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速報

Driftの賠償プランに不満が寄せられ、100ドルの損失は約1ドルに相当します。

永続契約プロトコル Drift(現在は Velocity)財団は、4月1日のセキュリティ事件に関する請求と償還を開始しました。影響を受けたユーザーは、確認された損失に応じて、1ドルにつき1枚の新発行の補償トークンDFXを受け取ることができます。DFXはSolana標準のSPL資産で、総量は約2.995億枚で、約2.954億ドルの確認された損失に対応し、追加発行は行われません。ユーザーは公式ポータルでDFXを焼却し、償還価格でUSDTに交換することができ、またRaydiumなどの二次市場で取引することも可能です。償還価格は、追償プールの残高を未焼却のDFXの数量で割ったものによって決まります。現在プール内には約311万USDTがあり、償還価格は約0.0104ドルで、100ドルの損失につき約1ドルしか償還できず、約1%の損失をカバーするに過ぎないため、コミュニティの不満を引き起こし、期待される十分な補償とのギャップが大きいとされています。プランには、Tetherからの最大1.275億ドル、パートナーからの最大2000万ドルの支援約束、そして新しい取引プラットフォームVelocityの手数料分配や盗まれた資金の回収などの後続の資金源が別途記載されており、多くは上限または分割のアレンジで、オープン当日にはプールに入っていません。DFXのオープン後の償還価格は依然として約0.0104ドルであり、二次市場の取引価格は約0.01ドルから約0.03ドルに上昇し、24時間の上昇率は約210%で、その時の流動性は約20万ドルでした。トークンは自由に譲渡でき、取引価格は償還価格と等しくある必要はありません;買い手は主に今後の資金注入、プロトコル収入、回収資金、早期償還、及び2028年1月1日の申請ウィンドウが閉じた後に未受領部分が焼却される影響に関心を持っています。

Drift財団:約920万ドルの盗まれた資金が凍結され、10.7万枚以上のETHがまだ移転されていない

Drift財団は4月1日の安全事件に関する資金回収の進展を発表し、約2.954億ドルのユーザー資産が盗まれたことを明らかにしました。財団はMandiant、zeroShadow、SEAL 911を雇い、調査と資金追跡を行っています。その中で、Mandiantは攻撃者を北朝鮮の脅威組織UNC6862として特定しました。盗まれた資金はその後、イーサリアムにブリッジされ、約130,259枚のETHが4つのウォレットに分散して保管されています。そのうち3つのウォレットは現在までに移動がなく、合計で107,165枚のETHを保有しています。もう1つのウォレットは7月23日に約23,094枚のETHをTornado Cashに送金しました。財団は、現在約920万ドルの盗まれた資金が凍結されており、関連資金は8月にTornado Cashを通じて移動されたが、解凍および返還には法的手続きが必要であると述べています。Drift財団は、凍結、報奨金、または法執行を通じて回収された資産をすべてDFX回復プールに移し、DRIFTトークンのより広範なエコシステムにおける今後の道筋を評価しています。さらに、財団はBybitと提携し、公開報奨金プログラムを開始し、成功裏に回収された資金に対して10%の報奨金を提供します。

GateはTOKEN2049シンガポールのプロモーションビデオを公開し、Dr. Hanがイベントに出席しメインステージで講演を行います。

TOKEN2049 シンガポールが近づく中、Gate はイベントのプロモーションビデオを公開しました。ビデオでは、Gate の創設者兼 CEO の Dr. Han が継続的な革新と変化についての考えを共有し、今後1、2年が「新たな出発点」となると述べ、Gate は製品、サービス、マーケットの発展を引き続き推進していくとしています。報道によると、Dr. Han は今回のシンガポール TOKEN2049 に出席し、イベントのメインステージで基調講演を行い、4度の F1 世界チャンピオンである Max Verstappen と炉辺対話を展開します。イベント期間中、Gate は TOKEN2049 会場にブランドブースと専用ラウンジを設置し、現地参加者に Gate の製品、ビジネス展開、グローバルエコシステムの発展について深く理解するための交流スペースを提供します。さらに、Gate は 10 月 8 日にシンガポールのラッフルズホテルで Gate Gala 表彰晩餐会を開催し、約 300 名の世界の業界創設者、機関代表者、投資家、コンテンツクリエイター、エコシステムパートナーが出席する予定です。現在、Gate のグローバルユーザー数は 6,100 万を超え、プラットフォームは 5,300 以上の暗号通貨と 12,800 以上の株式および ETF をサポートしており、ビジネスは現物、契約、株式、資産管理、支払い、AI など多岐にわたっています。ビジネスの範囲が継続的に拡大する中、Gate は多様な資産と金融サービスをカバーするグローバルプラットフォームの構築を進めています。今回の TOKEN2049 シンガポール訪問では、Gate はプラットフォームの最新の進展と今後の展開を集中して示し、より完全なビジネスの地図とより広範なグローバルなつながりを持って次の段階を開きます。

first_img サムスン電子の幹部:来年、HBMがDRAMウェハー生産能力のほぼ三割を占めると予想しています

財聯社が報じたところによると、現地時間9月29日、三星電子の執行副社長Kim Taewooは、来年のHBMがDRAMメーカーのウェーハ総生産能力の約30%を占めると予想しており、現在その割合は約20%であると述べました。彼は、HBMと従来のDRAMが同じウェーハ生産能力を争っており、HBMの生産を拡大すると従来のDRAMの供給が圧迫される可能性があると述べました。TrendForceは以前、2027年末までに世界の三大HBM供給者のHBMウェーハ投入量がDRAMウェーハ総投入量の約30%を占めると予測していますが、ストレージ容量で計算すると、DRAM総供給量の約13%しか貢献できないとしています。また、9月20日の報道によると、三星は今年2月からHBM4の量産出荷を開始し、5月にはNVIDIAを含む顧客に12層HBM4Eサンプルを提供しました。業界では、三星のHBMの月平均ウェーハ投入量が今年の約18万枚から来年の約25万枚に増加すると予想されています。TrendForceは同日、AIサーバーの需要が続いており、HBMと汎用DRAMは依然として限られた先進プロセスの生産能力を共有すると述べ、2027年のストレージ供給は引き続き厳しい状況が続くとし、2027年のHBM価格予想を引き上げ、混合平均販売価格が前年比で121%上昇すると予測しています。供給が限られ、システムコストが上昇する影響を受けて、8層HBMは2027年に多くのメーカーが優先的に評価する方案となる見込みで、その価格は12層製品よりも約10%から20%高くなると予想されています。

