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first_img SK 海力士称 3D DRAM 开发可利用代工工艺

ChainCatcher 消息,SK 海力士 9 日表示,下一代存储器 3D DRAM 半导体开发可利用代工工艺。此前一日,该公司在利川园区 Supex 中心举行的 2026 SK 海力士未来论坛上,副社长金庆勋、孙浩英提出 3D DRAM 主要技术方向,包括 DRAM 外围电路采用逻辑代工工艺、最大化数据总线带宽、超短距离传输等。3D DRAM 是将原先平面铺设的存储单元垂直堆叠以提高集成度的下一代 DRAM。两人表示,实现该技术除设计与发热问题外,还需一并解决微细互连、键合、工艺整合等封装领域难题。随着前道与后道封装、代工与存储器技术边界趋近,超越既有领域的共同优化将更重要。孙浩英称,3D 技术正在改变晶圆厂与封装的技术边界,需与先进封装技术创新一起,建立超越既有领域的优化与新协作体系。同主题发表的高丽大学教授申昌焕表示,3D DRAM 不仅是芯片垂直堆叠,更是打破存储器与逻辑边界的技术;随着器件微细化接近极限、系统与存储器间数据移动带来的时间与功耗增加,转向 3D 技术不可避免,并提议以人工智能联动材料、器件、封装、架构四领域的 3D 集成设计框架。SK 海力士社长郭鲁正在致辞中称,过去存储器市场像比谁跑得更快的直线道路,现在则像时刻变化的弯道,除内部能力外,把握外部环境变化速度与方向并灵活适应也很重要。

first_img 三星先进代工涨价最高15%,AI需求推升产能

ChainCatcher 消息,据路透社援引知情人士报道,三星电子已对部分先进代工服务新订单提价最高 15%,因 AI 芯片需求激增导致产能紧张。该公司长期在代工领域落后于台积电。中国客户需求尤为强劲,但三星需优先服务美国客户并预留部分产能支持自有芯片生产,无法承接全部订单。受美国先进芯片设备对华出口限制影响,中国企业更依赖海外代工厂,部分中国客户接受了最大幅度涨价。知情人士称,三星于 7 月上调 4 纳米(SF4)工艺价格,中国与美国客户涨幅 10% 至 15%,台湾客户为 5% 至 10%;5 纳米(SF5)晶圆涨价 10% 至 15%,较旧的 8 纳米工艺涨幅接近 10%。平泽工厂 SF4 产线自去年底以来满负荷运转,既为高通等客户生产逻辑芯片,也为三星自身 HBM 提供基础裸片。分析指出,台积电先进产能被订满后,客户转向三星与英特尔,使三星具备提价空间。三星代工业务自 2022 年以来持续亏损,但公司预计在稼动率提升、良率改善与价格走强推动下有望较快扭亏,下半年代工营收有望同比两位数增长,先进工艺占比将超一半,AI 与高性能计算应用占比将超 30%。特斯拉、苹果、博通、英伟达等已与三星达成相关合作,谷歌亦在洽谈使用 SF4 制程。
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