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first_img 삼성전자 고위 임원: 내년 HBM이 DRAM 웨이퍼 생산 능력의 거의 30%를 차지할 것으로 예상됨

재무연구소에 따르면, 현지 시간 9월 29일 보도에 따르면, 삼성전자 부사장 김태우는 내년 HBM이 DRAM 제조업체의 웨이퍼 총 생산능력의 거의 30%를 차지할 것으로 예상하며, 현재 이 비율은 약 20%라고 밝혔다. 그는 HBM과 전통적인 DRAM이 동일한 웨이퍼 생산능력을 두고 경쟁하고 있으며, HBM 생산 확대가 전통적인 DRAM 공급을 압박할 수 있다고 언급했다.트렌드포스는 이전에 2027년 말까지 세계 3대 HBM 공급업체의 HBM 웨이퍼 투입량이 DRAM 웨이퍼 총 투입량의 약 30%를 차지할 것으로 예상했지만, 저장 용량 기준으로는 약 13%의 DRAM 총 공급량에 기여할 수 있다고 밝혔다. 또 다른 보도에 따르면, 삼성은 올해 2월부터 HBM4의 양산 출하를 시작했으며, 5월에는 엔비디아를 포함한 고객에게 12층 HBM4E 샘플을 제공했다. 업계에서는 삼성 HBM의 월 평균 웨이퍼 투입량이 올해 약 18만 장에서 내년 약 25만 장으로 증가할 것으로 예상하고 있다.트렌드포스는 같은 날 AI 서버 수요가 지속되고 있으며, HBM과 범용 DRAM이 여전히 제한된 첨단 공정 생산능력을 공유할 것이라고 밝혔다. 2027년 저장 공급은 여전히 긴축 상태를 유지할 것이며, 2027년 HBM 가격 전망을 상향 조정하여 혼합 평균 판매가가 전년 대비 121% 상승할 것으로 예상하고 있다. 공급이 제한되고 시스템 비용 상승의 영향을 받아, 8층 HBM은 2027년 여러 제조업체가 우선 평가할 솔루션이 될 것으로 예상되며, 그 가격은 12층 제품보다 약 10%에서 20% 더 높을 것으로 보인다.

first_img 공급망에 따르면 TSMC는 2027년 1월부터 웨이퍼 가격을 3%에서 6% 인상할 예정이다

공급망 관계자에 따르면, 타이완 반도체 제조 회사의 웨이퍼 대행 가격이 다시 상승할 것이며, 2027년 1월부터는 다양한 공정에 따라 웨이퍼 아웃 가격을 조정할 것이라고 합니다. 상승폭은 약 3%에서 6%입니다. 8인치 공장의 생산 능력 이용률이 100%를 초과하고 있으며, 45나노미터 이하의 공정은 가동률이 가득 차 있으며, 주문 가시성은 2030년까지 도달했습니다. 고급 공정의 상승폭이 더 높고, 성숙 및 특수 공정은 제품, 가동률 및 고객 상황에 따라 개별적으로 협상됩니다. 타이완 반도체 제조 회사는 시장의 소문에 대해 응답하지 않았습니다.공급망 관계자에 따르면, 타이완 반도체 제조 회사의 2나노미터 및 3나노미터는 수요가 공급을 초과하며, CoWoS와 같은 고급 패키징의 생산 능력 압박이 해소되지 않았습니다. 고객들은 가격 인상에 직면하더라도 공급업체를 즉시 전환하기가 쉽지 않습니다. 미국 애리조나주 공장은 상대적으로 높은 제조 비용을 반영하고 있으며, 대행 견적은 높은 수준을 유지하고 있습니다. 가격 조정 후, 삼성전자, 인텔, UMC, 세계 선진 등 웨이퍼 대행 업체와 패키징 및 IC 설계 고객의 견적도 영향을 받을 수 있습니다. UMC, 리지반도체, 세계 선진은 이미 가격 인상 전략을 발표했으며, 가격 인상은 2027년까지 지속될 것입니다.공급망에 따르면, 이번 AI 수요는 GPU, ASIC 및 HBM 외에도 PMIC, MCU, 드라이브 IC, 아날로그 IC 및 센서 등의 수요를 증가시켰습니다. IC 설계업체는 웨이퍼 가격이 인상된 후 제품 비용을 재평가해야 하며, 고급 GPU와 ASIC은 전가할 수 있는 공간이 상대적으로 큽니다. 타이완 반도체 제조 회사의 회장인 웨이철가는 고객이 웨이퍼 대행 파트너를 선택하는 것은 오늘 불만족스럽다고 해서 내일 다른 곳으로 바꾸는 것이 아니라고 말했습니다. 공급망 관계자에 따르면, 구글, 애플, NVIDIA 등의 전환 주문은 주로 비핵심 칩 또는 규모가 제한된 주문에 해당하며, 주요 고급 공정 고객의 투입에는 뚜렷한 변화가 나타나지 않았습니다.

