sk海力士

ChainCatcher 消息，三星電子上月聘用前財政經濟部外匯制度課長李熙坤為 IR 團隊常務。李熙坤曾擔任外匯制度課長、資金市場政策課長等職，負責外匯制度及海外投資應對，今年 4 月參與韓國納入世界國債指數工作並獲特別表彰，預計負責海外投資者及全球資本市場應對。SK 海力士上月聘用前財政經濟部戰略經濟總括課長鄭汝珍為傳播總括下屬副社長。鄭汝珍曾任氣候環境預算課長、經濟副總理秘書官、外匯制度課長、外匯資金課長等職。兩家公司正推進美國生產投資，三星電子計畫投入 370 億美元在德克薩斯州泰勒建設晶圓代工廠，SK 海力士計畫投入 40 億美元在印第安納州建設先進封裝工廠。

ChainCatcher 消息，韓國副總理週三表示，韓國必須繼續推進人工智慧發展，不能停頓或拖延，在全球關於該技術發展節奏的討論中態度明確。韓國是三星電子與 SK 海力士等儲存晶片企業所在地，也是人工智慧數據中心熱潮的主要受益者之一，相關需求帶動了對該國半導體與硬體的旺盛採購。該國人口約 5200 萬，目前無法按美國人工智慧模型開發商 Anthropic 與 OpenAI 負責人所提議的方向放慢自身進展。

ChainCatcher 消息，据路透社报道，知情人士称，韓國 SK 海力士正與英特爾洽談一項交易，擬首次在美國本土生產存儲芯片。其中一種可能方案是 SK 海力士租用英特爾在俄亥俄州籌劃已久的芯片製造設施的一部分；另一種方案是與英特爾及急於鎖定存儲芯片供應的主要雲服務公司成立合資企業。交易將緩解英特爾的壓力，並成為特朗普政府的一大勝利。但消息人士稱，韓國方面的潛在反對可能是一大障礙，因為這些技術被視為敏感。一名消息人士稱談判尚屬探索性，強調尚未作出決定。若達成協議，SK 海力士可能在俄亥俄州生產何種芯片也尚不清楚。其產品線包括用於伺服器、PC 和智能手機的 DRAM，以及提供長期存儲的 NAND 閃存，同時也是 AI 處理器所用高帶寬存儲（HBM）的領先供應商。

ChainCatcher 消息，SK 海力士與其工會已就績效獎金達成協議。根據協議，獎金的 50% 將以現金支付，其餘 50% 將以公司股票支付。SK 海力士原本計劃以現金支付全部績效獎金。這意味著公司現在需要回購相當於獎金總額至少 50% 的股票。

ChainCatcher 消息，据朝鮮日報 9 月 15 日報導，三星電子與 SK 海力士三季度營業利潤共識在三個月內再次上調。綜合主要券商與海外投行報告，三星電子三季度營業利潤預估約 114 萬兆韓元，較三個月前的 101.9052 萬兆韓元上調 12.2836 萬兆韓元（12%），較二季度 89.4 萬兆韓元增長 28%。SK 海力士三季度預估為 78.8035 萬兆韓元，較三個月前的 75.7249 萬兆韓元上調 4%，較二季度 60.5426 萬兆韓元增長 30%。TrendForce 預計三季度通用 DRAM 固定交易價格環比上漲 13% 至 18%，NAND 閃存上漲 10% 至 15%。證券界關注三星電子 HBM4 營收占比由一季度 5% 擴大至二季度約 35%，且良率改善。SK 海力士維持 HBM 市場份額第一，但三星 HBM4 量產改善或稀釋其供應溢價。花旗證券因韓元走強將 SK 海力士三季度營業利潤預估由 76.7 萬兆韓元下調至 74 萬兆韓元。美光將於 30 日公布 2026 財年第四季度（6 月至 8 月）業績，營收指引為 490 億至 510 億美元。

ChainCatcher 消息，韓國央行在近日發布的《2026 年 9 月貨幣信貸政策報告》中復盤了今年以來韓國綜合股價指數（KOSPI）的波動原因。報告顯示，隨著 KOSPI 不斷攀升，三星電子和 SK 海力士對指數上漲的貢獻率迅速提高。尤其是在 KOSPI 今年 6 月從 8000 點衝至 9000 點的過程中，兩隻股票對指數漲幅的貢獻率高達 99%。