ZanoはGateway Addressの脆弱性によりブロックチェーンを再起動し、約1ヶ月の履歴をロールバックしました。

プライバシーブロックチェーン Zano は、ネットワーク更新のお知らせを発表し、コアチームが Gateway Address に深刻な脆弱性を発見し、無許可の ZANO と fUSD が流通に入ることを引き起こしたと述べました。調査によると、ウォレットの支払いキーや通常の取引のプライバシーは侵害されておらず、Zano のコアコンセンサスメカニズムにも影響はありませんでした。チームは、すべての無許可の活動を排除するためにネットワークアップグレードを調整する解決策を策定しました。ネットワークの完全性を確保するために、Zano ブロックチェーンはブロック高 3,833,000(第 6 回ハードフォークの前)から再起動され、約 1 ヶ月のオンチェーンの履歴に影響を与えました。ノード、マイナー、ステーキング者、および関連サービスは、緊急更新をできるだけ早く採用する必要があります。チームは、影響を受けたプロジェクトと協力して損失を処理し、補償と請求プロセスを発表することを約束し、コミュニティが補償を受けられるよう努めます。今後、技術的な原因および関連するコードレビューの結果を公開する予定です。

first_img 分析:1b DRAM 単位面積価値は台積電を超えた 2 ナノ

半導体分析機関 Kernel Insight:人工知能の需要が DRAM 価格を歴史的高水準に維持させており、最新のプロセス DRAM の単位面積販売価値はすでに台積電の N2、N3 ウェハ価格を上回っています。この機関は台積電の 300 ミリメートル N3 ウェハ価格を 2 万ドル、N2 を 3 万ドルと推定しており、名目価格はそれぞれ約毎平方ミリメートル 0.283 ドルと 0.424 ドルで、エッジロス、切断ロス、歩留まりおよび欠陥は考慮されていません。毎 Gb 1.50 ドルおよび世代ビット密度で計算すると、1y DRAM は毎平方ミリメートル 0.329 ドル、1z は 0.410 ドル、1b は 0.654 ドルで、N2 よりも 50% 以上高くなっています。10 ナノメートル級プロセスは 1y、1z、1a、1b の順に段階的に微細化されています。上記の毎 Gb 価格は現物に近いと仮定されており、DRAMeXchange のデータによると、9 月 21 日の 16Gb DDR5 eTT チップの平均取引価格は 24.80 ドルで、約毎 Gb 1.55 ドルに相当します。比較基準には差異があります。台積電の数字は顧客が支払うウェハのファウンドリ価格であり、DRAM の数字は完成品販売の総販売潜在力であり、先進パッケージコストは考慮されていません;台積電の実際の供給価格は注文量や契約によって変動します。DRAM 指標は小口現物価格に基づいており、三星電子、SK ハイニックス、マイクロンの収益主体の長期契約価格とは異なります。非公開の固定取引価格は最近強含みであり、まだ現物価格に完全に反映されていない場合、メモリメーカーのウェハ単位価格の先行幅はさらに大きくなる可能性があります。

first_img サムスン電子は次世代DRAMロードマップを調整し、B1bをD0aと命名しました。

ZDNet Korea の報道によると、サムスン電子は次世代 DRAM 戦略を調整し、以前プロジェクト形式で開発されていた B1b を正式なロードマップに組み込み、初の 10 ナノメートル未満 DRAM D0a と名付けました。以前の D0a は垂直トランジスタ DRAM を指していましたが、現在この製品は D0a-V として単独で分類されています。この名称変更は、汎用 DRAM における先進的なパッケージングの導入を加速するためです。B1b は、ストレージセルと周辺ドライバ回路を異なるウェハ上で製造した後に接合し、ウェハ対ウェハの混合接合を採用し、銅相互接続で直接接続します。現在商用化されている DRAM は 1c で、これは第 6 世代 10 ナノメートル級、ライン幅は約 11 から 12 ナノメートルです。次世代 1d は第 7 世代 10 ナノメートル級、ライン幅は約 10 から 11 ナノメートルで、事実上最後の 10 ナノメートル級製品と見なされています。関連するライン幅はマーケティング用語であり、実際の物理的サイズではありません。垂直トランジスタは、セル内のトランジスタを垂直に配置することで、セル面積を 6F² から 4F² に縮小できますが、高深幅比エッチングと漏れ電流に対処する必要があり、開発難易度は高いです。ウェハ対ウェハの混合接合は、CMOS イメージセンサーや高積層 NAND で量産応用されています。サムスン電子は B1b を第 8 世代高帯域幅メモリ HBM5 に使用することを評価しています。HBM5 は約 2029 年に量産される見込みで、HBM4E に比べて動作速度を 50% 以上向上させることを目指しています。業界では、B1b に基づく D0a DRAM は最速で約 2 年後に商用化されると見込まれており、具体的な量産投資スケジュールは来年の中頃に決定される可能性があります。
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