first_img 실리콘 웨이퍼 공급과 수요의 격차는 2026년 말 약 8%에서 2028년 24%로 확대될 것입니다

산업일보에 따르면, HBM 및 2 나노미터 이하의 고급 로직 동기 확장에 따라, 법인은 2026년 말 전 세계 실리콘 웨이퍼 공급과 수요의 격차가 약 8%에서 2027년 15%, 2028년 24%로 확대될 것으로 예상하고 있습니다. 글로벌 반도체, 합작 및 타이완 세미콘덕터의 운영이 혜택을 받을 것으로 보입니다. 법인은 2027년 중반이 중요한 전환점이 될 것이라고 지적하며, 공급 확장 속도가 따라가지 못할 경우 2027년 하반기부터 2028년 상반기까지 새로운 품귀 현상과 구매 열풍이 발생할 수 있다고 경고했습니다.SEMI 통계에 따르면, 2026년 2분기 전 세계 실리콘 웨이퍼 출하 면적은 35.73억 평방 인치에 달하며, 분기 대비 9.1%, 연간 7.4% 증가했습니다. 법인은 2026년 전 세계 12인치 실리콘 웨이퍼 월 생산 능력이 약 1069만 장으로 연간 7% 증가할 것으로 추정하며, 2027년에는 약 3% 증가하여 1100만 장에 이를 것으로 보이고, 2028년에는 약 6% 증가하여 1170만~1176만 장에 이를 것으로 예상하고 있습니다. 신규 공급에는 글로벌 반도체의 두 번째 단계 초기 약 30만 장과 합작의 약 10만 장이 포함됩니다.법인은 2027년과 2028년 HBM 실리콘 웨이퍼 소비량이 각각 연간 23%, 28% 증가할 것으로 예상하고 있으며, 일반 DRAM의 신규 생산 능력은 2027년부터 순차적으로 가동되어 2028년에는 월 생산 능력이 약 35만~45만 장에 이를 것으로 보입니다. 고급 로직 부문에서는 2027년과 2028년 로직 공정 실리콘 웨이퍼 소비량이 각각 연간 12%, 11% 증가할 것으로 예상됩니다. 현재 고객의 실리콘 웨이퍼 재고는 여전히 약 100~120일이며, 50~70일의 정상 수준으로 돌아가려면 시간이 필요합니다.

