ウェハ

中芯国際は第3四半期の財務報告を発表しました。前の3四半期で営業収入は606.18億元で、前年同期比22.4%の増加；親会社に帰属する純利益は73.14億元で、前年同期比91.6%の増加。第3四半期単独では、会社は営業収入219.83億元を達成し、前年同期比28.1%の増加；親会社に帰属する純利益は28.47億元で、前年同期比87.6%の増加。第3四半期の全体の販売収入は31.9億ドルに達し、前四半期比6.1%の増加；粗利率は29.9%で、前四半期比4.6ポイントの増加。業績の変動は主にウェーハの販売量の前年同期比増加、稼働率の上昇、および製品構成の変動によるものです。会社は第4四半期の収入が前四半期比4%から6%の増加を見込んでおり、粗利率の指針は26%から28%です。

韓国のテクノロジーメディア TheElec の報道によると、サムスン電子は2030年までに8インチウェハーの受託生産事業から完全に撤退し、戦略の重心を12インチの先進プロセスに移す計画です。サムスンは8インチの生産ラインを段階的に縮小し、器興園区にあるS7工場は2026年下半期に最初に閉鎖される予定で、この工場の月産能力は約5万枚のウェハーです。S7が閉鎖された後、サムスンの8インチウェハーの総月産能力は25万枚から20万枚未満に減少し、残りのS6およびS8工場の稼働率はその時点で約70%に低下します。サムスンの受託生産事業の責任者であるハン・ジンマン氏は以前、8インチ受託生産市場の競争がますます激化し、価格主導になっていると述べており、同社はこの事業を段階的に縮小する計画です。

財聯社が報じたところによると、現地時間9月29日、三星電子の執行副社長Kim Taewooは、来年のHBMがDRAMメーカーのウェーハ総生産能力の約30%を占めると予想しており、現在その割合は約20%であると述べました。彼は、HBMと従来のDRAMが同じウェーハ生産能力を争っており、HBMの生産を拡大すると従来のDRAMの供給が圧迫される可能性があると述べました。TrendForceは以前、2027年末までに世界の三大HBM供給者のHBMウェーハ投入量がDRAMウェーハ総投入量の約30%を占めると予測していますが、ストレージ容量で計算すると、DRAM総供給量の約13%しか貢献できないとしています。また、9月20日の報道によると、三星は今年2月からHBM4の量産出荷を開始し、5月にはNVIDIAを含む顧客に12層HBM4Eサンプルを提供しました。業界では、三星のHBMの月平均ウェーハ投入量が今年の約18万枚から来年の約25万枚に増加すると予想されています。TrendForceは同日、AIサーバーの需要が続いており、HBMと汎用DRAMは依然として限られた先進プロセスの生産能力を共有すると述べ、2027年のストレージ供給は引き続き厳しい状況が続くとし、2027年のHBM価格予想を引き上げ、混合平均販売価格が前年比で121%上昇すると予測しています。供給が限られ、システムコストが上昇する影響を受けて、8層HBMは2027年に多くのメーカーが優先的に評価する方案となる見込みで、その価格は12層製品よりも約10%から20%高くなると予想されています。

台積電が出資する半導体製造会社VISがシンガポールの初のウェハ工場を稼働させ、フル稼働に達しました。これはAIインフラの需要によるものです。この工場はNXPと合弁で、6月に試作を開始し、歩留まりは99%に達しました。2027年初頭に量産を計画しています。台積電は約19%の株式を保有しています。

サプライチェーンの関係者によると、台積電のウェハー受託生産価格が再度上昇することが確定し、2027年1月から異なるプロセスに応じてウェハー出荷価格が調整されることが決まった。上昇幅は約3%から6%である。8インチ工場の稼働率は100%を超え、45ナノメートル以下のプロセスはフル稼働しており、受注の見通しは2030年まで達している。先進プロセスの上昇幅は高く、成熟した特殊プロセスは製品、稼働率、顧客の状況に応じて個別に交渉される。台積電は市場の噂には応じていない。サプライチェーンの関係者によると、台積電の2ナノメートル、3ナノメートルは供給不足であり、CoWoSなどの先進パッケージの生産能力の圧力は解消されていない。顧客は価格の引き上げに直面しても、すぐに供給業者を切り替えることは容易ではない。アメリカのアリゾナ州の工場は高い製造コストを反映しており、受託生産の見積もりは高水準を維持している。価格改定後、サムスン電子、インテル、聯電、世界先進などのウェハー受託生産工場、ならびに封止テスト工場やIC設計顧客の見積もりも影響を受ける可能性がある。聯電、力積電、世界先進はすでに値上げ戦略を発表しており、値上げは2027年まで続く見込みである。サプライチェーンによると、この波のAI需要はGPU、ASIC、HBMに加えて、PMIC、MCU、ドライバIC、アナログIC、センサーなどの需要も増加している。IC設計業者は、ウェハー価格が引き上げられた後、製品コストを再評価する必要があると指摘しており、高階GPU、ASICは転嫁の余地が相対的に大きい。台積電の会長である魏哲家は、顧客がウェハー受託生産パートナーを選ぶ際、今日不満だからといって明日すぐに別の会社に切り替えるわけではないと述べた。サプライチェーンによると、Google、Apple、NVIDIAなどの転注は主に非コアチップや規模の限られた注文であり、主要な高階プロセスの顧客の投片には明らかな変化は見られない。

