dram

IT Дом сообщает, что по данным Money Today от 8 октября, мобильное подразделение Samsung Electronics (MX) планирует сократить производство смартфонов, с максимальным снижением объемов на 30% в четвертом квартале 2026 года. Несколько информированных источников в IT-отрасли сообщили, что подразделение Samsung MX уведомило нескольких партнеров о необходимости сократить объемы поставок продукции на 20% до 30%. IT Дом уточняет, что в оригинале не указано, относится ли это снижение в 30% к предыдущему кварталу, к аналогичному периоду прошлого года или к ранее ожидаемым объемам производства.Что касается объемов производства, то Samsung Electronics изначально планировала произвести до 270 миллионов смартфонов в этом году, полагаясь на новые продукты, такие как Galaxy Z Fold8. После значительного сокращения в четвертом квартале, окончательный объем производства в этом году ожидается на уровне чуть более 200 миллионов единиц, что превышает первоначальные ожидания рынка. Данные IDC показывают, что в первом и втором кварталах этого года объемы поставок смартфонов составили 62,4 миллиона и 62,7 миллиона соответственно, при этом ранее прогнозировалось, что объемы поставок в третьем и четвертом кварталах составят 59 миллионов и 52 миллиона соответственно, что означает снижение в четвертом квартале примерно на 12% по сравнению с третьим кварталом.Money Today сообщает, что рост цен на память является основной движущей силой сокращения производства. Данные TrendForce показывают, что во втором квартале этого года цена на 12 ГБ низкопотребляющей DRAM (LPDDR5X) для смартфонов составила от 145 до 146 долларов, что на 175% выше, чем в аналогичном периоде прошлого года. В отчете также говорится, что спрос на искусственный интеллект поднимает цены на память, и ожидается, что в третьем квартале цены на DRAM для смартфонов вырастут еще примерно на 20%, достигнув максимума в 180 долларов. Представители IT-отрасли утверждают, что в настоящее время продажи смартфонов Samsung не приносят прибыли, и сокращение производства является стратегией для поддержания общей рентабельности.

Согласно сообщению финансового агентства, ссылаясь на местные СМИ, 29 сентября, вице-президент Samsung Electronics Ким Тэ У: ожидается, что в следующем году HBM займет почти 30% от общего объема производства полупроводниковых пластин производителей DRAM, в настоящее время этот показатель составляет около 20%. Он отметил, что HBM и традиционный DRAM конкурируют за одну и ту же партию производственных мощностей, увеличение производства HBM может сократить предложение традиционного DRAM.TrendForce ранее прогнозировал, что к концу 2027 года три крупнейших поставщика HBM будут вкладывать около 30% в общий объем пластин DRAM, но по объему памяти это сможет составить лишь около 13% от общего предложения DRAM. Кроме того, согласно сообщениям СМИ от 20 сентября, Samsung начала массовое производство HBM4 в феврале этого года и в мае предоставила образцы 12-слойного HBM4E клиентам, включая NVIDIA; в отрасли ожидают, что ежемесячный объем поставок пластин HBM от Samsung вырастет с примерно 180 000 в этом году до около 250 000 в следующем.TrendForce в тот же день заявила, что спрос на серверы AI продолжает расти, HBM и универсальный DRAM по-прежнему будут делить ограниченные производственные мощности передовых технологий, а в 2027 году предложение памяти останется напряженным, и прогноз цен на HBM на 2027 год был повышен, ожидается, что средняя цена вырастет на 121% по сравнению с прошлым годом. Из-за ограниченного предложения и роста системных затрат 8-слойный HBM, как ожидается, станет приоритетным вариантом для многих производителей в 2027 году, его цена за Гб будет на 10% до 20% выше, чем у 12-слойных продуктов.