first_img 반도체 실리콘 웨이퍼가 3년 만에 약 10% 인상되었으며, 글로벌 웨이퍼 등 대만 기업들이 혜택을 보고 있다

경제 보도에 따르면, 반도체 실리콘 웨이퍼가 코로나19 팬데믹 이후 처음으로 눈에 띄게 가격이 상승했으며, 6인치, 8인치, 12인치 등 모든 규격이 포함되어 있으며, 상승폭은 10% 이상이다. 업계는 이것이 3년 이상 만에 처음으로 가격이 인상된 것이라고 보고 있으며, 글로벌 웨이퍼, 타이완 세미컨덕터, 합晶 등 대만 주요 실리콘 웨이퍼 공급업체들이 매출 및 수익 개선을 기대하고 있다.글로벌 웨이퍼는 최근 일부 최종 시장의 수요가 점진적으로 개선되고 있으며, 산업 체인 재고 조정이 과거보다 건강해졌고, 시장 신호가 지난해보다 더 긍정적이라고 밝혔다. 타이완 세미컨덕터는 원가 압박과 수요 지원에 따라 고객과 가격 조정에 대한 논의를 시작했다고 전하며, 하반기 운영이 상반기보다 나아질 것으로 기대하고 있다. 합晶은 고객과의 가격 조정 협상을 적극적으로 진행하고 있으며, 고급 패키징 등 관련 제품을 지속적으로 추진하고 있다고 밝혔다.업계 분석에 따르면, 이번 가격 인상은 AI에 의해 촉발된 칩 수요 회복을 반영하며, 고급 공정 및 성숙 공정의 사용량 증가로 인해 상류의 실리콘 웨이퍼 산업이 점차 회복세를 느끼고 있다. 현재 각 업체와 고객 간의 협상 진행 상황은 다르며, 12인치 폴리싱 웨이퍼는 일부에서 두 자릿수 퍼센트의 새로운 가격이 적용되고 있으며, 8인치 및 6인치 제품도 유사한 방향으로 조정 협상이 진행되고 있다.

first_img 삼성전자 평택 P5 공장 확장을 3층 웨이퍼 공장으로 추진하다

동아일보 보도에 따르면, 삼성전자는 경기도 평택 반도체 사업장 핵심 프로젝트 P5 1·2 공장(Fab 5·6)을 기존의 이층 웨이퍼 공장에서 삼층 웨이퍼 공장으로 확장하여 글로벌 인공지능 반도체 및 메모리 슈퍼 사이클에 대응하고, 생산 능력을 극대화할 계획이다. 삼성전자는 최근 산업단지 계획 변경안을 제출하였으며, 용적률을 350%에서 최대 490%로 상향 조정할 예정이다. 이 변경안은 경기도지사의 심사를 거쳐 국토교통부 산업 입지 정책 심의위원회의 승인을 받아 최종 확정된다.평택 P5 1·2 공장은 단일 기준으로 세계 최대 규모의 반도체 공장으로, 2022년에 착공하여 2030년 완공을 목표로 하며, 고대역폭 메모리(HBM), 고급 DRAM, 차세대 V-NAND 및 첨단 위탁 생산 제품을 생산할 예정이다. 현재 가동 중인 평택 P4는 단일 건물에 4개의 클린룸을 갖춘 이층 구조이다; 만약 변경이 승인된다면, P5부터는 최대 6개의 클린룸이 배치될 예정이며, 클린룸 수와 생산 능력이 약 1.5배 증가할 것으로 기대된다. SK 하이닉스 또한 용인 반도체 클러스터에 새로 건설되는 웨이퍼 공장을 모두 삼층 구조로 설계할 계획이다.시장 조사 기관 Counterpoint Research는 글로벌 메모리 시장 규모가 지난해 약 360조 원에서 올해 1500조 원, 내년 2100조 원으로 증가할 것으로 예상하고 있다. 전력, 용수 및 토지 확보가 점점 어려워지는 상황에서, 용적률을 높여 삼층 웨이퍼 공장을 건설하는 것이 제한된 공간의 물리적 제약을 극복하고 기존 반도체 산업 생태계를 기반으로 하는 중요한 경로가 되고 있다.

hot_img 삼성전자는 기흥 NRD-K 연구개발 생산 라인을 웨이퍼 파운드리 용도로 전환할 계획이며, 목표는 HBM용 2nm 기반 칩의 양산이다

