semiconductor

Группа Alibaba (09988.HK) объявила на Гонконгской фондовой бирже, что Гонконгская фондовая биржа подтвердила, что компания может провести предложенное разделение, поэтому 11 сентября 2026 года PingTouGe в конфиденциальном порядке подала заявку на листинг (форма A1) на Гонконгскую фондовую биржу для получения одобрения на листинг и торговлю H акциями PingTouGe на главной площадке Гонконгской фондовой биржи.Это разделение планируется осуществить через глобальное размещение H акций, включая публичное размещение в Гонконге и распределение среди институциональных и профессиональных инвесторов. После завершения предложенного разделения ожидается, что PingTouGe продолжит быть дочерней компанией. Предложенное разделение должно быть одобрено комитетом по листингу Гонконгской фондовой биржи, завершено регистрацией в Китайской комиссии по ценным бумагам и окончательным решением компании и PingTouGe.Поэтому акционерам компании и потенциальным инвесторам настоятельно рекомендуется действовать осторожно при покупке или инвестициях в ценные бумаги компании.

Тайваньская компания TSMC одобрила инвестиции не более 500 миллионов долларов для создания инвестиционной компании, предназначенной для стратегических инвестиций в полупроводниковую отрасль и связанные секторы.В то же время одобрены инвестиции в OpenAI Group PBC, дефицит не превышает 500 миллионов долларов для покупки ее привилегированных акций.

Тайваньская полупроводниковая компания (TSMC) опубликовала последние данные о доходах, согласно которым продажи в октябре составили 5868.9 миллиардов новых тайваньских долларов, что на 59.7% больше по сравнению с прошлым годом и на 14.7% больше по сравнению с предыдущим месяцем.В целом, с января по октябрь 2026 года доходы TSMC составили 44856.2 миллиарда новых тайваньских долларов, что на 43.3% больше по сравнению с аналогичным периодом 2025 года.

Согласно отчету The Information, по запросу NVIDIA (NVDA.O) TSMC (TSM.N) рассматривает возможность производства 3D DRAM.

Согласно отчету 《Газета по науке и технологиям》, компания Shanghai Bangxin Semiconductor Technology Co., Ltd. недавно завершила финансирование раунда B+ с общим объемом более 600 миллионов юаней. Этот раунд возглавила Jiangxia Keti Group, а также в нем участвуют такие учреждения, как Bank of China Capital и Changjiang Venture Capital. Средства будут в основном использованы для разработки оборудования передовых технологий, строительства мощностей и создания системы доставки в Центральном Китае.Компания Bangxin Semiconductor была основана в 2020 году и расположена в новом районе Линганг в Шанхае. Она в основном предоставляет оборудование для передовых процессов, таких как травление, удаление пленки и осаждение тонких пленок для производителей полупроводниковых пластин. Председатель компании Ван Чжаосян является доктором физико-химических наук Университета науки и технологии Китая, а основная команда состоит из специалистов из ведущих отечественных компаний по производству полупроводникового оборудования. Компания уже вошла в цепочку поставок ведущих отечественных производителей чипов памяти и полупроводниковых пластин, несколько моделей оборудования прошли проверку клиентами и были установлены в массовом порядке, а к 2025 году планируется поставка более ста единиц оборудования.Jiangxia Keti Group также является инициатором проекта Bangxin в Ухане. 22 апреля этого года началось строительство производственной базы в Центральном Китае в промышленном парке интеллектуального производства Jiangxia; 28 октября эта база начала свою первую фазу производства. Первая фаза базы занимает более 4500 квадратных метров и отвечает за сборку, тестирование, валидацию процессов и доставку. После полного выхода на проектную мощность планируется годовое производство 100 единиц полупроводникового оборудования и годовая стоимость производства в 600 миллионов юаней. Министерство экономики и информационных технологий провинции Хубэй в своем репортаже назвало этот проект первым проектом по производству полупроводникового оборудования в цепочке поставок Changjiang в районе Jiangxia.