ChainCatcher 消息，据外媒報導，三星電子和 SK 海力士拒絕了韓國電力公社提出的一項預繳電費方案，該方案原本要求兩家公司提前支付電費，為新建科技集群供電的電網建設提供資金。亞洲各地資金緊張的公用事業公司正難以跟上半導體和人工智慧行業日益增長的需求。韓國電力公社的方案據當地媒體估計合計 25 萬兆韓元，相當於五年的電費帳單。韓國電力公社發言人透過簡訊表示："兩家公司最終拒絕了韓國電力公社的提議。"據當地媒體報導，這兩家晶片製造商擔心當前半導體繁榮能否持續未來五年存在不確定性。

ChainCatcher 消息，中國最大 DRAM 廠商長鑫存儲 CXMT 近日啟動上海新廠合作商設備招標，並推進多地產能擴張。CXMT 目前在合肥二期、北京一期量產 DRAM，產能估約每月 20 萬片中段，年底或超過每月 30 萬片。CXMT 計劃今年四季度開上海新廠，相關設備招標已啟動。半導體設備業人士稱，該廠擬分兩階段擴建，產能將顯著超過每月 10 萬片。隨後計劃明年上半年開合肥新廠、最早明年下半年開北京新廠，後年上半年再開合肥新廠。設備業人士稱，CXMT 已與多方溝通多地建廠時點。若計劃全部落地，CXMT 今年至 2028 年每年可新增至少每月 7 萬至 8 萬片產能，長期或超每月 60 萬片。三星電子與 SK 海力士 DRAM 產能分別估約每月 70 萬片、60 萬片。

ChainCatcher 消息，据日經亞洲報導，中國芯片製造商長鑫存儲（CXMT）在利潤率方面已領先全球競爭對手，超越 SK 海力士和美光。該公司利用商品級 DRAM 供應緊張的局面，在第二季度佔據優勢。長鑫存儲的主要產品包括 DDR5 記憶體，近幾個月價格出現上漲。報導稱，這一情況出現在由韓國、美國和日本供應商主導的存儲芯片行業。

ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 9 日報導，三星電機與 LG Innotek 正推進進入英特爾 EMIB-T 用封裝基板供應鏈，相關產品開發與測試已在進行。EMIB 以小型矽橋連接晶片，英特爾此前主要用於自有晶片；改進版 EMIB-T 正擴大對外銷售。谷歌計劃於明年下半年推出的下一代 AI 加速器 TPU 將首次應用 EMIB-T。EMIB-T 在矽橋中插入用於電力傳輸的矽通孔。知情人士稱，三星電機多年來已開發 EMIB 用基板樣品，目前按 2.1D 封裝基板概念推進 EMIB-T 供應。LG Innotek 近期向 SK 海力士送交 EMIB-T 用封裝基板進行樣品測試，雙方正將 HBM 安裝於基板上以評估產品特性。目前 EMIB-T 用封裝基板由日本 Ibiden、新光電工、台灣欣興電子及奧地利 AT&S 供應。Ibiden 決定利用閒置工廠開工建設英特爾 EMIB-T 專用基板量產線，投資規模約 2 萬億韓元，並據悉已獲得谷歌、亞馬遜、英特爾等預付款。

ChainCatcher 消息，据朝鲜日报报道，中國最大 DRAM 廠商長鑫存儲（CXMT）已啟動第四代高帶寬存儲器 HBM3 試驗生產，初期良率停滯在 25%，約為量產黃金良率 80% 的三分之一。SK 海力士自 2022 年起量產同類產品，良率超過 90%。長鑫存儲 HBM3 8 層堆疊產品前道工序良率約 30%，後道工序後約 70% 成為最終良品。公司將少量樣品供應給阿里巴巴平頭哥、寒武紀等中國企業並持續改善良率。其 G4（17 奈米級）工藝普通 DRAM 無大問題，但 HBM 用 DRAM 晶片面積更大、電氣規格更嚴格。業界將原因指向矽通孔 TSV 技術成熟度不足。Nomad Semi 分析顯示，三星 HBM2 每晶片 TSV 超 5000 個，SK 海力士 HBM3 超 8000 個，長鑫存儲約 3000 個。與三星、SK 海力士存在 4 至 5 年差距。