Согласно отчету южнокорейской газеты «Чунган Ильбо», в заявлении Чжун Сяо, бывшего руководителя по инвестициям в оборудование компании Changxin Memory Technologies (CXMT) и выходца из Samsung Electronics, говорится, что бывший CEO CXMT Ван Ниньго был собран в период с октября по декабрь 2016 года с командой из Кореи, включая Чжун Сяо, и потребовал вернуть информацию о технологическом процессе Samsung Electronics (PRP) и оборудовании, угрожая сообщить правительству Кореи, если информация не будет возвращена, а также предупредив о проверке связей и о том, чтобы не лгать. Чжун Сяо заявил, что в то время он чувствовал страх. В отчете говорится, что руководство CXMT тогда использовало кодовое название «Хуаншань» для Samsung Electronics.Чжун Сяо присоединился к CXMT после 28 лет работы в Samsung Electronics и был обвинен в несанкционированной утечке и использовании технологии 18-нм DRAM, разработанной с инвестициями Samsung в 1,6 трлн вон, и в апреле этого года был приговорен к 7 годам лишения свободы в первой инстанции, в настоящее время дело находится на апелляции. PRP включает последовательность около 600 шагов производства DRAM, оборудование, условия и компании с моделями оборудования. Пак Чжун, инженер по проектированию процессов Samsung, в сентябре 2016 года переписал соответствующую информацию на 12 страницах заметок и вынес их, в настоящее время он находится в статусе красного уведомления Интерпола.Чжун Сяо заявил в суде, что во время общения с китайской стороной звучали слова о том, что если не удастся разработать 18-нм, то инвестиции CXMT не будут предоставлены, и позже он узнал, что с самого начала они хотели эту технологию, а CXMT изначально не планировала самостоятельную разработку. Указанное давление происходило перед подготовкой к встрече для подачи заявки на инвестиции. CXMT была основана в 2016 году с инвестициями в 14,4 млрд юаней от правительства города Хэфэй и около 10 лет не приносила прибыли, в прошлом году впервые получила годовую прибыль в 7,1 млрд юаней.

Согласно отчету ZDNet Korea от 28 сентября, Samsung Electronics ускоряет строительство первой линии массового производства (Ph1) в пятом парке Пхенчжина (P5) и обсуждает с основными производителями оборудования перенос сроков установки оборудования Ph1 с запланированного на третий квартал следующего года на второй квартал следующего года. P5 является следующей базой по производству полупроводников с целью запуска в 2028 году, строительство чистой комнаты Ph1 началось в третьем квартале этого года.Ранее Samsung Electronics перенесла завершение строительства чистой комнаты P5 Ph1, запланированное на начало следующего года, примерно на 6 месяцев, поэтому ввод оборудования ожидается примерно в третьем квартале следующего года. Эксперты отрасли сообщают, что начало переноса оборудования планируется с июля-августа следующего года на май-июнь следующего года; другие источники утверждают, что Samsung даже предложила сначала доставить оборудование в первом квартале следующего года и временно хранить его в других местах, что демонстрирует сильную готовность к предварительным инвестициям.Обсуждение инвестиций во втором этапе P5 (Ph2) также продолжается. В настоящее время Ph1, скорее всего, будет построен как линия производства DRAM и HBM, тогда как Ph2, вероятно, будет включать в себя передовые линии NAND, включая десятую (V10). Представители оборудования сообщают, что официальные заказы на закупку еще не размещены, но Samsung уже обсуждала с партнерами возможность создания линии NAND в Ph2 и, учитывая длительный цикл поставки оборудования, требует заранее подготовить соответствующие компоненты. Сообщается, что крупные мировые технологические компании увеличивают заказы на высокопроизводительные DRAM и NAND для инфраструктуры ИИ, в то время как у таких компаний, как Samsung, ограниченные производственные мощности. В июле на телефонной конференции по результатам второго квартала Samsung заявила, что неудовлетворенный спрос этого года будет перенесен на следующий год, нехватка поставок в следующем году будет более серьезной, чем в этом году, и ожидается, что нехватка продлится до 2028 года.

