерно 75% до 80%, включая высокоскоростную память. Сообщается, что Samsung Electronics завершила большую часть контрактов с основными технологическими компаниями, такими как NVIDIA, Google и Microsoft.SK Hynix и Micron также ускоряют закрепление объемов поставок и подписывают ряд крупных долгосрочных контрактов с основными клиентами. Сообщается, что Samsung Electro-Mechanics близка к подписанию долгосрочного соглашения с тайваньской компанией Delta Electronics на сумму 700 миллиардов вон для поставки многослойных керамических конденсаторов.

IT Дом сообщает, что по данным Money Today от 8 октября, мобильное подразделение Samsung Electronics (MX) планирует сократить производство смартфонов, с максимальным снижением объемов на 30% в четвертом квартале 2026 года. Несколько информированных источников в IT-отрасли сообщили, что подразделение Samsung MX уведомило нескольких партнеров о необходимости сократить объемы поставок продукции на 20% до 30%. IT Дом уточняет, что в оригинале не указано, относится ли это снижение в 30% к предыдущему кварталу, к аналогичному периоду прошлого года или к ранее ожидаемым объемам производства.Что касается объемов производства, то Samsung Electronics изначально планировала произвести до 270 миллионов смартфонов в этом году, полагаясь на новые продукты, такие как Galaxy Z Fold8. После значительного сокращения в четвертом квартале, окончательный объем производства в этом году ожидается на уровне чуть более 200 миллионов единиц, что превышает первоначальные ожидания рынка. Данные IDC показывают, что в первом и втором кварталах этого года объемы поставок смартфонов составили 62,4 миллиона и 62,7 миллиона соответственно, при этом ранее прогнозировалось, что объемы поставок в третьем и четвертом кварталах составят 59 миллионов и 52 миллиона соответственно, что означает снижение в четвертом квартале примерно на 12% по сравнению с третьим кварталом.Money Today сообщает, что рост цен на память является основной движущей силой сокращения производства. Данные TrendForce показывают, что во втором квартале этого года цена на 12 ГБ низкопотребляющей DRAM (LPDDR5X) для смартфонов составила от 145 до 146 долларов, что на 175% выше, чем в аналогичном периоде прошлого года. В отчете также говорится, что спрос на искусственный интеллект поднимает цены на память, и ожидается, что в третьем квартале цены на DRAM для смартфонов вырастут еще примерно на 20%, достигнув максимума в 180 долларов. Представители IT-отрасли утверждают, что в настоящее время продажи смартфонов Samsung не приносят прибыли, и сокращение производства является стратегией для поддержания общей рентабельности.

Согласно отчету The Block, 7 октября Samsung объявила, что Samsung Wallet и Samsung Pay будут поддерживать переводы USDC на Solana для трансакций через границу, начиная с последней недели октября, охватывая 82 миллиона устройств Galaxy в США. Эта функция встроена в Samsung Wallet и включает в себя каналы для вывода и пополнения фиатной валюты, а не является отдельным крипто-приложением.Пользователи могут отправлять USDC на совместимые внешние кошельки, инфраструктура Solana и Sui работает в фоновом режиме, а основная структура сотрудничает с американским лицензированным хранителем стабильных монет Bastion. Samsung не взимает плату за переводы, однако получающий кошелек или биржа могут взимать плату. Этот кошелек также поддерживает переводы на квалифицированные банковские счета в более чем 60 странах с зачислением в местной валюте получателя.Coinbase будет хранить USDC в Samsung Wallet через Coinbase Prime. Samsung планирует расширить эту услугу на большее количество рынков при соблюдении местных регуляторных требований.