ZDNet Korea의 보도에 따르면, 삼성전자는 기흥단지 NRD-K 2호 생산라인의 원래 용도를 연구개발 시설에서 웨이퍼 파운드리 생산라인으로 변경하고 있으며, 주요 목표 제품은 엔비디아 HBM에 필요한 2nm 기본 칩입니다. 이 생산라인은 2028년 하반기에 가동될 예정이며, "Send-Fab" 모델을 채택하여 다른 양산라인에서 웨이퍼를 수령하고 특정 공정을 위탁 가공합니다.NRD-K는 삼성전자가 미래 반도체 기술을 선점하기 위해 건설한 최첨단 복합 연구개발 단지로, 총 투자액은 약 20조 원이며, 3개의 생산라인이 계획되어 있습니다. 그 중 첫 번째 라인은 2024년 말에 완공될 예정입니다. 이번 조정은 AI 인프라 투자에 따른 HBM 수요 확대에 선제적으로 대응하기 위한 것입니다. 삼성은 맞춤형 HBM 및 HBM5에 2nm 공정을 우선 적용하여 성능 우위를 유지할 계획입니다.업계 관계자는 NRD-K 2호 라인의 규모가 상대적으로 작아 Send-Fab 형태로 운영하기에 적합하다고 언급했습니다. 그러나 생산라인 가동까지는 약 2년의 시간이 남아 있으며, 최종 용도는 시장 상황에 따라 다시 조정될 가능성이 있습니다. 삼성은 이전에 이 생산라인을 DRAM 생산에 사용할 것을 고려했으나, 관련 계획이 이번 달 수정된 후 DRAM 생산 능력은 평택 단지에 더 집중될 것입니다. 장비 구매 주문은 아직 공식적으로 발주되지 않았습니다.

hot_img 실리콘 웨이퍼 공급이 긴축: 12인치 생산능력이 거의 가득 차고, GlobalWafers와 마이크론이 10년 계약 체결

한국 언론 The Elec 보도에 따르면, GlobalWafers는 Q2 재무 보고 전화 회의에서 12인치, 8인치 및 6인치 생산 라인이 거의 가동률에 도달했으며, 일부 고급 12인치 제품에서 공급 제약이 발생했다고 밝혔습니다. 주된 원인은 AI 칩, HBM 및 고급 패키징 수요의 급증입니다. 신엑스화학 Q2 12인치 출하량은 전년 대비 및 전 분기 대비 두 자릿수 성장을 달성했으며, 승고 또한 고객 재고 조정이 거의 끝났다고 판단하고 있습니다. SK Siltron의 새로운 생산 라인 용량은 점차적으로 풀리고 있지만, 여전히 주문 증가 속도를 충족하기 어렵습니다.공급 긴장은 장기 계약 모델의 변화를 촉진하고 있으며, GlobalWafers는 지난달 마이크론과 10년 LTA(선불 포함)를 체결했습니다. 비 LTA 시장 가격은 이미 상승하기 시작했으며, 하반기에도 계속해서 상승할 것으로 예상됩니다. GlobalWafers는 고객과 새로운 계약에 가격 조정 메커니즘을 포함하는 것에 대해 협상 중이라고 밝혔으며, 세창전자 또한 "재투자를 지원하기 위해 광범위하고 의미 있는 가격 인상이 필요하다"고 강조했습니다. 업계에서는 삼성, SK 하이닉스 및 마이크론 등 새로운 공장이 잇따라 가동됨에 따라 2027년 하반기 웨이퍼 수요가 두 배로 증가할 것이며, 공급 부족이 더욱 심화될 가능성이 있다고 예상하고 있습니다.