Аналитическая компания Kernel Insight: спрос на искусственный интеллект способствует поддержанию цен на DRAM на исторически высоком уровне, стоимость продажи единицы площади новейшего DRAM уже превышает цены на вафли TSMC N2 и N3. Эта компания оценивает цену вафли TSMC 300 мм N3 в 20 000 долларов, N2 в 30 000 долларов, что соответствует номинальным ценам примерно 0.283 доллара и 0.424 доллара за квадратный миллиметр соответственно, не учитывая потери на краях, потери при резке, а также выход и дефекты.При расчете по 1.50 долларов за Gb и плотности битов по поколениям, 1y DRAM составляет 0.329 долларов за квадратный миллиметр, 1z — 0.410 долларов, 1b — 0.654 долларов, что более чем на 50% выше, чем у N2. Процесс 10 нм постепенно уменьшается в порядке 1y, 1z, 1a, 1b. Указанные цены за Gb предполагают близость к спотовым ценам, данные DRAMeXchange показывают, что 21 сентября средняя цена сделки на 16Gb DDR5 eTT чипы составила 24.80 долларов, что примерно соответствует 1.55 долларов за Gb.Сравнительные показатели различаются. Цифры TSMC — это цена, которую клиенты платят за услуги по производству вафель, цифры DRAM — это общий потенциал продаж готовой продукции, и не учитывают стоимость передовых упаковок; фактическая цена поставки TSMC будет изменяться в зависимости от объема заказов и контрактов. Показатели DRAM основаны на небольших спотовых ценах, что отличается от долгосрочных контрактных цен Samsung Electronics, SK Hynix и Micron. Недавние фиксированные цены на закрытых торгах укрепились, и если это еще не полностью отразилось на спотовых ценах, то разрыв в ценах на вафли производителей памяти может быть еще больше.

Согласно отчету ZDNet Korea, Samsung Electronics корректирует стратегию следующего поколения DRAM, включая ранее разрабатываемый в рамках проекта B1b в официальную дорожную карту и называя его первым DRAM D0a с размером менее 10 нанометров. Ранее D0a относился к вертикальным транзисторным DRAM, теперь этот продукт отдельно классифицируется как D0a-V. Переименование направлено на ускорение внедрения передовой упаковки в универсальный DRAM.B1b будет производить ячейки памяти и окружающие драйверные цепи на разных пластинах, а затем соединять их, используя смешанное соединение пластин, с прямым соединением через медные межсоединения. В настоящее время коммерчески доступный DRAM — это 1c, то есть 6-е поколение 10-нанометрового уровня с шириной линии около 11 до 12 нанометров; следующее поколение 1d — это 7-е поколение 10-нанометрового уровня с шириной линии около 10 до 11 нанометров, которое рассматривается как фактически последний продукт 10-нанометрового уровня, соответствующая ширина линии является маркетинговым термином, а не фактическим физическим размером. Вертикальные транзисторы могут располагать транзисторы внутри ячейки вертикально, уменьшая площадь ячейки с 6F² до 4F², но необходимо справляться с высокой соотношением глубины и ширины травления и утечкой тока, что делает разработку более сложной. Смешанное соединение пластин уже применяется в массовом производстве CMOS-датчиков изображения и высокостековых NAND.Samsung Electronics оценивает возможность использования B1b для 8-го поколения высокоскоростной памяти HBM5. Ожидается, что HBM5 будет запущен в массовое производство примерно в 2029 году, с целью увеличения скорости работы более чем на 50% по сравнению с HBM4E. В отрасли предполагают, что DRAM D0a на основе B1b будет доступен для коммерческого использования не ранее чем через два года, конкретный график инвестиций в массовое производство может быть определен в середине следующего года.

Глобальный директор по макроэкономике Fidelity Investments Юрриен Тиммер на платформе X заявил, что торговля в области ИИ находится в состоянии "мертвых денег" более трех месяцев, при этом расходы на токены и ставки аренды GPU остаются на уровне или снижаются, только цены на память (DRAM) продолжают расти.Тиммер считает, что ИИ в долгосрочной перспективе изменит жизнь и может освободить чудеса производительности, повысив предельный уровень экономического роста без инфляции до уровня, достаточного для поддержания устойчивости глобального долга. Но до этого момента текущее строительство является инфляционным, и возврат на инвестиции в десятки триллионов долларов в вычислительные мощности остается неопределенным, в то время как спрос на корпоративный капитал и долговые обязательства растет с темпом 3,3 триллиона долларов.

