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hot_img アップルが長鑫メモリーチップをテストし、PCメーカーが国産DRAMを先行して採用した。

《ウォール・ストリート・ジャーナル》によると、Appleは中国のDRAMメーカー**長鑫存储(CXMT)**のメモリーチップをテストしており、iPhoneやMacBookなどの製品ラインに適用する計画です。この動きの背景には、AIの需要が世界的なメモリ価格を押し上げていることがあり、Appleは韓国系および米国系のサプライヤーからの価格が「持続不可能」であるとアメリカ側に訴えたとされています。報道によれば、Appleはホワイトハウスに対して中国のチップサプライヤーとのビジネスを行うための承認を求めており、現在アメリカは商用の現物チップの調達を許可していますが、カスタマイズ製品には制限を設けています。長鑫存储は最近、市場シェアを急速に拡大しており、第2四半期の収益は前年同期比で8倍以上の成長を遂げ、世界のDRAM市場シェアは**7%**に上昇し、先月には科創板でのIPOを完了しました。一方、HPやAcerなどのPCメーカーは、非米市場で販売される一部のデバイスに長鑫存储のメモリーチップを使用し、供給圧力を緩和し始めています。Appleが最終的に調達契約を結ぶ場合、ワシントンからの政治的な抵抗に直面する可能性があります。

hot_img 長鑫メモリはアップルの値下げ要求を拒否し、DRAMの価格決定権はサムスンとSKハイニックスに傾いている。

韓国の『デジタル日報』によると、Appleは最近、次世代iPhoneおよびスマートデバイスのコストを削減するために、長鑫存储(CXMT)とLPDDR5XなどのモバイルDRAM供給価格について交渉を行ったが、相手に拒否された。長鑫存储は、Samsung ElectronicsやSKハイニックスと同等、あるいはそれ以上の価格水準を維持することに固執し、Appleのエンドメーカーとしての従来の交渉優位性を打破した。報道は分析しており、HuaweiやXiaomiなどの中国のエンド企業は、長鑫存储の大量生産能力を長期の高価格契約で事前に確保しており、中国の内需市場は彼らに堅固な価格防衛線を提供している。一方、Samsung ElectronicsとSKハイニックスはHBMの生産能力が継続的に拡大し、一般的なDRAM供給を圧迫しており、加えて長鑫存储が価格の下限を守っているため、韓国メーカーは一般的なDRAM分野での出荷圧力と価格下落リスクが大幅に緩和され、HBM4、LPCAMM2、eSSDなどの高付加価値AIストレージ製品にリソースを集中できるようになった。業界関係者は、下半期に韓国半導体陣営の営業利益率と世界市場での価格決定権がさらに強化されると予測している。

Telegramは「下架レイプ攻撃」を受けたと称し、AppleのApp Storeがアプリを一時的に削除したのは、あるユーザーが違法なコンテンツを埋め込んだためだとしています。

Telegramの創設者兼CEOパベル・デュロフは、Telegramが最近Appleによって一時的にApp Storeから削除されたと述べました。その理由は、あるユーザーが公開グループに違法なポルノコンテンツを埋め込んだからです。このアプリは数時間後に再び掲載されました。デュロフは、攻撃者が技術的な脆弱性を利用して、AIで修正された違法コンテンツを活発なグループの古いメッセージに挿入し、履歴メッセージを編集することで内容を隠し、普通のグループメンバーがタイムリーに発見して報告するのを難しくしたと述べました。このような攻撃は「削除恐喝」(takedown extortion)行為に該当し、攻撃者は自動化されたアカウントを使って公開グループに違反コンテンツを埋め込み、Appleなどのプラットフォームに報告し、グループ管理者に身代金を支払わせようと試みます。さもなければ、プラットフォームのルールを利用してコミュニティが封鎖されることになります。デュロフはさらに、Telegramはユーザーの報告、AIフィルタリング、コンテンツハッシュなどのメカニズムを通じて違法コンテンツに対抗し続けており、今回の事件はプラットフォームのシステム的な問題ではなく、攻撃者がルールの脆弱性を利用して行った標的攻撃であると説明しました。彼は同時に、AppleがTelegramに事前に連絡することなくアプリを直接削除したことは、ユーザー生成コンテンツ(UGC)を提供するすべてのモバイルアプリにリスクをもたらす可能性があると警告しました。プラットフォーム開発者は、悪意のある報告や「削除攻撃」に対する防御能力を高める必要があります。

hot_img TrendForce:DRAM供給の緊張は2027年まで続く、NVIDIAはRubin Ultra HBMの構成を評価し引き下げる

TrendForce の最新研究によると、DRAM の供給不足は 2027 年 まで続くと予想されており、HBM4e の検証スケジュールの不確実性が重なり、AI チップメーカーは次世代製品の HBM 構成を見直すことを検討しています。2026 年第3四半期 から、NVIDIA は Rubin Ultra の HBM ソリューションを評価し、当初の 12- Hi HBM4e から 8- Hi HBM4e、12- Hi HBM4、および 8- Hi HBM4 などの代替案に拡大していますが、最終的な仕様はまだ決まっていません。以前、LPDDR5X の供給ボトルネックが 2027 年 まで続くと予想されているため、NVIDIA は次世代 Vera Rubin Superchip モジュールの SOCAMM 容量を 半減 することを決定しました。TrendForce は、Rubin Ultra が 12- Hi HBM4e からダウングレードされる主な理由として、2027 年 の全体的な DRAM 不足がウエハの HBM への配分を制限すること、及び 12- Hi HBM4e の量産スケジュールと良品率の向上に不確実性が残ることを挙げています。2027 年 の HBM ビット出荷量は前年同期比で約 50-60% 増加すると予想されていますが、需要の増加には応えられない見込みです。HBM サプライヤーは 2027 年 全年を通じて価格決定権を維持し、HBM 価格は大幅に上昇することが予想されています。最終的な構成は、メモリサプライヤーのウエハ配分の決定に依存します。

