產能

ChainCatcher 消息，由於美以對伊朗的戰爭擾亂了中東地區的產能擴張計劃，歐佩克+ 推遲了石油產能評估工作。該評估旨在確定 2027 年石油產量配額，原計劃於 2026 年 9 月底前完成，現預計將在 11 月中旬之前完成。

ChainCatcher 消息，据財聯社援引媒體當地時間 9 月 29 日報導，三星電子執行副總裁 Kim Taewoo：預計明年 HBM 將占 DRAM 廠商晶圓總產能的近 30%，目前該比例約為 20%。他稱，HBM 與傳統 DRAM 競爭同一批晶圓產能，擴大 HBM 產出可能擠壓傳統 DRAM 供應。TrendForce 此前預測，2027 年底全球三大 HBM 供應商的 HBM 晶圓投入約占 DRAM 晶圓總投入的 30%，但按存儲容量計僅能貢獻約 13% 的 DRAM 總供應量。另據媒體 9 月 20 日報導，三星已於今年 2 月開始量產出貨 HBM4，5 月向包括英偉達在內的客戶提供 12 層 HBM4E 樣品；業內預計三星 HBM 月均晶圓投入量將由今年約 18 萬片增至明年約 25 萬片。TrendForce 同日表示，AI 伺服器需求持續，HBM 與通用 DRAM 仍將分享有限的先進製程產能，2027 年存儲供應將維持偏緊，並上調 2027 年 HBM 價格預期，預計混合平均售價同比上漲 121%。受供應有限和系統成本上升影響，8 層 HBM 預計將成為 2027 年多家廠商優先評估的方案，其每 Gb 售價將比 12 層產品高約 10% 至 20%。

ChainCatcher 消息，經濟日報報導，蘋果、輝達、超微、高通、聯發科等大廠衝刺 AI 與高速運算，近期追加預訂台積電 2 奈米家族產能，增幅達 10% 至 20%。台積電因此加快 2 奈米家族擴產，進度優於預期。台積電一向不評論客戶訊息與市場傳聞。市場原本預估，台積電今年底 2 奈米家族月產能約 9 萬至 10 萬片，2027 年可望持續雙位數成長、達 11 萬至 14 萬片。業界傳出，因客戶追單踴躍，今年底月產能將衝刺 12 萬片，原訂 2027 年目標將提前達成。消息人士稱，因應蘋果與非蘋客戶需求，2 奈米家族新產能開出速度與規模創新紀錄，遠超過 3 奈米家族第一年產能爬升速度。台積電資深副總暨副共同營運長侯永清在今年北美技術論壇表示：因應 AI 等強勁需求，今年將首度同時有五座 2 奈米廠放量，包含新竹兩座、高雄三座；2 奈米第一年晶圓產出將較 2023 年 3 奈米第一年增加 45%；2026 年至 2028 年 2 奈米產能年複合成長率將達 70%。台積電南科 3 奈米今年第 4 季月產能將近 18 萬片，並正於台灣、美國亞利桑那州及日本新增三座 3 奈米晶圓廠，美國第二座晶圓廠計畫 2027 年下半年開始量產。

ChainCatcher 消息，据 TechPowerUp 报道，中國 DRAM 廠商長鑫存儲（CXMT）預計到 2026 年底 DRAM 晶圓月產能約達 35 萬片，美光同期預估約 37.5 萬片。長鑫存儲潔淨室建設週期約 12 個月，短於行業通常的 21 至 24 個月。受美國制裁無法獲得 EUV，長鑫存儲使用較舊的 DUV 光刻及多重圖案化技術。該公司已開始出貨 16 Gb DDR5 晶片，速度 8000 MT/s，晶片面積 67 mm²、密度 0.239 Gb/mm²，G4 單元較 G3 小 20%。24 Gb 模組以約 6000 MT/s 量產，LPDDR5X-10667 模組（12 Gb 和 16 Gb）亦已量產。中國政府正鼓勵長鑫存儲向 JHICC、Swaysure 及長江存儲子公司 XMC 等國內廠商轉移 DRAM IP。