Samsung Electronics America объявила, что Samsung Wallet запустит функцию кошелька со стабильными монетами для соответствующих пользователей Galaxy в США на последней неделе октября, первоначально поддерживая стабильную монету в долларах США USDC, а партнером по блокчейн-инфраструктуре является Sui. Эта функция охватит 82 миллиона устройств Galaxy в США, сначала будет запущена в США, а затем расширится на другие рынки.Безгазовые переводы стабильных монет Sui позволяют осуществлять переводы USDC без сетевых сборов, пользователям не нужно предварительно покупать или держать SUI для завершения транзакций. На начальном этапе USDC является единственным поддерживаемым активом, токены SUI пока не поддерживаются. Руководитель команды цифрового кошелька мобильного бизнес-подразделения Samsung Electronics Вончхоль Чай заявил, что введение переводов USDC в Samsung Wallet позволит соответствующим пользователям Galaxy использовать его без установки других приложений или самостоятельного управления приватными ключами.Нативный USDC будет запущен на Sui в 2024 году, затем будет интегрирован с кросс-чейн протоколом передачи Circle. С августа 2025 года Sui обработал более 1 триллиона долларов США в объемах переводов стабильных монет и продолжает увеличивать инфраструктуру платежей и интеграцию стабильных монет на рынках Африки, Европы, Азии, Латинской Америки и Северной Америки.

Председатель правления и генеральный директор AMD Лиза Су прибыла в офис Samsung Electronics в Ричо, Сеул, 7 октября около 16:44, чтобы встретиться с вице-председателем Чон Ён Хеном, который возглавляет подразделение решений для оборудования, спустя примерно 7 месяцев после последнего визита в Южную Корею. С ней были руководитель группы вычислений и графики AMD Джек Хуин и вице-президент Джозеф Маки. Лиза Су отметила, что стороны обсудят более широкое партнерство и заявила, что у Samsung много партнеров; на вопрос о встрече с Ли Чжэ Ёном она ответила, что не может этого раскрыть.Перед визитом в Samsung Лиза Су присутствовала на Дне игроков AMD в Сеуле, назвав Samsung и SK Hynix основными партнерами по цепочке поставок, и отметила, что из-за растущего спроса на искусственный интеллект планируется долгосрочная цепочка поставок. Она сообщила, что новое поколение MI455 и системы Helios уже начали отгрузку и обе используют HBM4, получив поддержку от двух компаний, и сотрудничество по HBM не ограничится одним поколением. Сообщается, что Instinct MI455X оснащен 432 ГБ HBM4, что на 50% больше, чем у предыдущего поколения MI355X с 288 ГБ HBM3E. Она отметила, что поставки памяти очень ограничены, и ведет переговоры с клиентами по оптимизации использования и просит партнеров увеличить производство. TrendForce 29 числа прошлого месяца прогнозировал, что HBM и обычная DRAM используют ограниченные мощности передовых технологий, и нехватка поставок может продолжаться до следующего года.Сообщается, что стороны подписали меморандум о взаимопонимании в марте этого года, сосредоточенный на поставках HBM4 и следующего поколения DDR5, назначив Samsung основным поставщиком HBM4 для MI455X и обсудив возможность производства следующих продуктов AMD на заводах Samsung. Чон Ён Хен тогда заявил, что Samsung может одновременно предоставить память, услуги по производству и упаковке.

Компания Samsung Electronics опубликовала предварительные результаты за третий квартал, операционная прибыль по сравнению с аналогичным периодом прошлого года выросла на 783%, а по сравнению с предыдущим кварталом увеличилась на 20,01%, что немного превысило ожидания аналитиков. Резкий рост спроса на искусственный интеллект способствовал увеличению прибыли в бизнесе по производству памяти.Samsung ожидает, что операционная прибыль за третий квартал составит 107,4 триллиона вон (примерно 80,17 миллиарда долларов США), а выручка составит 195 триллионов вон, что на 127% больше по сравнению с прошлым годом.

Компания Samsung Electronics опубликовала предварительные результаты за третий квартал: операционная прибыль составила 107,4 триллиона вон, в то время как рыночные ожидания составляли 106,1 триллиона вон; выручка за третий квартал составила 195 триллионов вон, в то время как рыночные ожидания составляли 199 триллионов вон.

Согласно отчету Корейской экономической газеты, следующая генерация высокоскоростной памяти Samsung Electronics "12-слойная HBM4E" прошла проверку качества от NVIDIA и основных операторов гипермасштабных дата-центров.

