BTC $82,968.00 +0.65%
ETH $2,508.02 +1.10%
BNB $750.14 +1.23%
XRP $1.40 +1.07%
SOL $110.23 +1.41%
TRX $0.3307 -0.37%
DOGE $0.0858 +0.87%
ADA $0.2528 +5.35%
BCH $280.80 +2.20%
LINK $13.07 +2.39%
HYPE $85.47 +1.85%
AAVE $169.44 +1.56%
SUI $1.11 +4.99%
XLM $0.1971 +1.77%
ZEC $1,223.77 +1.33%
AAPL $336.35 -0.02%
AMZN $262.50 -0.08%
GOOGL $351.39 -0.17%
MSFT $535.20 -0.04%
META $719.39 +0.10%
NVDA $230.57 +0.44%
TSLA $382.88 +0.02%
SNDK $1,599.25 +1.17%
INTC $105.19 +0.59%
SPCX $163.69 +0.59%
MU $1,036.89 +0.70%
AMD $609.78 +0.33%
BTC $82,968.00 +0.65%
ETH $2,508.02 +1.10%
BNB $750.14 +1.23%
XRP $1.40 +1.07%
SOL $110.23 +1.41%
TRX $0.3307 -0.37%
DOGE $0.0858 +0.87%
ADA $0.2528 +5.35%
BCH $280.80 +2.20%
LINK $13.07 +2.39%
HYPE $85.47 +1.85%
AAVE $169.44 +1.56%
SUI $1.11 +4.99%
XLM $0.1971 +1.77%
ZEC $1,223.77 +1.33%
AAPL $336.35 -0.02%
AMZN $262.50 -0.08%
GOOGL $351.39 -0.17%
MSFT $535.20 -0.04%
META $719.39 +0.10%
NVDA $230.57 +0.44%
TSLA $382.88 +0.02%
SNDK $1,599.25 +1.17%
INTC $105.19 +0.59%
SPCX $163.69 +0.59%
MU $1,036.89 +0.70%
AMD $609.78 +0.33%

storage

Все
Статьи
Новости

first_img Цзунъянь Жибао: бывший CEO Changxin Storage обвиняется в давлении для получения технологий Samsung

Согласно отчету южнокорейской газеты «Чунган Ильбо», в заявлении Чжун Сяо, бывшего руководителя по инвестициям в оборудование компании Changxin Memory Technologies (CXMT) и выходца из Samsung Electronics, говорится, что бывший CEO CXMT Ван Ниньго был собран в период с октября по декабрь 2016 года с командой из Кореи, включая Чжун Сяо, и потребовал вернуть информацию о технологическом процессе Samsung Electronics (PRP) и оборудовании, угрожая сообщить правительству Кореи, если информация не будет возвращена, а также предупредив о проверке связей и о том, чтобы не лгать. Чжун Сяо заявил, что в то время он чувствовал страх. В отчете говорится, что руководство CXMT тогда использовало кодовое название «Хуаншань» для Samsung Electronics.Чжун Сяо присоединился к CXMT после 28 лет работы в Samsung Electronics и был обвинен в несанкционированной утечке и использовании технологии 18-нм DRAM, разработанной с инвестициями Samsung в 1,6 трлн вон, и в апреле этого года был приговорен к 7 годам лишения свободы в первой инстанции, в настоящее время дело находится на апелляции. PRP включает последовательность около 600 шагов производства DRAM, оборудование, условия и компании с моделями оборудования. Пак Чжун, инженер по проектированию процессов Samsung, в сентябре 2016 года переписал соответствующую информацию на 12 страницах заметок и вынес их, в настоящее время он находится в статусе красного уведомления Интерпола.Чжун Сяо заявил в суде, что во время общения с китайской стороной звучали слова о том, что если не удастся разработать 18-нм, то инвестиции CXMT не будут предоставлены, и позже он узнал, что с самого начала они хотели эту технологию, а CXMT изначально не планировала самостоятельную разработку. Указанное давление происходило перед подготовкой к встрече для подачи заявки на инвестиции. CXMT была основана в 2016 году с инвестициями в 14,4 млрд юаней от правительства города Хэфэй и около 10 лет не приносила прибыли, в прошлом году впервые получила годовую прибыль в 7,1 млрд юаней.

first_img Chengxin Storage в конце года увеличит месячную производственную мощность DRAM до 350 000 чипов, близко к Micron

Согласно отчету TechPowerUp, китайский производитель DRAM Changxin Storage (CXMT) ожидает, что к концу 2026 года месячная производственная мощность кремниевых пластин DRAM составит около 350 000 штук, в то время как Micron прогнозирует около 375 000 штук за тот же период. Строительство чистых помещений Changxin Storage занимает около 12 месяцев, что меньше, чем обычно в отрасли, где это занимает от 21 до 24 месяцев.Из-за санкций США, которые не позволяют получить EUV, Changxin Storage использует более старую технологию DUV фотолитографии и многократного паттернизирования. Компания уже начала поставки чипов 16 Gb DDR5 со скоростью 8000 MT/s, площадь чипа составляет 67 mm², плотность — 0.239 Gb/mm², ячейка G4 на 20% меньше, чем G3. Модули 24 Gb производятся серийно со скоростью около 6000 MT/s, модули LPDDR5X-10667 (12 Gb и 16 Gb) также уже запущены в серийное производство. Правительство Китая поощряет Changxin Storage к передаче IP DRAM таким отечественным производителям, как JHICC, Swaysure и дочерняя компания Yangtze Memory Technologies (XMC).