ChainCatcher 消息，時序進入2026年第3季下旬，台積電3奈米、2奈米先進製程與CoWoS先進封裝產能持續供不應求。NVIDIA、蘋果持續佔有先進製程與封裝資源；亞馬遜AWS旗下Annapurna近期放大AI自研晶片投片，取得更多3奈米產能。聯發科除手機晶片外，亦以Google TPU相關大單爭搶2/3奈米製程與CoWoS-S/L產能。市場傳出台積電近期重新調整產能配置。聯發科承接Google TPU大單後，下一代TPU v9將同時採用台積電CoWoS-L及英特爾EMIB-T，已微調聯發科3奈米、2奈米產能安排。目前台積電3奈米主要客戶為NVIDIA，2025年超越蘋果成為最大客戶；2奈米則以蘋果等需求為主。AWS放大Annapurna投片後，其3奈米與CoWoS配置順位已提升。台積電2026年初起加速擴產，新竹寶山Fab 20及高雄Fab 22的2奈米月產能至10月底各有5萬片，合計約10萬片；至10月底南科3奈米月產能約18.5萬片。至9月底整體產能利用率約96.2%，其中16/12奈米以下至2奈米均為100%。CoWoS供應不足帶動先進封裝訂單外溢，承接順位為日月光集團旗下矽品優先，接著為Amkor、力成等，力成相關封測產能已全數滿載，訂單能見度至2028年。

ChainCatcher 消息，供應鏈傳出，台積電首次揭露明年 2／3 奈米擴產目標，2 奈米從今年底 9 萬片增至明年中 11 萬片，增幅 22%；3 奈米從今年底逾 18 萬片增至明年中 21 萬片，增幅逾 16%。台積電昨日不評論市場傳聞，強調產能相關說明依公司公告為準。據悉，台積電 3 奈米月產能去年底達 12 萬至 13 萬片，今年底擴至 18 萬片，目標明年中逾 21 萬片。2 奈米今年底月產能將達 9 萬片。台積電先前表示，2026 年資本支出介於 600 億美元至 640 億美元，其中約 70% 至 80% 用於先進製程，並新增三座 3 奈米晶圓廠，分別位於台灣、美國亞利桑那州及日本，同時在台灣轉換 5 奈米設備支援 3 奈米產能。

ChainCatcher 消息，供應鏈傳出，AI 芯片用高階測試介面產能吃緊，NVIDIA 大舉加價包下主流測試介面業者的探針卡及測試座產能，部分研發與工程驗證需求受排擠。包括晶圓代工廠台積電及芯片廠已啟動多元供應商驗證，以應對產能被鎖定後的供應壓力。

ChainCatcher 消息，力成、京元電及矽格8月營收均呈年月雙增，力成、矽格連續兩月改寫歷史新高。力成8月合併營收85.58億新台幣，月增3.48%、年增24.46%，繼7月首度突破80億元並創歷史新高後8月再刷新紀錄，累計前八月營收612.58億元，年增30.83%。京元電8月營收40.80億元，月增2.23%、年增31.58%，累計前八月營收294.04億元，年增35.53%。矽格8月營收20.7億元，月增近3%、年增近29%，累計前八月營收152.6億元，年增逾20%。力成今年主要成長來源仍是儲存器封測需求回升。力成先前預期第三季營收將呈個位數季增，第四季還有機會高於第三季，儲存器訂單動能可望延續至年底，明年初市況正向。除儲存器本業外，先進封裝成為下一階段佈局重點，旗下面板級封裝已獲美系客戶採用，P11廠產能由客戶包下，規劃2027年中進入整合ASIC與HBM的AI晶片量產階段。京元電近年積極擴充高階測試產能，AI相關產品已成為推升營運的重要力量，AI GPU、ASIC及高速運算晶片測試需求仍是其主要成長來源。矽格指出，AI及高速互連需求強勁，包括CPU、GPU、ASIC及AI加速器等高性能運算晶片需求增加。矽格2月新購湖口廠區完成無塵室建置後於7月投入量產，目前產出達該廠總產能40%，逐步承接國外客戶新增需求。

ChainCatcher 消息，三星電子晶圓代工事業部在 4 奈米工藝中，分配給第六代高帶寬儲存器 HBM4 用基底芯片量產的比重最近突破 50%。業界稱，該事業部今年下半年將超過一半的 4 奈米晶圓投入 HBM4 基底芯片製造，以配合向英偉達、博通、AMD 等擴大供應。三星於今年 2 月率先啟動 HBM4 量產出貨，並計劃自第三季度起擴大供應量，自年中起顯著增加相關晶圓投入。該芯片基於三星晶圓代工 4 奈米（SF4）工藝。截至上月，其全部 4 奈米產能中超過 50% 已分配給 HBM4 基底芯片。知情人士稱，三星 4 奈米目前處於滿產，其中 HBM4 基底芯片占比約 50% 至 60%，下半年將維持高占比。三星在平澤 2 廠與 3 廠的晶圓代工產線量產 4 至 7 奈米級工藝，其中 4 奈米產能約每月 3 萬片，據此估算 HBM4 基底芯片相關晶圓投入約每月 1.5 萬片。三星在第二季度業績電話會上表示，預計第三季度 HBM4 營收環比擴大 3 倍以上，下半年 HBM4 營收將超過公司整體 HBM 營收的 60%。

