hbm

ChainCatcher 消息，据财联社援引媒体当地时间 9 月 29 日报道，三星电子执行副总裁 Kim Taewoo：预计明年 HBM 将占 DRAM 厂商晶圆总产能的近 30%，目前该比例约为 20%。他称，HBM 与传统 DRAM 争夺同一批晶圆产能，扩大 HBM 产出可能挤压传统 DRAM 供应。TrendForce 此前预测，2027 年底全球三大 HBM 供应商的 HBM 晶圆投入约占 DRAM 晶圆总投入的 30%，但按存储容量计仅能贡献约 13% 的 DRAM 总供应量。另据媒体 9 月 20 日报道，三星已于今年 2 月开始量产出货 HBM4，5 月向包括英伟达在内的客户提供 12 层 HBM4E 样品；业内预计三星 HBM 月均晶圆投入量将由今年约 18 万片增至明年约 25 万片。TrendForce 同日表示，AI 服务器需求持续，HBM 与通用 DRAM 仍将分享有限的先进制程产能，2027 年存储供应将维持偏紧，并上调 2027 年 HBM 价格预期，预计混合平均售价同比上涨 121%。受供应有限和系统成本上升影响，8 层 HBM 预计将成为 2027 年多家厂商优先评估的方案，其每 Gb 售价将比 12 层产品高约 10% 至 20%。

ChainCatcher 消息，英伟达首席执行官黄仁勋将于当地时间 9 月 28 日在纽约再度会晤三星电子会长李在镕、SK 集团会长崔泰源，距三人 7 月在旧金山会面约两个月。据 27 日商界消息人士，李在镕与崔泰源计划出席当日晚 6 点在纽约举办的韩国协会年度晚宴，黄仁勋将作为本年度范弗利特奖得主出席，三星电子正在推进与英伟达的相关合作。业界关注的议题包括高带宽内存。消息称，三星电子设备解决方案事业部副会长全永铉曾在黄仁勋 6 月访韩期间与其会面，双方探讨 HBM4E、HBM5 等下一代高带宽内存的长期合作。纽约会晤还可能涉及晶圆代工服务与先进封装，6 月会谈中也讨论了下一代晶圆代工合作。

ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 9 月 28 日报道，三星电子正加快平泽第五园区（P5）首条量产线（Ph1）建设，并与主要设备厂商讨论将 Ph1 设备搬入目标从原定明年三季度提前至明年二季度。P5 是以 2028 年投产为目标的下一代半导体生产基地，今年三季度已开始建设 Ph1 洁净室。三星电子此前已将原定明年初完成的 P5 Ph1 洁净室建设提前约 6 个月，设备导入因此预计在明年三季度左右。业内人士称，设备搬入开始时间拟从明年 7 月至 8 月提前至明年 5 月至 6 月前后；另有人士表示，三星甚至提出明年一季度先交付设备、由其他地点暂存，显示其提前投资意愿较强。P5 第二阶段（Ph2）投资讨论也在推进。目前 Ph1 更可能建设为 DRAM 与 HBM 产线，Ph2 则更可能建设为包括第十代（V10）在内的先进 NAND 产线。设备业人士称，正式采购订单尚未下达，但三星已与合作方讨论将 Ph2 建成 NAND 产线，并因设备交付周期较长，要求提前备妥相关零部件。报道称，全球大型科技公司增加 AI 基础设施用高性能 DRAM 与 NAND 订单，而三星等存储企业产能有限。三星在 7 月二季度业绩电话会上曾表示，今年未能满足的需求将延至明年，明年供应短缺将比今年更严重，并预计短缺将持续至 2028 年。

ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 报道，三星电子调整下一代 DRAM 战略，将此前以项目形式开发的 B1b 纳入正式路线图，并命名为首款 10 纳米以下 DRAM D0a。此前 D0a 指垂直晶体管 DRAM，现该产品被单独归类为 D0a-V。此次更名是为加快在通用 DRAM 中导入先进封装。B1b 将存储单元与周边驱动电路分别在不同晶圆上制造后再键合，采用晶圆对晶圆混合键合，通过铜互连直接连接。目前已商用 DRAM 为 1c，即第 6 代 10 纳米级、线宽约 11 至 12 纳米；下一代 1d 为第 7 代 10 纳米级、线宽约 10 至 11 纳米，被视为事实上最后的 10 纳米级产品，相关线宽属于营销用语而非实际物理尺寸。垂直晶体管可将单元内晶体管垂直布置，把单元面积从 6F² 缩至 4F²，但需应对高深宽比刻蚀和漏电流，开发难度较高。晶圆对晶圆混合键合已在 CMOS 图像传感器和高堆叠 NAND 中量产应用。三星电子正评估将 B1b 用于第 8 代高带宽内存 HBM5。HBM5 预计约 2029 年量产，目标是较 HBM4E 将运行速度提高 50% 以上。业界估计，基于 B1b 的 D0a DRAM 最快约两年后商用，具体量产投资日程或于明年年中确定。

ChainCatcher 消息，BidClub 播客第 166 期中，芯片设计师 Bubble boi 表示，高带宽闪存在技术上有吸引力，但缺乏决定性数据中心用例。他给出的信息是，所听说的主要客户是难以获得或生产高端 HBM 的中国客户。Bubble boi 称，HBF 与高端 AI 闪存延迟均约 5 微秒，带宽低于 HBM，单位比特成本更低但总成本可能相当。他认为最清晰的客户是无法获得 HBM 的主体，这与他从两到三人处听到的中国需求相符，因其无法充分制造加速器，或愿接受非领先规格产品。

ChainCatcher 消息，据 Money Today 9 月 21 日报道，三星电子因 HBM 市场增长正推进晶圆代工先进制程产能扩张，为应对 HBM4 基座芯片需求上升正在评估 4 纳米制程扩产。三星 HBM4 由 10 纳米级 6 代（1c）DRAM 核心芯片与 4 纳米逻辑基座芯片组成，基座芯片负责与 GPU 等 AI 加速器高速交换数据。与 SK 海力士采用台积电 12 纳米不同，三星对 HBM4 基座芯片使用自有 4 纳米制程。该产线已满负荷运转并承接英伟达 Groq 3 LPU 等订单，公司近期上调了 4 纳米新订单及 HBM4 基座芯片报价。三星预计第三季度 HBM4 营收环比增逾 3 倍，下半年 HBM 营收中 HBM4 占比将明显高于 60%。平泽 P4 追加扩产大部分将用于 HBM 用 1c DRAM，晶圆代工 4 纳米产能一半以上已分配给 HBM4 基座芯片。HBM4E 同样采用 4 纳米基座芯片，三星已于 5 月向客户提供样品。公司还在评估为 HBM5 建设 2 纳米新产线，目标以 GAA 结构 2 纳米制程并提高 TSV 密度，使运行速度较 HBM4E 提升 50% 以上。三星去年下半年启动 2 纳米第一代量产，今年下半年推进第二代产品。花旗预计明年全球 HBM 比特需求达 752 亿 Gb、同比增 62%，供应约 594 亿 Gb、缺口约 21%；

ChainCatcher 消息，据首尔经济报道，三星电子计划明年将第六代高带宽存储器 HBM4 与第七代 HBM4E 等 HBM4 系列产量较今年至少扩大一倍以上。该公司拟将 HBM 用 DRAM 薄化加工所需玻璃载体外协清洗量，由今年每月 2 万片增至明年每月 5 万片，较今年增加 2.5 倍。去年该载体月需求约 1 万片，今年已较去年翻倍。三星电子重点扩产的 HBM4 与 HBM4E 以 12 层及以上高堆叠产品为主。该公司今年 2 月开始量产出货采用第六代 10 纳米级（1c）DRAM 与 4 纳米工艺基底芯片的 HBM4，5 月向英伟达等客户提供 HBM4E 12 层样品。业界预计，以月均晶圆投入计，三星电子 HBM 产能将由今年约 18 万片增至明年约 25 万片，增幅近 40%；HBM4 系列出货占比或由今年约 40% 升至明年约 80%。