Согласно данным Gate, акции NXP Semiconductors (NXPI.O) упали почти на 7% в преддверии торгов, так как компания ожидает, что продажи в четвертом квартале будут ниже рыночных ожиданий.

Генеральный директор Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSM.N) заявил, что Taiwan Semiconductor Manufacturing Company уже ведет переговоры о сотрудничестве по производственным мощностям с Terafab, принадлежащей Маску.

Нанвей полупроводники (Navitas) объявили о сотрудничестве с NVIDIA (NVDA.O) для разработки 800V на 12V блока питания для инфраструктуры следующего поколения ИИ.

Тайваньская компания TSMC рассматривает возможность расширения своего производства в США и планирует построить вторую производственную базу в Далласе, штат Техас, которая может включать до 6 современных заводов по производству полупроводников.Общая сумма инвестиций в новый завод может превысить 265 миллиардов долларов, которые TSMC уже обязалась вложить в парк в Аризоне.TSMC пока не дала официального ответа на эту новость.

Экономический ежедневник сообщает, что такие крупные компании, как Apple, NVIDIA, AMD, Qualcomm и MediaTek, стремятся к AI и высокопроизводительным вычислениям, и недавно увеличили заказы на мощности 2-нм семейства TSMC на 10% до 20%. В связи с этим TSMC ускоряет расширение производства 2-нм семейства, и темпы превышают ожидания. TSMC традиционно не комментирует информацию о клиентах и рыночные слухи.Рынок изначально оценивал, что к концу этого года месячная мощность 2-нм семейства TSMC составит около 90 000 до 100 000 пластин, и к 2027 году ожидается продолжение двузначного роста, достигнув 110 000 до 140 000 пластин. В отрасли сообщается, что из-за активных заказов клиентов к концу этого года месячная мощность достигнет 120 000 пластин, и первоначальная цель на 2027 год будет достигнута раньше. Источники сообщают, что в ответ на спрос со стороны Apple и не-Apple клиентов скорость и масштаб открытия новых мощностей 2-нм семейства установят новые рекорды, значительно превышая скорость роста мощностей 3-нм семейства в первый год.Старший вице-президент и сопредседатель TSMC Хоу Юнцин на этом году на Североамериканском техническом форуме заявил, что в ответ на сильный спрос, такой как AI, в этом году впервые одновременно будут запущены пять заводов 2-нм, включая два в Хsinchu и три в Гаосюне; объем производства 2-нм в первый год увеличится на 45% по сравнению с первым годом 3-нм в 2023 году; с 2026 по 2028 год среднегодовой темп роста мощностей 2-нм составит 70%. Месячная мощность 3-нм TSMC в южной части Тайваня в четвертом квартале этого года составит почти 180 000 пластин, и в настоящее время строятся три новых завода 3-нм в Тайване, штате Аризона в США и Японии. Второй завод в США планируется начать массовое производство во второй половине 2027 года.

Согласно отчету газеты "Гонконгская торговая газета", TSMC для продвижения 1.4 нм (A14) передового процесса ускоряет строительство четвертого завода в Чжункэ. По состоянию на начало сентября 2026 года, проект второго этапа завода P1 в Чжункэ идет успешно, ожидается, что он будет завершен в апреле 2027 года и начнется установка оборудования и пробное производство; завод P2 также продвигается, ожидается, что он будет завершен до конца 2027 года и будет готов к массовому производству после настройки оборудования с заводом P1.Сообщается, что все четыре завода по производству 1.4 нм в Чжункэ планируется завершить во втором квартале 2028 года и запустить в массовое производство. Основные клиенты A14 включают Apple, NVIDIA, AMD, Qualcomm, MediaTek, Broadcom и облачных провайдеров, предполагается, что к тому времени ежемесячная производственная мощность может достигать от 120 до 160 тысяч 12-дюймовых пластин, что, по оценкам, может принести TSMC годовой доход в размере от 45 до 52 миллиардов долларов США.