ChainCatcher 消息，中國封測龍頭長電科技於 9 月 7 日宣布，計劃透過非公開發行股票募集不超過 65 億元人民幣（約合 9.68 億美元），用於 AI 晶片先進封裝產能擴張及相關技術研發。本次募資將主要投向高密度系統級封裝、晶圓級封裝等面向 AI 計算晶片的產線建設，以應對來自英偉達、AMD 等客戶的訂單需求。長電科技表示，AI 晶片對封裝技術的帶寬和散熱要求顯著提升，現有產能已接近滿負荷運轉。目前該募資方案尚需獲得股東大會及監管機構批准。

ChainCatcher 消息，韓國央行表示，得益於三星電子和 SK 海力士積極擴建國內生產設施，韓國在儲存晶片產能方面的領先優勢預計將進一步擴大。韓國央行預計到 2028 年投產的新晶片工廠將使韓國每月晶圓產能增加約 60 萬片。

ChainCatcher 消息，据電子新聞 9 月 3 日報導，美光計劃將高帶寬記憶體 HBM 產能較去年擴大一倍，今年年底前最多新增月產能 6 萬片晶圓。知情人士稱，去年美光 HBM 產量約月產 4 萬至 5 萬片，年底有望達到約月產 10 萬片規模，以縮小與三星電子、SK 海力士的差距。美光正增加對多家 HBM 設備商的採購訂單，生產基地主要在中國台灣與新加坡晶圓廠，持續導入設備。目前產量以 HBM3E 12 層為主，今年初 HBM4 12 層佔比約 20% 至 30%，年底或升至最高 50%。HBM4 12 層將用於英偉達最新 AI 加速器 Vera Rubin，美光自今年第二季度起量產該產品。美光 CEO 梅赫羅特拉今年 6 月在 2026 財年第三季度業績會上表示，HBM4 12 層量產爬坡速度約為 HBM3E 12 層的兩倍，HBM4 累計出貨營收已超 10 億美元。業界認為三星、SK 海力士各自 HBM 產能約月產 15 萬至 20 萬片。Counterpoint 數據顯示，今年第二季度全球 HBM 市佔率 SK 海力士 50%、三星 32%、美光 18%。美光還在日本廣島籌備相關投資。

ChainCatcher 消息，分析指出，中國主要 DRAM 廠商 CXMT 月度晶圓產出已在 2025 年末觸及約 24 萬片峰值，並預計 2026 年維持持平。受美國對先進半導體設備尤其是 EUV 光刻機出口管制收緊影響，其擴產能力受限，實質性擴產最早要到 2027 年，且取決於本土設備供應鏈進展。高盛數據顯示，CXMT 對國內 DRAM 需求覆蓋率 2026 年僅約 41%，2028 年約 50%，呈現多年結構性瓶頸。TrendForce 數據顯示，傳統 DRAM 合約價 2026 年一季度環比大漲 90%-95%，二季度再漲 58%-63%，Jefferies 預計三、四季度仍將分別上漲 40%-50% 與 30%-40%。伺服器 DRAM 漲幅更陡，三星與 SK 海力士向微軟、谷歌等客戶提出一季度 60%-70% 漲價。S&P Global 預計三星傳統 DRAM 每比特收入 2026 年同比升 116% 至 0.79 美元，美光 ASP 升 54% 至 1.06 美元；Bernstein 預計 SK 海力士 DRAM 毛利率 2026 年四季度可達 92.7%。多方預測認為有效供應緩解最早要到 2027 年末甚至 2028 年。

ChainCatcher 消息，据 DIGITIMES 報導，NB 供應鏈傳出品牌廠大舉回頭，「返中生產」成新趨勢。惠普、華碩、宏碁等品牌近期明顯縮減原規劃前移至東南亞的產能，生產重心再度回歸中國重慶或昆山，並增加向中系 ODM 或 EMS 廠下單及貼牌比重。涉及廣達、英業達泰國廠及仁寶、緯創越南廠等產線或受客戶移轉影響。聯想、戴爾與蘋果則相對不動。供應鏈指出，美國對等關稅被聯邦最高法院判定違憲後，替代關稅衝擊較小，且東南亞 NB 生產成本較中國平均每台高出 9 美元。品牌廠單台 NB 毛利率多在 3% 至 10%，以均價約 300 美元的低價機種計，9 美元差距已接近甚至超過其利潤，導致出貨無利可圖。中國地方政府亦因稅源減少要求提高產量，否則追回過往補助，形成回流拉力。相關 ODM 人士稱將尊重客戶決定，若無法承接單一產品，會在當地轉產伺服器與網通等其他產品線。聯想因分散佈局較謹慎，遷回幅度有限；戴爾因美國政府訂單占比較高未大舉回流；蘋果主打高價市場並推動自動化，MacBook 遷離上海主因疫情斷鏈，其越南計畫迄今未變。