ChainCatcher 消息，美光科技将于 9 月 30 日公布财年第四季度业绩。英伟达 CFO Colette Kress 在 8 月 26 日财年第二季度电话会议上表示，公司看到“内存极端定价条件”，价格涨幅已超出先前预期，并“将在明年进一步走高”。定价压力已体现在英伟达利润率上，Kress 指引毛利率在第四季度触底至 71%-72% 区间，随后在财年 2028 年回升至 72%-73%。Kress 表示当前内存短缺在很大程度上由 AI 建设本身驱动。SK 海力士预计内存市场最早到 2030 年才能达到供需平衡，并已投入约 383 亿美元通过 2031 年扩建韩国国内两个基地。SK 海力士持有约 50% 高带宽内存市场份额，领先于三星的 33% 和美光的 18%。

ChainCatcher 消息，据路透社报道，知情人士称，韩国 SK 海力士正与英特尔洽谈一项交易，拟首次在美国本土生产存储芯片。其中一种可能方案是 SK 海力士租用英特尔在俄亥俄州筹划已久的芯片制造设施的一部分；另一种方案是与英特尔及急于锁定存储芯片供应的主要云服务公司成立合资企业。交易将缓解英特尔的压力，并成为特朗普政府的一大胜利。但消息人士称，韩国方面的潜在反对可能是一大障碍，因为这些技术被视为敏感。一名消息人士称谈判尚属探索性，强调尚未作出决定。若达成协议，SK 海力士可能在俄亥俄州生产何种芯片也尚不清楚。其产品线包括用于服务器、PC 和智能手机的 DRAM，以及提供长期存储的 NAND 闪存，同时也是 AI 处理器所用高带宽存储（HBM）的领先供应商。

ChainCatcher 消息，花旗分析师指出，领先存储芯片制造商有望受益于人工智能发展中的结构性转变。该机构预计，持续学习将推动存储需求显著增长，导致市场供不应求延续至 2031 年。持续学习通过在新任务与知识上训练来强化模型，将带来对模型更新及既往数据访问的持续需求，并带动 HBM、服务器 DDR5 与 eSSD 等产品的存储用量。花旗预计，HBM 比特需求将于 2027 年同比增长 62% 至 752 亿吉比特，2028 年同比增长 69% 至 1270 亿吉比特。全球 DRAM 需求在 2027 年和 2028 年将分别同比增长 30% 和 35%，同期供应仅分别增长 19% 和 22%，供需比分别为 -8.7% 和 -9.7%。NAND 方面，2027 年和 2028 年需求将分别同比增长 29% 和 33%，超过供应增长 21% 和 25%，供需比分别为 -6.1% 和 -5.5%。花旗首选存储标的包括三星电子、SK 海力士、美光、Sandisk 和 Kioxia，分别对应持续学习带来的存储短缺、HBM 与服务器 DDR5 需求、DRAM 供不应求以及高密度 eSSD 与 NAND 供应趋紧等逻辑。