hot_img カウンターポイント:Q2 DRAM市場でサムスンが39%のシェアで再び1位に、長鑫メモリの収益は前年比で716%増加

Counterpoint Research のデータによると、2026 年第2四半期の世界 DRAM 市場で 三星電子 は 39% の市場シェアで再び首位に立ち、昨年同期から大幅に回復しました;SK 海力士 のシェアは昨年同期の 39% から 26% に減少しましたが、収益は前年同期比で 214% 増加しました;美光 は 25% のシェアで続き、SK 海力士との差はわずか 1 ポイント です。Counterpoint は、三星が汎用 DRAM の需要増加と HBM 分野のシェア拡大の二重の推進力によって反発を実現したと指摘しています。汎用 DRAM の価格は前四半期比で大幅に上昇しましたが、HBM の平均価格は HBM3E の価格下落と HBM4 の出荷遅延の影響で前年同期比で減少しました。長鑫存储 の収益は前年同期比で 716% 増加し、国内の強力な汎用 DRAM 需要と生産能力の拡張の恩恵を受けています;南亚科技 は前年同期比で 690% 増加し、DDR/LPDDR4/5 の供給拡大の恩恵を受けています。Counterpoint は、NVIDIA Vera Rubin と AMD Instinct MI455X の出荷に伴い、下半期に HBM4 の出荷量が大幅に増加し、製品構成の改善が HBM 価格の反発を支えることが期待されると予測しています。

長鑫ストレージは北京に2つ目のDRAMウェハ工場を建設することを検討しており、資金調達の支援を交渉中です。

ロイター通信によると、関係者は、長鑫存储が北京亦庄に2つ目の12インチDRAMウェハ工場を建設することを検討しており、北京経済技術開発区および複数の国有テクノロジー企業と資金調達の交渉を行っていると述べています。会社は少なくとも6,000万元人民元(約890万ドル)の支援を求めていますが、交渉はまだ初期段階にあり、資金調達の規模と構造は調整される可能性があります。建設予定の工場は、長鑫存储が現在運営している北京のDRAMウェハ工場の所在地に位置します。プロジェクトの計画された生産能力と総投資額はまだ確定しておらず、先進的なDRAMを生産するウェハ工場の建設には通常100億ドル以上が必要です。現在、長鑫存储は合肥で2つ、北京で1つの12インチDRAMウェハ工場を運営しており、それぞれの月間生産能力は約10万枚です。長鑫存储はまた、上海と合肥に新工場を建設中で、関連プロジェクトが全面的に稼働すれば、会社の月間生産能力は倍増し、60万枚を超える可能性があります。今回の生産拡大は、AIインフラ、データセンター、消費電子機器の需要がストレージチップを上昇サイクルに導いている時期に行われています。会社は先月、86億ドルのIPOを完了し、中国本土で最大規模の半導体企業の上場資金調達を実現しました。上場後、株価は13%上昇しています。長鑫存储は現在、世界で4番目に大きなDRAMメーカーですが、サムスン電子、SKハイニックス、マイクロンは第1四半期において依然として世界市場の約90%を占めています。北京と上海も長鑫存储に資金およびその他の支援を提供しており、同社の拡張による経済的および戦略的利益を得ようとしています。

hot_img 業界では2027年のDRAM生産能力がすでに売り切れ、HBMがDRAM生産能力のほぼ7割を占めるとされています。

DIGITIMESの報道によると、業界関係者は三大メモリメーカーが2027年の年間生産能力配分交渉を前倒しで完了し、DRAMとHBMの生産能力がいずれも売り切れたことを明らかにしました。NAND Flashに関しては、DRAMほどの緊張感はないものの、2026年8月末までに生産能力も予約完了する見込みです。ADATAの会長である陳立白は、HBMとAIサーバー関連のアプリケーションがDRAM生産能力のほぼ**70%**を占め、PCおよびスマートフォン用DRAMの供給は相対的に限られると確認しました。業界の評価によれば、Samsung、Micron、SanDiskの2027年の年間NAND生産能力もすでに予約が完了しており、KioxiaとSK hynixは8月末までに確認する見込みです。SKグループの会長である崔泰源は、2027年のAI半導体需要が2026年に比べて**60-100%増加する見込みで、ストレージ需要の増加幅は50-60%に達すると述べ、供給と需要のギャップが拡大し続け、「史上最も深刻な不足」に直面する可能性があると警告しました。業界関係者は、2026年に比べて生産能力配分モデルはより秩序があるが、メーカーが提供できる量は通常顧客の需要の60-70%**にとどまり、一部の中小買い手は依然として商品が手に入らない困難に直面していると指摘しています。2027年のメモリ価格の上昇幅は緩やかになる可能性がありますが、高止まりが常態化する恐れがあります。
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