韓国メディアZDNet Koreaの報道によると、サムスン電子は器興園区NRD-K 2号生産ラインの原定用途を、研究開発施設からウェーハ受託生産ラインに変更している。主な目標製品はNVIDIAのHBMに必要な2nmの基本チップである。この生産ラインは2028年下半期に稼働する予定で、「Send-Fab」モデルを採用し、他の量産ラインからウェーハを受け取り、特定の工程を受託生産する。NRD-Kはサムスン電子が将来の半導体技術を先取りするために建設した最先端の複合研究開発園区で、総投資額は約20兆ウォンであり、3つの生産ラインが計画されている。そのうち第1ラインは2024年末に完成予定である。今回の調整は、AIインフラ投資によるHBM需要の拡大に早期に対応することを目的としている。サムスンはカスタムHBMおよびHBM5において、性能優位を維持するために2nmプロセスを先行して適用する計画である。業界関係者は、NRD-K 2号ラインの規模は比較的小さく、Send-Fab形式での運用に適していると指摘している。しかし、生産ラインの稼働までには約2年の時間があり、最終的な用途は市場の状況に応じて再度調整される可能性がある。サムスンは以前、この生産ラインをDRAM生産に使用することを検討していたが、今月その計画が変更され、DRAMの生産能力は平沢園区により集中されることになった。設備の調達注文はまだ正式には出されていない。

韓国メディアThe Elecの報道によると、GlobalWafersはQ2の決算電話会議で、12インチ、8インチ、6インチの生産ラインがほぼ満載に近づいており、一部の先進的な12インチ製品には供給制約が発生していると述べています。主な理由はAIチップ、HBM、及び先進的なパッケージングの需要が急増しているためです。信越化学のQ2の12インチ出荷量は前年同期比及び前四半期比で二桁の成長を達成し、勝高も顧客の在庫調整がほぼ完了したと判断しています。SK Siltronの新しい生産ラインの能力は徐々に解放されていますが、依然として注文の増加速度には対応できていません。供給の緊張が長期契約モデルの変化を促進し、GlobalWafersは先月美光と10年のLTA（前払いを含む）を締結しました。非LTA市場の価格はすでに上昇し始めており、下半期も引き続き上昇すると予想されています。GlobalWafersは新しい契約に価格調整メカニズムを組み込むために顧客と協議中であり、世創電子も「再投資を支えるために広範かつ意味のある価格上昇が必要」と強調しています。業界では、三星、SKハイニックス、及び美光などの新工場が順次稼働するにつれて、2027年下半期にはウェハーの需要が倍増し、供給不足がさらに悪化する可能性があると予測されています。

ロイター通信によると、関係者は、長鑫存储が北京亦庄に2つ目の12インチDRAMウェハ工場を建設することを検討しており、北京経済技術開発区および複数の国有テクノロジー企業と資金調達の交渉を行っていると述べています。会社は少なくとも6,000万元人民元（約890万ドル）の支援を求めていますが、交渉はまだ初期段階にあり、資金調達の規模と構造は調整される可能性があります。建設予定の工場は、長鑫存储が現在運営している北京のDRAMウェハ工場の所在地に位置します。プロジェクトの計画された生産能力と総投資額はまだ確定しておらず、先進的なDRAMを生産するウェハ工場の建設には通常100億ドル以上が必要です。現在、長鑫存储は合肥で2つ、北京で1つの12インチDRAMウェハ工場を運営しており、それぞれの月間生産能力は約10万枚です。長鑫存储はまた、上海と合肥に新工場を建設中で、関連プロジェクトが全面的に稼働すれば、会社の月間生産能力は倍増し、60万枚を超える可能性があります。今回の生産拡大は、AIインフラ、データセンター、消費電子機器の需要がストレージチップを上昇サイクルに導いている時期に行われています。会社は先月、86億ドルのIPOを完了し、中国本土で最大規模の半導体企業の上場資金調達を実現しました。上場後、株価は13%上昇しています。長鑫存储は現在、世界で4番目に大きなDRAMメーカーですが、サムスン電子、SKハイニックス、マイクロンは第1四半期において依然として世界市場の約90%を占めています。北京と上海も長鑫存储に資金およびその他の支援を提供しており、同社の拡張による経済的および戦略的利益を得ようとしています。

韓国メディアの報道によると、サムスン電子のウェーハ受託製造事業は、世界のAIチップ市場でのシェア拡大を加速させている。昨年、テスラのAIチップの受注を受けた後、サムスンは現在、MetaおよびAnthropicとカスタマイズチップ（ASIC）の生産協力を進めている。報道によれば、Metaはサムスンと10兆ウォンを超える次世代ASIC設計および生産契約について交渉中である。Metaの第3世代AIアクセラレーター「MTIA」は、台積電からサムスンの最先端2ナノプロセスに移行し、大規模量産を行う予定であり、サムスンのSystem LSI部門が早期のチップアーキテクチャ設計を共同で行い、6ヶ月ごとの迅速な研究開発サイクルに対応する。また、アメリカのAI企業Anthropicも、サムスンの2ナノプロセスを利用して専用ASICの開発を評価しており、AIインフラの内部化を進めることを目指している。業界関係者は、世界のテクノロジー大手のAIチップの受注が集中していることに加え、現在BYDとの車載チップ受託製造契約について交渉中であることから、サムスンのウェーハ受託製造事業の中長期的な受注残高は50兆ウォンに迫ると予想されており、今年第4四半期には営業利益が黒字化する見込みである。

日経新聞の報道によると、SKハイニックスは2034年までにウェーハ生産能力を3倍に拡大し、メモリチップの増大する需要に応える計画です。

SKハイニックスグループの会長、崔泰源は、今後5年間でストレージチップのウェハ生産能力を倍増させる計画を発表し、ストレージチップの生産能力のボトルネック問題は2030年まで続く可能性があると予想しています。