ChainCatcher 消息，据工商时报报道，随 HBM、2 奈米以下先进逻辑同步扩产，法人预估全球矽晶圆供需缺口将由 2026 年底约 8%，扩大至 2027 年的 15%、2028 年的 24%，环球晶、合晶及台胜科营运可望受惠。法人指出，2027 年中将是关键转折点，若供给扩充速度未能跟上，2027 年下半年至 2028 年上半年可能出现新一轮缺货与抢货潮。SEMI 统计，2026 年第二季全球矽晶圆出货面积达 35.73 亿平方英寸，季增 9.1%、年增 7.4%。法人估算，2026 年全球 12 吋矽晶圆月产能约 1069 万片、年增 7%，2027 年仅增约 3% 至 1100 万片，2028 年约增 6% 至 1170 万～1176 万片，新增供给包括环球晶第二阶段初期约 30 万片以及合晶约 10 万片。法人预估，2027、2028 年 HBM 矽晶圆消耗量分别年增 23%、28%；一般 DRAM 新产能自 2027 年起陆续开出，至 2028 年新增月产能约 35 万～45 万片。先进逻辑方面，2027、2028 年逻辑制程矽晶圆消耗量分别年增 12%、11%。目前客户矽晶圆库存仍约 100～120 天，距 50～70 天正常水准尚需时间消化。

ChainCatcher 消息，据朝鲜日报 9 月 15 日报道，三星电子与 SK 海力士三季度营业利润共识在三个月内再次上调。综合主要券商与海外投行报告，三星电子三季度营业利润预估约 114 万亿韩元，较三个月前的 101.9052 万亿韩元上调 12.2836 万亿韩元（12%），较二季度 89.4 万亿韩元增长 28%。SK 海力士三季度预估为 78.8035 万亿韩元，较三个月前的 75.7249 万亿韩元上调 4%，较二季度 60.5426 万亿韩元增长 30%。TrendForce 预计三季度通用 DRAM 固定交易价格环比上涨 13% 至 18%，NAND 闪存上涨 10% 至 15%。证券界关注三星电子 HBM4 营收占比由一季度 5% 扩大至二季度约 35%，且良率改善。SK 海力士维持 HBM 市场份额第一，但三星 HBM4 量产改善或稀释其供应溢价。花旗证券因韩元走强将 SK 海力士三季度营业利润预估由 76.7 万亿韩元下调至 74 万亿韩元。美光将于 30 日公布 2026 财年第四季度（6 月至 8 月）业绩，营收指引为 490 亿至 510 亿美元。

ChainCatcher 消息，KB 证券 9 月 11 日发布报告指出，三星电子 HBM 市场份额有望从第二季度的 33% 提升至第四季度的 40%，主要得益于 HBM4 第三季度销量环比增长超过三倍，且下半年 HBM4 预计占其 HBM 总销售额的 60% 以上。三星电子已确立 HBM4 全面量产、向核心客户供应 HBM4E 样品、采用 1c 核心裸片与 2 纳米基础裸片的 HBM5 架构以及下一代 ZHBM 的路线图。其代工业务方面，4 纳米良率稳定在 80% 以上，2 纳米 GAA 良率快速提升至 70% 以上。KB 证券分析师 Kim Dong-Won 表示，代工业务自第三季度起有望扭亏为盈，2 纳米良率年内或助其斩获美国大客户订单。

ChainCatcher 消息，据路透社 9 月 10 日独家报道，中国 AI 芯片制造商因高带宽内存短缺而大幅提价。华为将昇腾 950DT 加速卡指示价格上调至超过 25 万元人民币，较两个月前报价上涨 20% 至 50%。寒武纪将其计划中的 690 芯片指示价格上调 20% 至 30%，沐曦和天数智芯也有类似涨价。报道称，原因包括美国出口管制及灰色市场高带宽内存供应推高成本。华为较早代产品如昇腾 950PR 和 910C 价格亦上涨约 30%。上述涨价增加了中国 AI 算力建设成本。华为、寒武纪等公司未予置评。

ChainCatcher 消息，据业界消息，英伟达正考虑将下一代 Rubin Ultra 人工智能加速器的高带宽内存方案从 12 层堆叠调整为 8 层。在存储成本上涨背景下，英伟达更加重视单位带宽成本及整机系统经济性。