Глобальный рынок памяти продолжает испытывать серьезный дефицит, а приложения на базе ИИ и облачных технологий поднимают спрос и цены на DRAM и NAND Flash. Два крупнейших производителя памяти в Китае, Yangtze Memory Technologies и Changxin Memory, собираются изменить сложившуюся ситуацию, в которой они занимают половину рынка.Yangtze Memory Technologies начнет пробное производство LPDDR5 DRAM в конце 2026 года, а Changxin Memory планирует перейти от DRAM к NAND Flash. В отрасли предполагают, что обе компании могут столкнуться в 2028 году. Yangtze Memory Technologies завершила разработку 294-слойной 3D NAND с использованием технологии Xtacking, а Samsung заключила соглашение о лицензировании патентов с ней в 2025 году, начиная с 10-го поколения V-NAND.Третий этап проекта Yangtze Memory Technologies планируется к запуску в конце 2026 года с первоначальной мощностью около 25 000 пластин DRAM, с завершением наращивания производства в 2027 году, нацеливаясь на LPDDR5, и планируя дальнейшее расширение производства, а также HBM и 3D DRAM. Changxin сообщила о намерении создать линию для разработки и производства NAND в Пекине, и, по оценкам, массовое производство может начаться в 2028-2029 годах.

Согласно отчету TechPowerUp, китайский производитель DRAM Changxin Storage (CXMT) ожидает, что к концу 2026 года месячная производственная мощность кремниевых пластин DRAM составит около 350 000 штук, в то время как Micron прогнозирует около 375 000 штук за тот же период. Строительство чистых помещений Changxin Storage занимает около 12 месяцев, что меньше, чем обычно в отрасли, где это занимает от 21 до 24 месяцев.Из-за санкций США, которые не позволяют получить EUV, Changxin Storage использует более старую технологию DUV фотолитографии и многократного паттернизирования. Компания уже начала поставки чипов 16 Gb DDR5 со скоростью 8000 MT/s, площадь чипа составляет 67 mm², плотность — 0.239 Gb/mm², ячейка G4 на 20% меньше, чем G3. Модули 24 Gb производятся серийно со скоростью около 6000 MT/s, модули LPDDR5X-10667 (12 Gb и 16 Gb) также уже запущены в серийное производство. Правительство Китая поощряет Changxin Storage к передаче IP DRAM таким отечественным производителям, как JHICC, Swaysure и дочерняя компания Yangtze Memory Technologies (XMC).

Согласно эксклюзивной информации от Interface News, Apple приняла предложение Samsung Electronics на цены на чипы памяти в первом квартале 2027 года: DRAM близок к 2.0 долларам США за гигабайт, NAND флеш-память близка к 0.33 долларам США за гигабайт, что на 30%-40% выше, чем цены в третьем квартале этого года.Interface News запросила подтверждение этой информации у Apple, но на момент публикации ответа не поступило.

Согласно сообщению газеты "Чосон Ильбо" от 15 сентября, консенсус по операционной прибыли Samsung Electronics и SK Hynix в третьем квартале был снова пересмотрен за три месяца. По данным основных брокеров и зарубежных инвестиционных банков, операционная прибыль Samsung Electronics в третьем квартале оценивается примерно в 114 триллионов вон, что на 12.2836 триллионов вон (12%) выше, чем три месяца назад, когда она составляла 101.9052 триллиона вон, и на 28% выше по сравнению со вторым кварталом, который составил 89.4 триллиона вон. Ожидаемая прибыль SK Hynix в третьем квартале составляет 78.8035 триллиона вон, что на 4% выше, чем три месяца назад, когда она составляла 75.7249 триллиона вон, и на 30% выше по сравнению со вторым кварталом, который составил 60.5426 триллиона вон.TrendForce ожидает, что фиксированные цены на DRAM в третьем квартале вырастут на 13% до 18% по сравнению с предыдущим кварталом, а NAND флеш-память вырастет на 10% до 15%. Финансовые аналитики обращают внимание на то, что доля выручки Samsung Electronics от HBM4 увеличилась с 5% в первом квартале до примерно 35% во втором квартале, а также улучшилась выходная способность. SK Hynix сохраняет первое место по доле рынка HBM, но улучшение массового производства HBM4 от Samsung может размыть его премию на поставки. Citigroup Securities снизила прогноз операционной прибыли SK Hynix в третьем квартале с 76.7 триллиона вон до 74 триллионов вон из-за укрепления вон. Micron опубликует результаты за четвертый квартал 2026 финансового года (с июня по август) 30 числа, прогнозируемая выручка составляет от 49 до 51 миллиарда долларов.