В третьем квартале 2026 года, в конце сезона, мощности по производству 3-нм и 2-нм передовых технологий TSMC и передовой упаковки CoWoS продолжают не удовлетворять спрос. NVIDIA и Apple продолжают занимать ресурсы передовых технологий и упаковки; Amazon AWS недавно увеличила объемы производства собственных AI-чипов Annapurna, получив больше мощностей на 3-нм. MediaTek, помимо мобильных чипов, также борется за мощности 2/3-нм и CoWoS-S/L с крупным заказом от Google TPU.Сообщается, что TSMC недавно снова скорректировала распределение мощностей. После получения крупного заказа от Google TPU, следующая версия TPU v9 будет одновременно использовать CoWoS-L от TSMC и EMIB-T от Intel, что уже привело к небольшим корректировкам в планировании мощностей MediaTek на 3-нм и 2-нм. В настоящее время основным клиентом TSMC на 3-нм является NVIDIA, которая в 2025 году обгонит Apple и станет крупнейшим клиентом; на 2-нм основным спросом выступает Apple и другие. После увеличения объемов производства Annapurna, приоритеты конфигурации 3-нм и CoWoS были повышены.С начала 2026 года TSMC ускоряет расширение производства, месячная мощность 2-нм на Fab 20 в Баошане и Fab 22 в Гаосюне к концу октября составит по 50 000 чипов, всего около 100 000 чипов; к концу октября месячная мощность 3-нм в Нанько составит около 185 000 чипов. К концу сентября общая загрузка мощностей составила около 96,2%, при этом 16/12-нм и ниже до 2-нм составляют 100%. Нехватка поставок CoWoS приводит к увеличению заказов на передовую упаковку, приоритет в получении заказов от компании ASE, затем Amkor, и других, при этом мощности по тестированию и упаковке от Licheng полностью загружены, видимость заказов до 2028 года.

Цепочка поставок сообщает, что TSMC впервые раскрыла цель по увеличению производства 2/3 нм на следующий год: производство 2 нм увеличится с 90 000 чипов в конце этого года до 110 000 чипов в середине следующего года, что составляет рост на 22%; производство 3 нм увеличится с более чем 180 000 чипов в конце этого года до 210 000 чипов в середине следующего года, что составляет рост более чем на 16%. TSMC вчера не комментировала рыночные слухи, подчеркивая, что информация о производственных мощностях должна основываться на официальных объявлениях компании.Сообщается, что месячная производственная мощность TSMC по 3 нм в конце прошлого года достигла 120 000–130 000 чипов, в конце этого года она увеличится до 180 000 чипов, а цель на середину следующего года — более 210 000 чипов. Месячная производственная мощность 2 нм к концу этого года составит 90 000 чипов. TSMC ранее заявляла, что капитальные расходы в 2026 году составят от 60 до 64 миллиардов долларов, из которых около 70%–80% будет направлено на передовые технологии, а также будут построены три новых завода по производству 3 нм, расположенные на Тайване, в Аризоне, США, и в Японии, одновременно на Тайване будет проведена модернизация оборудования 5 нм для поддержки мощностей 3 нм.