first_img Компания Changxin Storage планирует выйти на рынок NAND флеш-памяти

Согласно сообщениям Reuters, ссылающимся на осведомленные источники, Longxin Storage (CXMT) готовится выйти на рынок NAND флеш-накопителей, расширяясь за пределы своего основного бизнеса DRAM и конкурируя с Samsung Electronics, SK Hynix, Micron и Yangtze Memory Technologies.Longxin Storage планирует создать линию разработки и производства NAND флеш-памяти на новом заводе в Пекине и открыть исследовательский институт в Пекине, включающий проекты по разработке NAND. Компания уже обсуждала соответствующие планы с клиентами, среди которых есть стартап, который намерен закупать чипы для систем ИИ и суперкомпьютеров. График запуска исследовательской линии или масштабного коммерческого производства пока неясен.Глобальный дефицит памяти обусловлен спросом на серверы ИИ и, как ожидается, продлится как минимум до 2027 года. Производители отдают приоритет расходам на DRAM и HBM, что ограничивает увеличение мощностей NAND. Longxin Storage собрала 57,92 миллиарда юаней на IPO в июле. Yangtze Memory Technologies была внесена в список субъектов в 2022 году.

first_img Производственный выход HBM3 компании Changxin Storage остановился на уровне 25%

Согласно сообщению газеты "Чосон Ильбо", крупнейший производитель DRAM в Китае, компания Changxin Storage (CXMT), запустила опытное производство четвертого поколения высокоскоростной памяти HBM3. Начальный выход годной продукции остановился на уровне 25%, что составляет примерно одну треть золотого выхода в 80% для серийного производства. SK Hynix с 2022 года производит аналогичную продукцию, выход которой превышает 90%.Выход годной продукции на первом этапе для 8-слойных продуктов HBM3 от Changxin Storage составляет около 30%, а на втором этапе — около 70%, что становится окончательной годной продукцией. Компания поставляет небольшое количество образцов китайским компаниям, таким как Alibaba Pingtouge и Cambricon, и продолжает улучшать выход годной продукции. Технология G4 (17 нм) для обычного DRAM не имеет серьезных проблем, но DRAM-чипы для HBM имеют большую площадь и более строгие электрические спецификации.Отрасль связывает причины с недостаточной зрелостью технологии кремниевых через отверстия TSV. Анализ Nomad Semi показывает, что у Samsung HBM2 более 5000 TSV на чип, у SK Hynix HBM3 более 8000, а у Changxin Storage около 3000. Существует разрыв в 4-5 лет по сравнению с Samsung и SK Hynix.

hot_img Changxin Storage отказался от требований Apple о снижении цен, права на ценообразование DRAM смещаются в сторону Samsung и SK Hynix

Сообщение ChainCatcher, согласно корейскому изданию «Цифровая газета», сообщает, что Apple недавно проводила переговоры с Changxin Storage (CXMT) о ценах на поставки мобильной DRAM, такой как LPDDR5X, чтобы снизить затраты на следующую генерацию iPhone и умных устройств, но получила отказ. Changxin Storage настаивает на поддержании уровня цен, сопоставимого или даже более высокого, чем у Samsung Electronics и SK Hynix, что нарушает привычное ценовое преимущество Apple как конечного производителя.Анализ сообщает, что китайские конечные компании, такие как Huawei и Xiaomi, уже заранее заблокировали значительные объемы производства Changxin Storage через долгосрочные контракты по высоким ценам, а внутренний рынок Китая предоставляет им надежную ценовую защиту. В то же время Samsung Electronics и SK Hynix продолжают расширять мощности HBM, что сжимает предложение общего DRAM, в сочетании с тем, что Changxin Storage удерживает нижнюю границу цен, значительно снижает давление на отгрузки и риски снижения цен для корейских производителей в области общего DRAM, позволяя сосредоточить ресурсы на высокоценных продуктах AI-накопителей, таких как HBM4, LPCAMM2 и eSSD. Эксперты отрасли ожидают, что вторая половина года принесет дальнейшее увеличение операционной маржи корейского полупроводникового сектора и глобальной ценовой власти.

hot_img Counterpoint: В 2 квартале рынок DRAM Samsung вернулся на первое место с долей 39%, доходы Changxin Storage увеличились на 716% по сравнению с прошлым годом