Согласно сообщению финансового агентства, ссылаясь на местные СМИ, 29 сентября, вице-президент Samsung Electronics Ким Тэ У: ожидается, что в следующем году HBM займет почти 30% от общего объема производства полупроводниковых пластин производителей DRAM, в настоящее время этот показатель составляет около 20%. Он отметил, что HBM и традиционный DRAM конкурируют за одну и ту же партию производственных мощностей, увеличение производства HBM может сократить предложение традиционного DRAM.TrendForce ранее прогнозировал, что к концу 2027 года три крупнейших поставщика HBM будут вкладывать около 30% в общий объем пластин DRAM, но по объему памяти это сможет составить лишь около 13% от общего предложения DRAM. Кроме того, согласно сообщениям СМИ от 20 сентября, Samsung начала массовое производство HBM4 в феврале этого года и в мае предоставила образцы 12-слойного HBM4E клиентам, включая NVIDIA; в отрасли ожидают, что ежемесячный объем поставок пластин HBM от Samsung вырастет с примерно 180 000 в этом году до около 250 000 в следующем.TrendForce в тот же день заявила, что спрос на серверы AI продолжает расти, HBM и универсальный DRAM по-прежнему будут делить ограниченные производственные мощности передовых технологий, а в 2027 году предложение памяти останется напряженным, и прогноз цен на HBM на 2027 год был повышен, ожидается, что средняя цена вырастет на 121% по сравнению с прошлым годом. Из-за ограниченного предложения и роста системных затрат 8-слойный HBM, как ожидается, станет приоритетным вариантом для многих производителей в 2027 году, его цена за Гб будет на 10% до 20% выше, чем у 12-слойных продуктов.

Согласно отчету южнокорейской газеты «Чунган Ильбо», в заявлении Чжун Сяо, бывшего руководителя по инвестициям в оборудование компании Changxin Memory Technologies (CXMT) и выходца из Samsung Electronics, говорится, что бывший CEO CXMT Ван Ниньго был собран в период с октября по декабрь 2016 года с командой из Кореи, включая Чжун Сяо, и потребовал вернуть информацию о технологическом процессе Samsung Electronics (PRP) и оборудовании, угрожая сообщить правительству Кореи, если информация не будет возвращена, а также предупредив о проверке связей и о том, чтобы не лгать. Чжун Сяо заявил, что в то время он чувствовал страх. В отчете говорится, что руководство CXMT тогда использовало кодовое название «Хуаншань» для Samsung Electronics.Чжун Сяо присоединился к CXMT после 28 лет работы в Samsung Electronics и был обвинен в несанкционированной утечке и использовании технологии 18-нм DRAM, разработанной с инвестициями Samsung в 1,6 трлн вон, и в апреле этого года был приговорен к 7 годам лишения свободы в первой инстанции, в настоящее время дело находится на апелляции. PRP включает последовательность около 600 шагов производства DRAM, оборудование, условия и компании с моделями оборудования. Пак Чжун, инженер по проектированию процессов Samsung, в сентябре 2016 года переписал соответствующую информацию на 12 страницах заметок и вынес их, в настоящее время он находится в статусе красного уведомления Интерпола.Чжун Сяо заявил в суде, что во время общения с китайской стороной звучали слова о том, что если не удастся разработать 18-нм, то инвестиции CXMT не будут предоставлены, и позже он узнал, что с самого начала они хотели эту технологию, а CXMT изначально не планировала самостоятельную разработку. Указанное давление происходило перед подготовкой к встрече для подачи заявки на инвестиции. CXMT была основана в 2016 году с инвестициями в 14,4 млрд юаней от правительства города Хэфэй и около 10 лет не приносила прибыли, в прошлом году впервые получила годовую прибыль в 7,1 млрд юаней.