Управление науки и технологий подтвердило 9 числа, что расширение второго этапа завода TSMC на 1.4 нм в Научном парке полностью ускорено. Первый завод P1 в настоящее время завершил строительство стального каркаса, ожидается, что в апреле следующего года начнется пробный запуск, а в второй половине следующего года возможно начало массового производства, что опережает первоначальный график массового производства в 2028 году. TSMC подала заявку в Управление науки и технологий на строительство двух временных офисов на базе, которые планируется завершить в апреле следующего года, в первую очередь будет задействовано более 5400 сотрудников и подрядчиков.Новый завод TSMC второго этапа в Научном парке, использующий передовые технологии, был заложен в октябре прошлого года, планируется строительство четырех заводов на 1.4 нм, почти 2000 рабочих трудятся круглосуточно. В настоящее время на заводе P1 ведутся работы по строительству полов и внешних стен, завершение строительства ожидается в начале следующего года. Завод P2 уже начал строительство основного здания, его завершение запланировано на октябрь следующего года, оба завода, как ожидается, начнут массовое производство в следующем году. Завод P3 получил разрешение на строительство, завод P4 находится на стадии подачи заявки на разрешение, планируется, что разница в строительстве составит полгода, P3 ожидается завершение во втором квартале 2028 года, P4 запланировано на четвертый квартал того же года. После завершения завода P2 в следующей половине года будет добавлено еще 1000 сотрудников, общее количество сотрудников на всех четырех новых заводах второго этапа ожидается в диапазоне от 9000 до 10000 человек.

9 сентября TSMC объявила, что с 2030 года начнет массовое производство с использованием нового типа "высокой NA" установки для экстремального ультрафиолетового (EUV) литографического оборудования, произведенного голландской компанией ASML. Обе стороны также сообщили, что начнут работы по улучшению высоких NA машин в рамках межотраслевого проекта. ASML монополизировала поставки EUV-литографов, используемых для формирования наноразмерных сверхтонких схем, и с декабря 2023 года начнет поставки высоких NA машин, способных рисовать более тонкие схемы. Intel уже внедрила высокие NA машины, в то время как TSMC ранее отложила массовое производство из-за высоких затрат.TSMC и ASML запустят межотраслевой проект, в рамках которого фотомаски, используемые в качестве оригинала схемы, будут увеличены с текущих 6 дюймов (около 15 сантиметров) до 12 дюймов, а также будут разработаны высокие NA машины и соответствующие компоненты для крупных масок. Планируется создать линию опытного производства крупных масок до 2031 года и довести высокие NA машины, соответствующие крупным маскам, до состояния, пригодного для производства современных полупроводников, до 2033 года. Основные производители полупроводников и компании по производству масок уже выразили интерес к участию.Высокие NA машины могут рисовать более тонкие схемы, но площадь, которую они могут рисовать за один раз, сокращается до половины по сравнению с традиционными моделями, что требует многократной экспозиции при рисовании схем крупных чипов, усложняя процесс и увеличивая затраты. Увеличение размеров фотомасок может расширить площадь экспозиции и снизить затраты. Председатель и генеральный директор TSMC Уэй Чжецзя заявил в тот день, что будет собирать профессиональные знания всей отрасли, продолжая продвигать технологические инновации, которые сделают современные технологии широко доступными, и передавать их преимущества.

Согласно источникам в индустрии материалов, 2 сентября стало известно, что TSMC ожидает продолжения использования традиционной технологии микровыпуклых контактов в краткосрочной перспективе, а не смешанного соединения, для соединения высокоскоростной памяти HBM с передовыми упаковками AI-ускорителей. Учитывая цикл разработки соответствующих материалов, ожидается, что более мелкие микровыпуклые контакты будут использоваться до позднего этапа HBM4 и раннего HBM5. TSMC уже попросила своих партнеров по материалам и оборудованию разработать решения для соединения и заполнения основания с контактами размером около 5 микрон, и корейские и японские поставщики начали разработки, массовое производство контактов размером 5 мкм ожидается во второй половине 2028 года.В настоящее время высота контактов третьего поколения расширенной HBM, то есть HBM3E, составляет около 15-25 мкм, а HBM4 приближается к 10 мкм. Японские поставщики материалов ранее заявляли, что трудно гарантировать качество ниже 15 мкм. Уменьшение и уточнение контактов связано с ограничениями по высоте кубиков HBM и требованиями к более высокой плотности межсоединений. JEDEC устанавливает максимальную высоту стека HBM в 775 мкм. В передовых упаковках CoWoS от TSMC стеки HBM, собранные поставщиками GPU и памяти, устанавливаются в кремниевый промежуточный слой с помощью микровыпуклых контактов, а 16-слойные кристаллы DRAM собираются такими компаниями, как SK hynix и Samsung Electronics, в упаковке HBM.Первое и второе поколения HBM использовали более крупные припойные контакты, микровыпуклые контакты стали основными примерно с третьего поколения HBM. SK hynix использует технологию MR-MUF, а Samsung Electronics использует TC-NCF. Смешанное соединение позволяет достичь более тонких и плотных межсоединений через прямое соединение медных площадок, TSMC уже использовала это на платформе SoIC для стеков логических чипов, но HBM по-прежнему соединяется с промежуточным слоем с помощью микровыпуклых контактов.