ChainCatcher 消息，韓國券商 KB Securities 警告，三星電子和 SK 海力士的儲存半導體庫存已降至不足 10 天供應量，明年可用供應將明顯不足。該機構週一報告指出，人工智慧基礎設施投資以前所未有的速度擴張，儲存晶片市場面臨嚴重供應短缺。關鍵因素是向 HBM4 過渡，HBM4 所需晶圓約為傳統 DRAM 的三倍，晶圓產能有限將減少傳統 DRAM 可用產能。KB Securities 預計明年 DRAM 和 NAND 需求將超過供應 10 個百分點以上。研究主管 Kim Dong-won 表示，人工智慧伺服器將消耗 HBM、伺服器 DDR5 和企業級固態硬碟，可能導致歷史性短缺。全球超大規模數據中心運營商將明年人工智慧基礎設施投資預期上調至 1.3 萬億美元，較上年增長 60%。該機構預計明年儲存半導體將占人工智慧基礎設施總投資的 57%，高於去年的 14%，TrendForce 預計這一比例可能高達 68%。三星電子股價較高點跌去近 28%，SK 海力士跌去近 40%。

ChainCatcher 消息，据朝鮮日報 9 月 7 日報導，SK 海力士正在加快提高 10 奈米級第六代（1c）DRAM 生產占比。業內數據顯示，其 1c DRAM 占比由今年一季度約 10%升至二季度約 13%，三季度有望達約 24%，四季度約 34%；明年一季度或升至約 35%，首次超過 1b（約 33%）並成為主力工藝。1b（10 奈米級第五代）DRAM 占比在今年二季度約 43%見頂後轉為下降。二季度末，三星電子 1c 占比約 16%、美光約 19%，均高於 SK 海力士的約 13%。報導稱，SK 海力士下半年加快轉換，四季度或按約 34%超過三星電子約 31%。SK 海力士在二季度業績電話會上表示，採用 1c 工藝的 DRAM 供應自二季度起實質性展開，下半年將隨 HBM4 放量及 1c 通用 DRAM 出貨增加，比特增長率高於上半年。三星電子自 HBM4 起採用 1c DRAM，運行速度約 11.7Gbps；SK 海力士此前以已驗證的 1b DRAM 與先進 MR-MUF 封裝優先保障量產穩定性，自下一代 HBM4E 起首次將 1c DRAM 用作 HBM 核心芯片。Counterpoint Research 等預計，今年英偉達、谷歌、AMD 合計口徑下 HBM4 市場份額約為 SK 海力士 50% 中段、三星電子 20% 後段、美光 10% 後段。

ChainCatcher 消息，韓國央行表示，得益於三星電子和 SK 海力士積極擴建國內生產設施，韓國在儲存晶片產能方面的領先優勢預計將進一步擴大。韓國央行預計到 2028 年投產的新晶片工廠將使韓國每月晶圓產能增加約 60 萬片。

ChainCatcher 消息，据電子新聞 9 月 3 日報導，美光計劃將高帶寬記憶體 HBM 產能較去年擴大一倍，今年年底前最多新增月產能 6 萬片晶圓。知情人士稱，去年美光 HBM 產量約月產 4 萬至 5 萬片，年底有望達到約月產 10 萬片規模，以縮小與三星電子、SK 海力士的差距。美光正增加對多家 HBM 設備商的採購訂單，生產基地主要在中國台灣與新加坡晶圓廠，持續導入設備。目前產量以 HBM3E 12 層為主，今年初 HBM4 12 層佔比約 20% 至 30%，年底或升至最高 50%。HBM4 12 層將用於英偉達最新 AI 加速器 Vera Rubin，美光自今年第二季度起量產該產品。美光 CEO 梅赫羅特拉今年 6 月在 2026 財年第三季度業績會上表示，HBM4 12 層量產爬坡速度約為 HBM3E 12 層的兩倍，HBM4 累計出貨營收已超 10 億美元。業界認為三星、SK 海力士各自 HBM 產能約月產 15 萬至 20 萬片。Counterpoint 數據顯示，今年第二季度全球 HBM 市佔率 SK 海力士 50%、三星 32%、美光 18%。美光還在日本廣島籌備相關投資。

ChainCatcher 消息，韓國國有電力公司韓國電力正與三星電子和 SK 海力士洽談一項數十億美元規模的電費預付款計劃，以籌集資金建設新半導體產業集群所需的電網。根據目前方案，三星電子將預付 20 萬億韓元，SK 海力士預付 5 萬億韓元，合計 25 萬億韓元，約相當於未來 5 年的電費。韓國電力在一份聲明中表示，大規模電費預付款制度，是急需擴建電網的企業與需要投資資金的韓國電力相互滿足需求的一種機制。包括預付款金額和覆蓋期限在內的具體細節尚未最終確定。