HIP-3 рыночный деплойер Entropy потратил 500 HYPE (примерно 38,950 долларов) на покупку кода DRAM, ожидается, что он будет запущен в торговле бессрочными контрактами io:DRAM.Ранее Trade.xyz уже развернул торговлю бессрочными контрактами xyz:DRAM. DRAM является ETF Roundhill Memory (DRAM), это первый в мире ETF, полностью посвященный теме памяти.

Китайский крупнейший производитель DRAM, Changxin Storage (CXMT), недавно запустил тендер на оборудование для нового завода в Шанхае и продвигает расширение мощностей в нескольких местах. В настоящее время CXMT производит DRAM на втором этапе в Хэфэе и на первом этапе в Пекине, мощность оценивается примерно в 200 000 чипов в месяц, к концу года может превысить 300 000 чипов в месяц.CXMT планирует открыть новый завод в Шанхае в четвертом квартале этого года, тендер на соответствующее оборудование уже запущен. Представители полупроводниковой отрасли сообщают, что завод планируется расширить в два этапа, мощность значительно превысит 100 000 чипов в месяц. Затем планируется открыть новый завод в Хэфэе в первой половине следующего года и, возможно, новый завод в Пекине во второй половине следующего года, а в первой половине через год снова открыть новый завод в Хэфэе.Представители отрасли сообщают, что CXMT уже общалась с несколькими сторонами о сроках открытия заводов в разных местах. Если все планы будут реализованы, CXMT сможет добавить как минимум 70 000 до 80 000 чипов мощности каждый год с 2023 по 2028 год, в долгосрочной перспективе мощность может превысить 600 000 чипов в месяц. Мощности DRAM Samsung Electronics и SK Hynix оцениваются примерно в 700 000 чипов и 600 000 чипов в месяц соответственно.

Согласно отчету Nikkei Asia, китайский производитель чипов Changxin Storage (CXMT) уже опережает мировых конкурентов по марже, обогнав SK Hynix и Micron. Компания воспользовалась ситуацией с нехваткой DRAM товарного уровня, заняв преимущество во втором квартале.Основные продукты Changxin Storage включают память DDR5, цена на которую в последние месяцы возросла. Сообщается, что эта ситуация возникла в индустрии чипов памяти, которую контролируют поставщики из Кореи, США и Японии.

SK Hynix 9 числа заявил, что разработка следующего поколения памяти 3D DRAM полупроводников может использовать технологии контрактного производства. На следующий день в центре Supex в парке Личуань на форуме будущего SK Hynix 2026 вице-президент Ким Кён Хун и Сун Хао Ин представили основные технические направления 3D DRAM, включая использование логических технологий контрактного производства для периферийных схем DRAM, максимизацию пропускной способности шины данных и сверхкороткую передачу.3D DRAM — это следующая генерация DRAM, в которой ячейки памяти, ранее расположенные в плоскости, вертикально укладываются для повышения интеграции. Оба эксперта отметили, что для реализации этой технологии, помимо проектирования и проблем с тепловыделением, необходимо также решить задачи в области упаковки, такие как микроинтерконнекты, связывание и интеграция технологий. С приближением границ между передней и задней упаковкой, контрактным производством и технологиями памяти, совместная оптимизация за пределами существующих областей станет более важной. Сун Хао Ин отметил, что 3D технологии меняют технологические границы между фабриками полупроводников и упаковкой, и необходимо вместе с инновациями в области передовой упаковки создать систему оптимизации и нового сотрудничества, выходящую за рамки существующих областей.Профессор Корейского университета Шин Чан Хван, выступая на ту же тему, заявил, что 3D DRAM — это не только вертикальная укладка чипов, но и технология, разрушающая границы между памятью и логикой; с приближением предела миниатюризации устройств и увеличением времени и потребления энергии, вызванного перемещением данных между системой и памятью, переход на 3D технологии неизбежен. Он предложил создать рамки для 3D интеграционного проектирования, связывая искусственный интеллект с четырьмя областями: материалами, устройствами, упаковкой и архитектурой. Президент SK Hynix Го Рю в своей речи отметил, что рынок памяти в прошлом был похож на прямую дорогу, где все соревновались, кто быстрее, а теперь он напоминает постоянно меняющиеся повороты, и помимо внутренних возможностей важно также уметь быстро адаптироваться к изменениям внешней среды.

