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first_img 三星電子の第3四半期営業利益が初めて100兆ウォンを突破する可能性がある

韓国の『ソウル経済』が8月31日に報じたところによると、AIアクセラレーターで使用されるHBMとDRAMの価格が引き続き高騰しています。韓国貿易協会のデータによると、DRAMの輸出量は5月の約6.817億個から7月の5.9174億個に減少し、13.2%の減少となりましたが、輸出額は114.28億ドルから135.52億ドルに増加し、18.5%の増加を見せました。輸出単価は16.76ドルから22.9ドルに上昇し、36.6%の上昇となっています。HBM4はNVIDIAなどの顧客への供給が拡大しており、初期の良品率はHBM3Eよりも低く、全体的なDRAM供給不足を悪化させています。サムスン電子のメモリ事業部は、2031年までに約70%の生産能力を長期供給契約に配分する予定で、主な対象にはNVIDIA、マイクロソフト、グーグルが含まれています。Mega Grid Supplyのデータによると、HBM3E 36GBの現物価格は2100ドルで、長期契約価格の4倍から5倍に相当します;量産調整中のHBM4 16層の現物価格は約3500ドルです。金融投資界では、サムスン電子の第3四半期の売上高は206.64兆ウォン、営業利益は116.38兆ウォンになると予測されており、営業利益は初めて100兆ウォンを突破する見込みです。SKハイニックスの第3四半期の売上高は101.76兆ウォン、営業利益は79.16兆ウォンと予想されています。サムスン電子は、早ければ来年に平沢キャンパスの唯一のウェハー受託生産ラインS5をメモリ生産に転換することを検討しています。

SKハイニックスはインテルを次世代HBMベースチップの供給業者として検討しています。

Citrini のアナリスト Jukan の情報によると、SK ハイニックスは多様な高帯域幅メモリ(HBM)用の基板チップのファウンドリ供給業者を多様化する作業を進めているとのことです。これらの HBM は、複数のメモリチップを垂直に積み重ねて構築されています。報道によれば、同社は第7世代 HBM すなわち HBM4E の一部基板チップの生産をインテルのファウンドリに外注することを検討しているとのことです。これまで、SK ハイニックスは完全に TSMC に依存して基板チップの生産を外注してきました。この動きは、サプライチェーンの TSMC への集中度を減少させるための多供給業者ファウンドリ戦略の構築努力と見なされています。また、SK ハイニックスの価格交渉力を強化することにもつながります。業界の情報筋によれば、8月31日、SK ハイニックスは HBM4E の基板チップを TSMC とインテルが共同で製造する計画を進めており、最も早く HBM4E 世代から始まる可能性があるとのことです。市場は HBM4E の基板チップのコスト負担がさらに増加することを予想しています。HBM 製品は主に長期供給契約(LTA)でカバーされているため、SK ハイニックスはすぐに製品価格を引き上げてより高いファウンドリコストを顧客に転嫁することが難しい状況です。したがって、業界の観察者は、インテルが最終的に SK ハイニックスの基板チップ供給チェーンに加わる場合、同社はコスト競争力と供給の安定性においてより多くの選択肢を得ることになると考えています。

SKハイニックスは日本とのストレージ協力を深化させ、アメリカのHBMパッケージ基地を推進することを計画しています。

SKハイニックスのCEO、Kwak Noh-Jung氏は、同社が日本のストレージチップの顧客およびサプライヤーとの協力を深める方法を研究しており、NANDフラッシュ市場の共同発展について慎重に評価していると述べました。同社がKioxiaに持つ重要な間接的権益について、現在「確定した計画はない」と述べました。今月、東芝が持ち株を減らした後、SKハイニックスが関連株式を保有する投資ツールBCPE Pangea Cayman2はKioxiaの最大株主となり、持株比率は14.19%です。SKハイニックスは、この投資ツールにほぼ全ての議決権に転換可能な債券を保有しています。以前の合意に基づき、Kioxiaの同意を得ない限り、2028年までその議決権は15%を超えてはならないとされています。さらに、SKハイニックスはアメリカのインディアナ州に初のアメリカHBMパッケージ基地を建設するために40億ドル以上を投資しています。工場のクリーンルームは2028年10月に稼働する予定で、次世代HBMは2029年下半期に量産される見込みで、全面的に運営されると約1000人を雇用することが期待されています。同社はまた、アメリカのNAND子会社Solidigmの上場の可能性を評価していますが、まだ決定には至っていません。