ChainCatcher 消息，据韓國《首爾經濟》8 月 31 日報導，AI 加速器所用 HBM 與 DRAM 價格持續高漲。韓國貿易協會數據顯示，DRAM 出口量由 5 月約 6.817 億個降至 7 月 5.9174 億個，下降 13.2%，出口額則由 114.28 億美元增至 135.52 億美元，增長 18.5%，出口單價由 16.76 美元升至 22.9 美元，上漲 36.6%。HBM4 向英偉達等客戶供應擴大，且初期良率低於 HBM3E，加劇整體 DRAM 供應短缺。三星電子記憶體事業部據稱將至 2031 年約 70% 產能分配給長期供應協議，主要對象包括英偉達、微軟、谷歌。Mega Grid Supply 數據顯示，HBM3E 36GB 現貨價 2100 美元，約為長期協議價的 4 至 5 倍；正在量產協調的 HBM4 16 層現貨價約 3500 美元。金融投資界預計三星電子第三季度營收 206.64 萬億韓元、營業利潤 116.38 萬億韓元，營業利潤將首次突破 100 萬億韓元。SK 海力士第三季度營收預計 101.76 萬億韓元、營業利潤 79.16 萬億韓元。三星電子正考慮最早明年將平澤園區唯一晶圓代工產線 S5 轉為記憶體生產。

ChainCatcher 消息，今日韩股半導體概念股承壓回落，相關資產市場交投仍然活躍。據 Gate 平台數據，SK 海力士（000660）現報 1,175.12 美元，24 小時跌幅為 2.11%；三星電子（005930）現報 183.02 美元，24 小時跌幅為 1.94%。據 CoinGlass 數據顯示，SKHYNIX 與 SAMSUNG 合約市場交投活躍，兩項標的合約持倉量分別增長 4.03% 和 7.30%，合約成交額分別增長 451.63% 和 1069.65%。Gate 相關股票衍生品中，SKHX 合約持倉額達 1.80 億美元，居全網第二，24 小時成交額達 1.80 億美元；SAMSUNG 合約持倉額達 814 萬美元，居全網第二，24 小時成交額達 594 萬美元。

ChainCatcher 消息，据 Citrini 分析師 Jukan 爆料，SK 海力士正著手多元化高帶寬儲存器（HBM）所用基底晶片的代工廠供應商，這些 HBM 是透過垂直堆疊多個儲存晶片構建而成的。据悉，該公司正考慮將第七代 HBM 即 HBM4E 的部分基底晶片生產外包給英特爾代工廠。到目前為止，SK 海力士一直完全依賴台積電進行外包基底晶片生產。此舉被視為建立多供應商代工策略的努力，以減少供應鏈對台積電的集中度，同時增強 SK 海力士在定價方面的議價能力。根據行業消息人士 8 月 31 日的說法，SK 海力士正在推進一項計劃，即 HBM4E 的基底晶片可能由台積電和英特爾共同製造，最早可能從 HBM4E 世代開始。由於市場預期 HBM4E 的基底晶片成本負擔將進一步增加。由於 HBM 產品主要受長期供應協議（LTA）覆蓋，SK 海力士也難以立即透過提高產品價格將更高的代工成本轉嫁給客戶。因此，行業觀察人士認為，如果英特爾最終加入 SK 海力士的基底晶片供應鏈，該公司將在成本競爭力和供應穩定性方面獲得更多選擇。

ChainCatcher 消息，SK 海力士首席執行官 Kwak Noh-Jung 表示，公司正在研究深化與日本存儲晶片客戶及供應商合作的方式，並謹慎評估如何共同發展 NAND 閃存市場。對於公司在鋼鐵侠持有的重要間接權益，他表示目前「沒有任何確定計劃」。東芝本月減持後，為 SK 海力士持有相關股份的投資工具 BCPE Pangea Cayman2 已成為鋼鐵侠最大股東，持股比例為 14.19%。SK 海力士持有可轉換為該投資工具幾乎全部投票權的債券；根據此前協議，除非獲得鋼鐵侠同意，其投票權益在 2028 年前不得超過 15%。此外，SK 海力士正投資逾 40 億美元在美國印第安納州建設其首座美國 HBM 封裝基地。工廠潔淨室預計於 2028 年 10 月啟用，下一代 HBM 計劃於 2029 年下半年量產，全面運營後預計將雇用約 1000 人。公司同時仍在評估美國 NAND 子公司 Solidigm 上市的可能性，但尚未作出決定。