ChainCatcher 消息，据朝鲜日报报道，中国最大 DRAM 厂商长鑫存储（CXMT）已启动第四代高带宽存储器 HBM3 试验生产，初期良率停滞在 25%，约为量产黄金良率 80% 的三分之一。SK 海力士自 2022 年起量产同类产品，良率超过 90%。长鑫存储 HBM3 8 层堆叠产品前道工序良率约 30%，后道工序后约 70% 成为最终良品。公司将少量样品供应给阿里巴巴平头哥、寒武纪等中国企业并持续改善良率。其 G4（17 纳米级）工艺普通 DRAM 无大问题，但 HBM 用 DRAM 芯片面积更大、电气规格更严格。业界将原因指向硅通孔 TSV 技术成熟度不足。Nomad Semi 分析显示，三星 HBM2 每芯片 TSV 超 5000 个，SK 海力士 HBM3 超 8000 个，长鑫存储约 3000 个。与三星、SK 海力士存在 4 至 5 年差距。

ChainCatcher 消息，韩国券商 KB Securities 警告，三星电子和 SK 海力士的存储半导体库存已降至不足 10 天供应量，明年可用供应将明显不足。该机构周一报告指出，人工智能基础设施投资以前所未有的速度扩张，存储芯片市场面临严重供应短缺。关键因素是向 HBM4 过渡，HBM4 所需晶圆约为传统 DRAM 的三倍，晶圆产能有限将减少传统 DRAM 可用产能。KB Securities 预计明年 DRAM 和 NAND 需求将超过供应 10 个百分点以上。研究主管 Kim Dong-won 表示，人工智能服务器将消耗 HBM、服务器 DDR5 和企业级固态硬盘，可能导致历史性短缺。全球超大规模数据中心运营商将明年人工智能基础设施投资预期上调至 1.3 万亿美元，较上年增长 60%。该机构预计明年存储半导体将占人工智能基础设施总投资的 57%，高于去年的 14%，TrendForce 预计这一比例可能高达 68%。三星电子股价较高点跌去近 28%，SK 海力士跌去近 40%。

ChainCatcher 消息，据 TrendForce 集邦咨询最新存储器产业研究，2026 年第二季由于 Conventional DRAM（一般型 DRAM）合约价显著上涨，推升整体 DRAM 产业营收季增 59.5%，近 1,547.3 亿美元。随着 LLM 模型训练、AI 推理刺激 AI Server 需求，HBM3e、LPDDR5X 和高容量 RDIMM 出货同步成长，Agentic AI 应用则带动各容量规格的 RDIMM 拉货。供给方面，原厂库存处于谷底、且新增供给优先满足 Server 应用，第二季整体 DRAM 位元出货量小幅成长。

ChainCatcher 消息，三星电子晶圆代工事业部在 4 纳米工艺中，分配给第六代高带宽存储器 HBM4 用基底芯片量产的比重最近突破 50%。业界称，该事业部今年下半年将超过一半的 4 纳米晶圆投入 HBM4 基底芯片制造，以配合向英伟达、博通、AMD 等扩大供应。三星于今年 2 月率先启动 HBM4 量产出货，并计划自第三季度起扩大供应量，自年中起显著增加相关晶圆投入。该芯片基于三星晶圆代工 4 纳米（SF4）工艺。截至上月，其全部 4 纳米产能中超过 50% 已分配给 HBM4 基底芯片。知情人士称，三星 4 纳米目前处于满产，其中 HBM4 基底芯片占比约 50% 至 60%，下半年将维持高占比。三星在平泽 2 厂与 3 厂的晶圆代工产线量产 4 至 7 纳米级工艺，其中 4 纳米产能约每月 3 万片，据此估算 HBM4 基底芯片相关晶圆投入约每月 1.5 万片。三星在第二季度业绩电话会上表示，预计第三季度 HBM4 营收环比扩大 3 倍以上，下半年 HBM4 营收将超过公司整体 HBM 营收的 60%。