Сообщение от ChainCatcher, согласно данным Counterpoint Research, во втором квартале 2026 года на глобальном рынке DRAM Samsung Electronics вернулась на первое место с 39% долей рынка, что значительно выше по сравнению с аналогичным периодом прошлого года; доля SK Hynix снизилась с 39% в прошлом году до 26%, хотя выручка увеличилась на 214% в годовом исчислении; Micron с 25% долей идет следом, разрыв с SK Hynix составляет всего 1 процентный пункт. Counterpoint отмечает, что Samsung достигла восстановления благодаря росту спроса на общий DRAM и расширению доли на рынке HBM.Цены на общий DRAM значительно выросли по сравнению с предыдущим периодом, в то время как средняя цена HBM снизилась из-за падения цен на HBM3E и задержки поставок HBM4. Выручка Changxin Storage увеличилась на 716% по сравнению с прошлым годом благодаря сильному внутреннему спросу на общий DRAM и расширению мощностей; Nanya Technology увеличила выручку на 690% благодаря расширению поставок DDR/LPDDR4/5. Counterpoint прогнозирует, что с поставками NVIDIA Vera Rubin и AMD Instinct MI455X во второй половине года объем поставок HBM4 значительно увеличится, и улучшение продуктового портфеля должно поддержать рост цен на HBM.

Компания Changxin Storage рассматривает возможность строительства второго завода по производству DRAM в Пекине и ведет переговоры о финансовой поддержке

Сообщение ChainCatcher, согласно отчету Reuters, информированные источники сообщают, что Changxin Storage рассматривает возможность строительства второго 12-дюймового завода по производству DRAM в районе Ичжуан в Пекине и ведет переговоры о финансировании с Экономической и технологической зоной Пекина и несколькими государственными научно-техническими предприятиями. Компания ищет поддержку в размере не менее 60 миллионов юаней (около 8,9 миллиона долларов США), но переговоры все еще находятся на ранней стадии, объем и структура финансирования могут быть изменены.Предлагаемый завод будет расположен на территории существующего завода Changxin Storage по производству DRAM в Пекине. Проектная мощность и общие инвестиции еще не определены, в то время как строительство завода, способного производить современные DRAM, обычно требует более 10 миллиардов долларов США. В настоящее время Changxin Storage управляет двумя 12-дюймовыми заводами по производству DRAM в Хэфэе и одним в Пекине, каждый из которых имеет месячную мощность около 100 000 пластин. Changxin Storage также строит новые заводы в Шанхае и Хэфэе, и после полного запуска соответствующих проектов месячная мощность компании может удвоиться до более чем 600 000 пластин.Расширение производства происходит на фоне роста спроса на чипы памяти, вызванного инфраструктурой ИИ, центрами обработки данных и потребительской электроникой. В прошлом месяце компания завершила IPO на сумму 8,6 миллиарда долларов, что стало крупнейшим размещением акций полупроводниковой компании в материковом Китае, и после Список цена акций уже выросла на 13%. В настоящее время Changxin Storage является четвертым по величине производителем DRAM в мире, но Samsung Electronics, SK Hynix и Micron в первом квартале по-прежнему занимают почти 90% мирового рынка. Пекин и Шанхай также предоставляют Changxin Storage финансирование и другую поддержку, чтобы извлечь экономические и стратегические выгоды от его расширения.

Данные: Changxin Storage преодолел 8 долларов, шортящие китовые трейдеры понесли убытки в 4,67 миллиона долларов, а лонгующие китовые трейдеры получили прибыль в 2,46 миллиона долларов

ChainCatcher сообщает, что по данным мониторинга Lookonchain, Longxin Storage в настоящее время вошел в 5-й торговый день, цена поднялась выше 8 долларов, в настоящее время в борьбе между быками и медведями преобладают быки.Одна крупная китовая сделка зафиксировала короткую позицию на 2,9 миллиона акций Longxin Storage на сумму 23,54 миллиона долларов, в настоящее время убыток составляет 4,67 миллиона долларов, и было выплачено 1,42 миллиона долларов в виде финансирования; другой кит открыл длинную позицию на 1,63 миллиона акций Longxin Storage на сумму 13,27 миллиона долларов, в настоящее время прибыль составляет 2,46 миллиона долларов, и он получил 823 тысячи долларов в виде финансирования.

Gate запустил бессрочный контракт CXMTUSDT, предоставляя зарубежным инвесторам торговые каналы, связанные с Changxin Storage

Сообщение от ChainCatcher, согласно официальной странице, Gate запустил бессрочный контракт CXMTUSDT, поддерживающий кредитное плечо от 1 до 50 раз, предоставляя глобальным пользователям торговые инструменты, связанные с Longsys (CXMT). Этот контракт ориентирован на цены акций, связанных с Longsys, и позволяет инвесторам участвовать в торговле на соответствующих рынках через платформу цифровых активов.Сообщается, что Longsys сегодня вышел на научно-техническую биржу Шанхая, и в начале торгов его акции выросли более чем на 470%. С продвижением Список процесса ведущих отечественных полупроводниковых компаний, интерес к соответствующим активам на рынке продолжает расти.Кроме того, Gate с 27 июля 11:00 до 5 августа 11:00 (UTC+8) запускает акцию по раздаче токенов горячих монет для контракта CXMT (Longsys), общий призовой фонд составляет 50,000 USDT. Акция предлагает три уровня бонусов, и один участник может получить до 240 USDT.
app_icon
ChainCatcher Building the Web3 world with innovations.