Сообщение ChainCatcher, согласно сообщениям таких СМИ, как Liberty Times, TSMC завершила разработку и валидацию технологии производства A16 на уровне ангстрема (1,6 нм) и ожидает, что массовое производство начнется в четвертом квартале 2026 года. Этот процесс использует технологию обратного питания TSMC Super Power Rail (SPR), которая разделяет сигнальные и силовые линии, размещая питание на обратной стороне кристалла для уменьшения узких мест.По сравнению с технологией 2 нм, A16, как сообщается, может повысить вычислительную скорость на 8% до 10%, снизить потребление энергии на 15% до 20% и увеличить плотность чипов на 8% до 10%. TSMC рассматривает технологию 1,6 нм как переходный этап к 1,4 нм, с целью начать массовое производство 1,4 нм в 2028 году.

Сообщение ChainCatcher, фондовый рынок Гонконга открылся, индекс Хэнг Сенг упал на 0,7%, индекс Технологии упал на 0,6%. После отчета компания SMIC открылась с ростом на 4,74%, компания ожидает, что доходы в третьем квартале вырастут на 2% до 4% по сравнению с предыдущим кварталом, а прогноз по валовой прибыли составляет 26%-28%.

Сообщение ChainCatcher, согласно отчету Экономической газеты, на рынке ходят слухи о том, что TSMC планирует приобрести заводы AU Optronics L7 (линия 7.5 поколения) и L5C (линия 5 поколения), сумма сделки оценивается более чем в 30 миллиардов новых тайваньских долларов (примерно 920 миллионов долларов США). Обе стороны ведут переговоры, опираясь на "модель Innolux", TSMC уже направила сотрудников для проверки на месте, но контракт еще не подписан. Заводы AU Optronics расположены рядом с заводом TSMC на Zhongke 15, что дает им географическое преимущество.Согласно отчетам, TSMC планирует использовать технологию CoPoS в качестве основного направления следующего поколения 2.5D передовой упаковки после CoWoS, внедряя упаковку на основе стеклянной подложки уровня панели, чтобы решить проблемы с потерей площади и деформацией сверхбольших AI чипов на 12-дюймовых пластинах. Первая производственная линия CoPoS TSMC была завершена и запущена на заводе AP7 в Цзяи. Эксперты отрасли считают, что производители панелей обладают опытом в управлении крупными подложками и производственными линиями, что делает их поставщиками "промежуточных возможностей" для массового производства передовой упаковки.

ChainCatcher сообщает, что согласно данным Gate, по состоянию на закрытие торгов, объем торгов ETF на полупроводники между Китаем и Южной Кореей (513310) за день составил 23.7 миллиарда, что является третьим по величине показателем в истории. Исторический максимум был зафиксирован 29 июля 2026 года на уровне 25.9 миллиарда, а второе место занимает 21 июля 2026 года с показателем 24 миллиарда. Этот ETF отслеживает индекс полупроводников на фондовой бирже Кореи, а двумя крупнейшими акциями в портфеле являются Samsung Electronics и SK Hynix.Сегодня индекс KOSPI в Южной Корее вырос на 3.76%, при этом акции SK Hynix поднялись на 5.8%, а акции Samsung Electronics на 2.5%.