SKハイニックス中国のECフラッグシップ店が営業を終了する予定、中国地域は直接運営ではないと述べている

8月24日に消費者が発見したところによると、「SKhynix 旗舰店」の店舗ホームページに経営終了の公示が掲載され、2026年9月9日に自主的に経営を終了する予定であり、店内の商品はすべて下架されました。8月25日現在、淘宝プラットフォームでは直接この店舗を検索することができなくなっています。公開資料によると、同店は以前はSK海力士ブランドの消費者向けSSDを主に販売しており、運営主体は天津海利士科技有限公司です。天眼查の情報によれば、同社は2020年7月に登録され、登録資本金は100万元で、技術サービスや電子製品の販売などを含む業務範囲を持っていますが、公開された工商情報にはSK海力士本社や中国地区との株式、持株または直接の従属関係は示されていません。SK海力士中国地区は、「SKhynix 旗舰店」が会社によって直接運営されていないことを確認したと述べました。閉店の理由、他の関連する電子商店の運営または許可状況、歴史的な注文の保証に関する問題については、内部および関連する関係者との確認を進めているとのことです。この閉店事件は再びSK海力士が消費者向けストレージ事業を縮小するのではないかという憶測を呼び起こしました。今年1月には、消費者向けストレージの生産を停止し、消費者向けDRAMおよびNAND事業から撤退する計画があるとの噂が流れましたが、1月14日にSK海力士の関係者はこれを公に否定し、現在、消費者向け製品事業からの撤退を検討または計画していないと述べました。

韓国のDRAMの8月の輸出価格が前年同月比で401%急騰、SKハイニックスは来年がメモリ不足の最短年になる可能性があると述べた

韓国の『朝鮮日報』の報道によると、韓国のDRAM輸出価格が引き続き急騰しており、AI駆動のHBM生産が一般的なメモリ供給を圧迫しています。データによると、今月1日から20日までの間に、韓国のDRAM輸出単価は1キログラムあたり92,183ドルに達し、前年同期比で401%の上昇、2023年1月の低点からは約12.5倍の上昇となっています。ゴールドマン・サックスは、DRAMの供給不足が今年の5.0%から来年の5.9%に拡大すると予測しており、AIサーバーに必要なHBMや大容量サーバーDRAMが限られた生産能力を吸収しているため、一般的なDRAM供給がさらに厳しくなり、供給不足は2028年まで続く可能性があると考えています。TrendForceは、来年末までに、サムスン、SKハイニックス、マイクロンがHBM生産に投入するウェハの量がDRAM総ウェハ投入の30%を占めると予測していますが、HBMが実際のDRAMビット供給量に占める割合は約13%に過ぎません。メモリメーカーは、AI需要によって引き起こされるDRAMとNANDの供給緊張が2027年以降も続く可能性があると警告しています。SKハイニックスは、供給側から見ると2027年がメモリ業界の歴史の中で最も深刻な不足の年になる可能性があると述べています。

first_img SKハイニックスの淘宝フラッグシップストアが全製品を下架し、営業を終了する予定です。

澎湃ニュースなどの報道によると、8月24日に消費者が淘宝天猫店「SKhynix 旗舰店」が突然営業を終了すると発表し、購入したメモリのアフターサービス保証に影響が出ることを懸念しています。当店のホームページには2026年9月9日に自主的に営業を終了する旨が公示されており、すべての製品が下架されており、現在淘宝で直接検索することはできません。淘宝プラットフォームのカスタマーサービスは、閉店後に注文がまだアフターサービスの有効期限内であれば、注文詳細ページから修理または返金を申請できると述べています。アフターサービスの入口がない場合や売り手が処理していない場合は、プラットフォームのカスタマーサービスに連絡して支援を受けるか、ブランドの公式保証があるかどうかを確認してください。8月25日、SK海力士の株価は低開低走し、関連の報道時点で4%以上の下落を記録しました。別の報道によると、SK海力士の労働組合のメンバーが2ヶ月の交渉を経て合意に達した初期給与協定を否決しました。投票に参加した15045人の従業員のうち50.08%が反対し、賛成と反対はわずか25票の差でした。協定には6.3%の給与増加が含まれており、利益分配ボーナスは40%の現金と60%の会社株式に調整される予定でしたが、以前はすべて現金で支給されていました。

first_img 三星とSKハイニックスが中国のNAND基地を強化し、年内に設備投資を進める

ZDNet Korea の報道によると、サムスン電子と SK ハイニックスは、来年まで中国の NAND フラッシュメモリ量産ラインへの設備投資を継続し、現地生産拠点を強化する計画です。サムスンは今年上半期から西安 X2 生産ラインで V9 NAND への転換投資を進めており、この製品は約 280 層の積層を持つ先進的なプロセスで、月産能力は 4 万から 5 万枚になると予想されています。量産を安定させるために、同社は追加投資計画を確定しており、核心はエッチングプロセス設備の追加です。関連する調達注文は年末前後に明確になる見込みで、追加投資は来年下半期から実施される予定です。SK ハイニックスは、今年第3四半期から大連 2 工場の NAND 製品アップグレードに関連する設備投資を進めており、議論中の規模は月産能力 3 万枚に相当します。重要な製造設備は来月から順次導入され、来年上半期中に配備を完了する計画です。大連工場は、2020 年下半期にインテルの NAND 事業部を買収した後に引き継いだ資産で、2022 年には増産のために 2 工場の起工式を行いましたが、市況などの要因で設備投入が一時中断されていました。現在、投資が再開されます。業界関係者は、上記の計画は中国国内の先進的な NAND 生産能力を段階的に拡大し、人工知能サーバーなどの分野における高性能ストレージの需要の急速な増加に対応することを目的としていると指摘しています。