Согласно отчету The Wall Street Journal, Samsung инвестировала 1 миллиард долларов в компанию Helix Digital, занимающуюся инфраструктурой искусственного интеллекта и поддерживаемую KKR и NVIDIA, что позволит общему объему капитальных обязательств Helix Digital превысить 11 миллиардов долларов.

Генеральный директор NVIDIA Хуан Жэньсюн снова встретится с председателем Samsung Electronics Ли Чжэён и председателем SK Group Чхве Тэён 28 сентября по местному времени в Нью-Йорке, спустя примерно два месяца после их встречи в Сан-Франциско в июле. По информации бизнес-источников от 27 числа, Ли Чжэён и Чхве Тэён планируют присутствовать на ежегодном ужине Корейской ассоциации, который состоится в Нью-Йорке в 6 часов вечера, а Хуан Жэньсюн будет присутствовать в качестве лауреата премии Ван Флита этого года. Samsung Electronics продвигает сотрудничество с NVIDIA.Темы, вызывающие интерес в отрасли, включают высокоскоростную память. Сообщается, что вице-президент подразделения решений для устройств Samsung Electronics Чон Ёнхён встречался с Хуаном Жэньсюном во время его визита в Корею в июне, где стороны обсуждали долгосрочное сотрудничество по следующему поколению высокоскоростной памяти, такой как HBM4E и HBM5. Встреча в Нью-Йорке также может касаться услуг по производству полупроводников и передовой упаковки, а в июньских переговорах также обсуждалось сотрудничество в области следующего поколения производства полупроводников.

Согласно отчету ZDNet Korea от 28 сентября, Samsung Electronics ускоряет строительство первой линии массового производства (Ph1) в пятом парке Пхенчжина (P5) и обсуждает с основными производителями оборудования перенос сроков установки оборудования Ph1 с запланированного на третий квартал следующего года на второй квартал следующего года. P5 является следующей базой по производству полупроводников с целью запуска в 2028 году, строительство чистой комнаты Ph1 началось в третьем квартале этого года.Ранее Samsung Electronics перенесла завершение строительства чистой комнаты P5 Ph1, запланированное на начало следующего года, примерно на 6 месяцев, поэтому ввод оборудования ожидается примерно в третьем квартале следующего года. Эксперты отрасли сообщают, что начало переноса оборудования планируется с июля-августа следующего года на май-июнь следующего года; другие источники утверждают, что Samsung даже предложила сначала доставить оборудование в первом квартале следующего года и временно хранить его в других местах, что демонстрирует сильную готовность к предварительным инвестициям.Обсуждение инвестиций во втором этапе P5 (Ph2) также продолжается. В настоящее время Ph1, скорее всего, будет построен как линия производства DRAM и HBM, тогда как Ph2, вероятно, будет включать в себя передовые линии NAND, включая десятую (V10). Представители оборудования сообщают, что официальные заказы на закупку еще не размещены, но Samsung уже обсуждала с партнерами возможность создания линии NAND в Ph2 и, учитывая длительный цикл поставки оборудования, требует заранее подготовить соответствующие компоненты. Сообщается, что крупные мировые технологические компании увеличивают заказы на высокопроизводительные DRAM и NAND для инфраструктуры ИИ, в то время как у таких компаний, как Samsung, ограниченные производственные мощности. В июле на телефонной конференции по результатам второго квартала Samsung заявила, что неудовлетворенный спрос этого года будет перенесен на следующий год, нехватка поставок в следующем году будет более серьезной, чем в этом году, и ожидается, что нехватка продлится до 2028 года.