Компания Changxin Technology провела отчетную конференцию за первое полугодие 2026 года. Один из инвесторов спросил о ценах на DRAM в третьем квартале, на что старший вице-президент и финансовый директор Хуан Даньянг ответил, что вторая половина 2026 года продолжит сохранять дефицит поставок глобальных продуктов DRAM.

Корейская брокерская компания KB Securities предупреждает, что запасы полупроводниковой памяти Samsung Electronics и SK Hynix снизились до менее чем 10 дней поставок, и доступные запасы в следующем году будут явно недостаточны. В понедельник агентство сообщило, что инвестиции в инфраструктуру искусственного интеллекта растут с беспрецедентной скоростью, и рынок памяти сталкивается с серьезным дефицитом поставок. Ключевым фактором является переход на HBM4, для которого требуется в три раза больше пластин, чем для традиционной DRAM, а ограниченные мощности по производству пластин уменьшат доступные мощности традиционной DRAM.KB Securities ожидает, что в следующем году спрос на DRAM и NAND превысит предложение более чем на 10 процентов. Руководитель исследований Ким Донг-вон заявил, что серверы искусственного интеллекта будут потреблять HBM, серверную DDR5 и корпоративные твердотельные накопители, что может привести к историческому дефициту. Операторы глобальных гипермасштабных центров обработки данных повысили прогнозы инвестиций в инфраструктуру искусственного интеллекта в следующем году до 1,3 триллиона долларов, что на 60% больше по сравнению с прошлым годом. Агентство ожидает, что в следующем году полупроводники памяти составят 57% от общего объема инвестиций в инфраструктуру искусственного интеллекта, что выше 14% в прошлом году, а TrendForce ожидает, что эта доля может достигнуть 68%. Акции Samsung Electronics упали почти на 28% от своего пикового значения, а SK Hynix упали почти на 40%.

Компания Changxin Technology провела отчетную конференцию за первое полугодие 2026 года. Независимый директор компании Чэнь Учао, отвечая на вопросы инвесторов, заявил, что во втором квартале 2026 года глобальный рынок DRAM продуктов демонстрирует улучшение, цены растут.В настоящее время компания все еще находится в ключевом периоде инвестиций в расширение мощностей и технологическое обновление, необходимо постепенно создавать доход для акционеров при условии обеспечения необходимых капитальных затрат. С увеличением прибыльности компания будет в соответствии с законом и правилами своевременно инициировать обоснование дивидендной программы.

Согласно последнему исследованию рынка памяти от TrendForce, во втором квартале 2026 года из-за значительного роста контрактных цен на Conventional DRAM (обычный DRAM) общий доход отрасли DRAM увеличится на 59,5% по сравнению с предыдущим кварталом, составив почти 154,73 миллиарда долларов США.С ростом спроса на AI-серверы, стимулированным обучением моделей LLM и выводом AI, поставки HBM3e, LPDDR5X и высокоемких RDIMM растут одновременно, а приложения Agentic AI способствуют увеличению поставок RDIMM различных емкостей. С точки зрения предложения, запасы производителей находятся на дне, и новое предложение в первую очередь удовлетворяет потребности серверных приложений, в то время как общий объем поставок битов DRAM во втором квартале немного увеличился.