セレニティ:レバレッジトレーダーが暗号通貨とバイオテクノロジー、AI株に移行し、より迅速な修正を求める

Serenityは発表し、レバレッジトレーダーがAI株からHyperliquid(暗号市場)およびバイオテクノロジーの対象に再び移行したと述べており、これがAI株の回復を早める可能性があると考えています。韓国のETF EWYは、SKハイニックスの株式買戻しによって主に上昇し、同時にサムスンのウエハー受託生産価格が約10%から15%引き上げられました。Serenityは、SKハイニックスがCPOロードマップを公開し、関連する計画がメモリを接続する光子中介層を含むことを明らかにし、今後アドレッサブル市場を拡大し、レーザー、光子集積回路およびパッケージングなどのサプライチェーンの需要を促進する可能性があると述べています。さらに、長鑫ストレージ(CXMT)が成功裏に上場した後、長江ストレージ(YMTC)は次の四半期にIPOを目指しています。光電メーカーのTyntekはストップ高となり、その注文の可視性は2028年まで延長されており、光子産業における光電ダイオードの供給と需要の不均衡を反映しています。また、高級PCBのドリルビット不足は依然として続いており、AIデータセンター、サーバーおよび光通信がPCB、HDIおよびパッケージ基板の需要を押し上げており、タングステン価格も上昇しています。

hot_img SKハイニックスは日本の宮城県に半導体工場を建設するために数十兆ウォンを投資する予定です。

韓国聯合ニュース傘下のInfomaxの報道によると、SKハイニックスは日本の宮城県に半導体工場を建設する計画を進めており、投資規模は数十万億ウォンに達します。SKグループの会長、崔泰源氏は最近この地域を訪問しました。宮城県は日本政府が重点的に支援している三大半導体産業基地の一つです。報道によれば、この工場はSKハイニックスが韓国の龍仁、湖南クラスター以外に設ける海外生産基地であり、継続的に厳しい世界的なメモリ供給と需要の状況に対応することを目的としています。計画が実現すれば、SKハイニックスは米国のマイクロン、台湾のTSMCに次いで、3番目に日本に工場を設ける外国半導体企業となります。報道は、米国が韓国企業に対して米国への投資を拡大するよう圧力をかけ続けているため、今回の日本への投資が米国の圧力をさらに強める可能性があると指摘しています。また、日本政府の補助金政策も重要な考慮要素です。SKハイニックスはこの件について正式にコメントしていません。以前の8月20日、SKハイニックスは40兆ウォンの株式買戻しと消却計画を発表したばかりです。

first_img サムスン電子、平沢P5工場の拡張を三層ウェーハ工場に進める

東亜日報の報道によると、サムスン電子は京畿道平沢半導体事業場の核心プロジェクトP5 1·2工場(Fab 5·6)を、従来の二層ウェハ工場から三層ウェハ工場に拡張する計画を立てており、これは世界的な人工知能半導体およびメモリのスーパーサイクルに対応し、最大限に生産能力を向上させるためです。サムスン電子は最近、産業団地計画の変更案を提出し、容積率を350%から最高490%に引き上げることを提案しています。この変更は、京畿道知事の審査を経て、国土交通部の産業選定政策審議委員会の承認を受けて最終的に決定される必要があります。平沢P5 1·2工場は、単一基準の下で世界最大規模の半導体工場であり、2022年に着工し、2030年の完成を目指しています。高帯域幅メモリ(HBM)、高性能DRAM、次世代V-NANDおよび先進的な受託生産品を生産する予定です。現在稼働中の平沢P4は、単一棟に4つのクリーンルームを持つ二層構造ですが、変更が承認されれば、P5は最大6つのクリーンルームを配置し、クリーンルームの数と生産能力は約1.5倍に向上する見込みです。SKハイニックスも龍仁半導体クラスターの新しいウェハ工場をすべて三層構造で建設する計画です。市場機関Counterpoint Researchは、世界のメモリ市場規模が昨年の約360兆ウォンから今年は1500兆ウォン、来年は2100兆ウォンに増加する見込みであると予測しています。電力、水の使用、土地の取得がますます困難になる中で、容積率を高めて三層ウェハ工場を建設することは、限られた空間の物理的制約を突破し、既存の半導体産業エコシステムに依存する重要な道となっています。
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