Согласно отчету ZDNet Korea, Samsung Electronics корректирует стратегию следующего поколения DRAM, включая ранее разрабатываемый в рамках проекта B1b в официальную дорожную карту и называя его первым DRAM D0a с размером менее 10 нанометров. Ранее D0a относился к вертикальным транзисторным DRAM, теперь этот продукт отдельно классифицируется как D0a-V. Переименование направлено на ускорение внедрения передовой упаковки в универсальный DRAM.B1b будет производить ячейки памяти и окружающие драйверные цепи на разных пластинах, а затем соединять их, используя смешанное соединение пластин, с прямым соединением через медные межсоединения. В настоящее время коммерчески доступный DRAM — это 1c, то есть 6-е поколение 10-нанометрового уровня с шириной линии около 11 до 12 нанометров; следующее поколение 1d — это 7-е поколение 10-нанометрового уровня с шириной линии около 10 до 11 нанометров, которое рассматривается как фактически последний продукт 10-нанометрового уровня, соответствующая ширина линии является маркетинговым термином, а не фактическим физическим размером. Вертикальные транзисторы могут располагать транзисторы внутри ячейки вертикально, уменьшая площадь ячейки с 6F² до 4F², но необходимо справляться с высокой соотношением глубины и ширины травления и утечкой тока, что делает разработку более сложной. Смешанное соединение пластин уже применяется в массовом производстве CMOS-датчиков изображения и высокостековых NAND.Samsung Electronics оценивает возможность использования B1b для 8-го поколения высокоскоростной памяти HBM5. Ожидается, что HBM5 будет запущен в массовое производство примерно в 2029 году, с целью увеличения скорости работы более чем на 50% по сравнению с HBM4E. В отрасли предполагают, что DRAM D0a на основе B1b будет доступен для коммерческого использования не ранее чем через два года, конкретный график инвестиций в массовое производство может быть определен в середине следующего года.

Согласно отчету Money Today от 21 сентября, Samsung Electronics продвигает расширение мощностей по производству передовых технологий полупроводниковых пластин в связи с ростом рынка HBM, оценивая увеличение производства по 4-нм технологии для удовлетворения растущего спроса на чипы базового уровня HBM4. HBM4 от Samsung состоит из 10-нм 6-го поколения (1c) DRAM основных чипов и 4-нм логических базовых чипов, которые отвечают за высокоскоростной обмен данными с GPU и другими AI-ускорителями.В отличие от SK Hynix, использующего 12-нм технологию TSMC, Samsung применяет собственную 4-нм технологию для базовых чипов HBM4. Эта производственная линия работает на полную мощность и принимает заказы, такие как Groq 3 LPU от NVIDIA, компания недавно повысила цены на новые заказы по 4-нм и базовые чипы HBM4. Samsung ожидает, что доходы от HBM4 в третьем квартале вырастут более чем в 3 раза по сравнению с предыдущим кварталом, а доля HBM4 в доходах от HBM во второй половине года значительно превысит 60%. Дополнительное расширение P4 в Пхенчхане в основном будет использовано для 1c DRAM для HBM, более половины мощностей по 4-нм технологии полупроводниковых пластин уже распределено на базовые чипы HBM4.HBM4E также использует 4-нм базовые чипы, Samsung предоставила образцы клиентам в мае. Компания также оценивает возможность строительства новой производственной линии по 2-нм технологии для HBM5, цель состоит в том, чтобы использовать структуру GAA и увеличить плотность TSV, что позволит увеличить скорость работы более чем на 50% по сравнению с HBM4E. Citi ожидает, что в следующем году глобальный спрос на биты HBM достигнет 75,2 миллиарда Gb, что на 62% больше по сравнению с прошлым годом, при этом предложение составит около 59,4 миллиарда Gb, а дефицит составит около 21%.

Согласно отчету Digital Asset, глобальная платежная компания Stripe добавила поддержку Samsung Pay для своего сервиса покупки криптоактивов Crypto Onramp в версии React Native SDK 0.75.0 для Android, включая настройки платежей, проверки доступности, сбор способов оплаты и примеры интеграции.Android-приложения, разработанные с использованием React Native, могут подключаться к Samsung Pay, позволяя пользователям использовать этот способ оплаты для покупки криптоактивов за фиатные деньги. Ранее этот сервис уже поддерживал такие способы оплаты, как кредитные карты, дебетовые карты, Apple Pay, Google Pay и банковские переводы ACH.