ChainCatcher 消息，据路透社援引知情人士報導，三星電子已對部分先進代工服務新訂單提價最高 15%，因 AI 晶片需求激增導致產能緊張。該公司長期在代工領域落後於台積電。中國客戶需求尤為強勁，但三星需優先服務美國客戶並預留部分產能支持自有晶片生產，無法承接全部訂單。受美國先進晶片設備對華出口限制影響，中國企業更依賴海外代工廠，部分中國客戶接受了最大幅度漲價。知情人士稱，三星於 7 月上調 4 奈米（SF4）工藝價格，中國與美國客戶漲幅 10% 至 15%，台灣客戶為 5% 至 10%；5 奈米（SF5）晶圓漲價 10% 至 15%，較舊的 8 奈米工藝漲幅接近 10%。平澤工廠 SF4 產線自去年底以來滿負荷運轉，既為高通等客戶生產邏輯晶片，也為三星自身 HBM 提供基礎裸片。分析指出，台積電先進產能被訂滿後，客戶轉向三星與英特爾，使三星具備提價空間。三星代工業務自 2022 年以來持續虧損，但公司預計在稼動率提升、良率改善與價格走強推動下有望較快扭虧，下半年代工營收有望同比兩位數增長，先進工藝占比將超過一半，AI 與高性能計算應用占比將超過 30%。特斯拉、蘋果、博通、英偉達等已與三星達成相關合作，谷歌亦在洽談使用 SF4 制程。

ChainCatcher 消息，SK 海力士已重啟其大連第二座 NAND 閃存工廠建設，預計將該地區月產能提升約 50%。新產線設計月產能約 5 萬片晶圓，疊加現有大連一廠 10 萬片月產能，SK 海力士在華 NAND 總產能將增至約 15 萬片每月。該工廠於四年前動工，後因儲存芯片市場下行及美國對華設備出口限制暫停，僅完成結構框架。大連二廠的投資由 SK 海力士旗下 NAND 子公司 Solidigm 推動，最早於今年 11 月啟動設備搬入，計劃明年上半年建立量產體系。受 AI 數據中心擴張推動，企業級 SSD 需求激增，NAND 價格較一年前上漲近 10 倍，帶動投資重啟。SK 海力士將採取雙軌策略：大連工廠利用英特爾成熟浮柵架構生產百層級別 NAND，清州 M17 等國內工廠則聚焦 300 層以上先進 NAND 生產，後者已宣布投資 19.1 萬億韓元。業內預計大連二廠設備配置與一廠相近，月產能維持在 4 萬至 6 萬片區間。

ChainCatcher 消息，微軟計畫在今年秋季（可能最快於 9 月）公開發布其下一代 Maia 300 AI 晶片。為滿足 2027 年的交付需求，微軟已與台積電進行接洽，以確保獲得超過 30 萬枚該晶片的製造產能。

ChainCatcher 消息，特斯拉表示，TeraFab 將在得州格賴姆斯縣建設，特斯拉和 SpaceX 所需的晶片數量將遠超當前及未來全球生產能力。

ChainCatcher 消息，据韓媒The Elec報導，GlobalWafers 在Q2財報電話會上表示，12英寸、8英寸及6英寸產線已接近滿載，部分先進12英寸產品已出現供應約束，主因AI晶片、HBM及先進封裝需求激增。信越化學 Q2 12英寸出貨量同比及環比均實現兩位數增長，勝高 亦判斷客戶庫存調整已近尾聲，SK Siltron 新產線產能雖逐步釋放，仍難滿足訂單增速。供給緊張推動長約模式變化，GlobalWafers 上月與美光簽署10年 LTA（含預付款）。非LTA市場價格已開始上漲，預計下半年繼續走高。GlobalWafers表示正與客戶就新合同納入價格調整機制進行協商，世創電子 亦強調"需要廣泛且有意義的價格上漲"以支撐再投資。業內預計，隨著三星、SK海力士及美光等新廠陸續投產，2027年下半年 晶圓需求將翻倍，供應短缺可能進一步加劇。

ChainCatcher 消息，据韓媒ZDNet Korea報導，三星電子晶圓代工業務 4nm 產線產能已滿載至明年，主要受 HBM4 訂單激增及英偉達推理用 LPU"Grok3" 超預期訂單推動。為應對產能瓶頸，三星正積極向客戶推薦已通過驗證的 5nm 製程作為替代方案，該工藝原主要面向汽車晶片，現正擴大至 伺服器及高性能AI/NPU晶片 領域。報導稱，近期 3-4個月 內5nm客戶需求顯著增長，主要來自因台積電先進製程供應緊張及地緣政治因素轉向的中國及印度Fabless企業。此外，2nm製程的客戶諮詢也在持續進行中。