장신 저장소는 베이징에 두 번째 DRAM 웨이퍼 공장을 건설하는 것을 고려하고 있으며, 자금 지원을 협상 중이다

로이터 통신에 따르면, 관계자들은 장신 저장소가 베이징 이좡에 두 번째 12인치 DRAM 웨이퍼 공장을 건설하는 것을 고려하고 있으며, 베이징 경제 기술 개발 구역 및 여러 국유 기술 기업과 자금 조달을 협상 중이라고 전했습니다. 회사는 최소 6,000만 위안(약 890만 달러)의 지원을 요청하고 있지만, 협상은 아직 초기 단계에 있으며, 자금 조달 규모와 구조는 조정될 수 있습니다.건설 예정인 공장은 장신 저장소의 기존 베이징 DRAM 웨이퍼 공장이 위치한 곳에 세워질 것입니다. 프로젝트의 계획 생산 능력과 총 투자액은 아직 확정되지 않았으며, 일반적으로 고급 DRAM을 생산할 수 있는 웨이퍼 공장을 건설하는 데는 100억 달러 이상이 필요합니다. 현재 장신 저장소는 헝페이에서 두 개, 베이징에서 한 개의 12인치 DRAM 웨이퍼 공장을 운영하고 있으며, 각 공장의 월 생산 능력은 약 10만 장입니다. 장신 저장소는 상하이와 헝페이에서도 새로운 공장을 건설 중이며, 관련 프로젝트가 전면 가동되면 회사의 월 생산 능력은 두 배로 증가하여 60만 장을 초과할 수 있습니다.이번 생산 확대는 AI 인프라, 데이터 센터 및 소비자 전자 제품 수요가 메모리 칩의 상승 주기를 촉진하는 시점에 이루어집니다. 회사는 지난달 860억 달러 규모의 IPO를 완료하여 중국 본토에서 가장 큰 반도체 기업의 상장 자금을 조달했으며, 상장 이후 주가는 13% 상승했습니다. 장신 저장소는 현재 세계에서 네 번째로 큰 DRAM 제조업체이지만, 삼성전자, SK 하이닉스 및 마이크론은 1분기 동안 여전히 전 세계 시장 점유율의 거의 90%를 차지하고 있습니다. 베이징과 상하이도 장신 저장소의 확장이 가져올 경제적 및 전략적 이익을 위해 자금 및 기타 지원을 제공하고 있습니다.

hot_img 대만 반도체 제조업체 TSMC가 2027년부터 웨이퍼 위탁 가치를 최대 10% 인상할 예정이라고 전해졌다

《니케이 아시아》에 따르면 여러 소식통의 정보를 인용하여, TSMC는 2027년에 고급 및 성숙 공정 칩의 위탁 생산 가격을 인상할 계획이며, 인상 폭은 최대 10%에 이를 수 있다고 보도했습니다. 이는 원자재, 제조 장비 및 해외 신규 공장 건설 비용 상승으로 인한 압박에 대응하기 위한 것입니다. TSMC는 고객과 가격 인상 문제에 대해 협상을 시작했으며, 7nm 및 그보다 더 진보된 공정이 포함됩니다. 이 부분의 사업은 올해 4월부터 6월까지의 분기 동안 TSMC의 약 77%의 수익을 기여했습니다.소식통에 따르면, 기본 인상 폭은 5%에서 10%로, 구체적인 사항은 고객과 제품에 따라 다릅니다. 고객의 원래 예측을 초과하는 고성능 컴퓨팅(HPC) 칩의 신규 주문에 대해서는 TSMC가 기본 인상 폭에 추가로 10%에서 15%의 프리미엄을 부과할 계획입니다. 따라서 일부 고급 공정 칩 주문의 전체 인상 폭은 10%를 초과할 수 있습니다. 성숙 공정 측면(12nm, 16nm, 28nm 등 공정 및 기타 전통 공정 포함)에서 TSMC는 최대 10% 인상을 계획하고 있지만, 일부 제품의 인상 폭은 이 수준보다 낮을 것입니다. 성숙 공정 사업은 지난 분기 동안 회사 수익의 약 23%를 차지했습니다. 소식통은 관련 협상이 6월경에 시작되어 7월에 확정되었으며, 새로운 가격은 2027년 초에 발효될 것이라고 전했습니다.
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