Согласно отчету Seoul Economic Daily, Samsung Electronics планирует в следующем году увеличить объем производства шестого поколения высокоскоростной памяти HBM4 и седьмого поколения HBM4E, а также других продуктов серии HBM4 как минимум вдвое по сравнению с текущим годом. Компания намерена увеличить объем очистки стеклянных подложек, необходимых для тонкой обработки HBM на DRAM, с 20 000 штук в месяц в этом году до 50 000 штук в месяц в следующем году, что составляет увеличение в 2,5 раза. В прошлом году месячный спрос на эти подложки составлял около 10 000 штук, в этом году он удвоился по сравнению с прошлым годом.Основное внимание Samsung Electronics уделяет увеличению производства HBM4 и HBM4E, которые в основном состоят из высоких многослойных продуктов с 12 слоями и более. Компания начала массовое производство HBM4 с использованием шестого поколения DRAM на уровне 10 нм (1c) и чипов на основе 4 нм в феврале этого года, а в мае предоставила образцы HBM4E с 12 слоями клиентам, таким как NVIDIA. Ожидается, что с учетом среднемесячного ввода вафель, производственные мощности HBM Samsung Electronics увеличатся с примерно 180 000 штук в этом году до примерно 250 000 штук в следующем году, что составляет рост почти на 40%; доля отгрузок серии HBM4 может вырасти с примерно 40% в этом году до примерно 80% в следующем году.

Компания Samsung Electronics в прошлом месяце наняла бывшего начальника отдела валютного регулирования Министерства финансов и экономики Ли Хикуна в качестве исполнительного директора IR команды. Ли Хикуна ранее занимал должности начальника отдела валютного регулирования, начальника отдела политики денежного рынка и другие, отвечая за валютное регулирование и реагирование на зарубежные инвестиции. В апреле этого года он участвовал в работе по включению Кореи в мировой индекс государственных облигаций и получил специальное признание. Ожидается, что он будет отвечать за взаимодействие с зарубежными инвесторами и глобальными капиталовложениями.Компания SK Hynix в прошлом месяце наняла бывшего начальника отдела стратегического экономического планирования Министерства финансов и экономики Чжон Ючжена на должность заместителя президента по коммуникациям. Чжон Ючжен ранее занимал должности начальника отдела бюджета по климату и окружающей среде, секретаря заместителя премьер-министра по экономике, начальника отдела валютного регулирования и начальника отдела валютных средств. Обе компании продвигают инвестиции в производство в США; Samsung Electronics планирует вложить 37 миллиардов долларов в строительство завода по производству полупроводников в Техасе, а SK Hynix планирует инвестировать 4 миллиарда долларов в строительство завода по передовым упаковочным технологиям в Индиане.

Согласно сообщениям Reuters, ссылающимся на осведомленные источники, Longxin Storage (CXMT) готовится выйти на рынок NAND флеш-накопителей, расширяясь за пределы своего основного бизнеса DRAM и конкурируя с Samsung Electronics, SK Hynix, Micron и Yangtze Memory Technologies.Longxin Storage планирует создать линию разработки и производства NAND флеш-памяти на новом заводе в Пекине и открыть исследовательский институт в Пекине, включающий проекты по разработке NAND. Компания уже обсуждала соответствующие планы с клиентами, среди которых есть стартап, который намерен закупать чипы для систем ИИ и суперкомпьютеров. График запуска исследовательской линии или масштабного коммерческого производства пока неясен.Глобальный дефицит памяти обусловлен спросом на серверы ИИ и, как ожидается, продлится как минимум до 2027 года. Производители отдают приоритет расходам на DRAM и HBM, что ограничивает увеличение мощностей NAND. Longxin Storage собрала 57,92 миллиарда юаней на IPO в июле. Yangtze Memory Technologies была внесена в список субъектов в 2022 году.

Samsung Electronics начала прототипирование производства чипов AI5 для Tesla на своем заводе в Тайлере, штат Техас, США. В связи с резким увеличением спроса на AI чипы, Samsung ускорила производство прототипов для проверки выхода, планируя завершить верификацию массового производства к концу этого года и полностью начать поставки в следующем году.