bm

Согласно отчету Корейской экономической газеты, следующая генерация высокоскоростной памяти Samsung Electronics "12-слойная HBM4E" прошла проверку качества от NVIDIA и основных операторов гипермасштабных дата-центров.

Согласно отчету PRNewswire, председатель компании Bitmine Том Ли заявил, что по мере того как крипторынок входит в бычий цикл, который он считает таковым, цена акций Bitmine (BMNR) в период медвежьего рынка 2025-2026 годов будет заслуживать внимания по сравнению с Эфириумом (ETH).За первые 9 месяцев 2026 года цена ETH упала на 10%, в то время как BMNR упала всего на 3%, что обеспечило относительное превосходство примерно в 731 базисный пункт (7,31 процентного пункта). Динамика цен акций BMNR отражает обязательство компании по постоянной оптимизации доходности для акционеров, включая реализацию крупнейшей в криптоиндустрии программы выкупа акций корпоративной казны, в рамках которой в 2026 году было выкуплено 21 миллион акций.Кроме того, Том Ли отметил, что с третьего квартала 2026 года ETH опередил индекс S&P 500 на 6832 базисных пункта. На фоне макроэкономического давления, связанного с жесткой позицией Федеральной резервной системы, ростом цен на нефть, увеличением доходности глобальных облигаций и ужесточением финансовых условий, ETH продолжает демонстрировать сильные результаты, опережая другие основные макроактивы.

Согласно данным Gate, акции программного обеспечения на американском рынке выросли: IBM увеличилась на 5%, ServiceNow на 4.8%, Salesforce на 3%.

Согласно сообщению финансового агентства, ссылаясь на местные СМИ, 29 сентября, вице-президент Samsung Electronics Ким Тэ У: ожидается, что в следующем году HBM займет почти 30% от общего объема производства полупроводниковых пластин производителей DRAM, в настоящее время этот показатель составляет около 20%. Он отметил, что HBM и традиционный DRAM конкурируют за одну и ту же партию производственных мощностей, увеличение производства HBM может сократить предложение традиционного DRAM.TrendForce ранее прогнозировал, что к концу 2027 года три крупнейших поставщика HBM будут вкладывать около 30% в общий объем пластин DRAM, но по объему памяти это сможет составить лишь около 13% от общего предложения DRAM. Кроме того, согласно сообщениям СМИ от 20 сентября, Samsung начала массовое производство HBM4 в феврале этого года и в мае предоставила образцы 12-слойного HBM4E клиентам, включая NVIDIA; в отрасли ожидают, что ежемесячный объем поставок пластин HBM от Samsung вырастет с примерно 180 000 в этом году до около 250 000 в следующем.TrendForce в тот же день заявила, что спрос на серверы AI продолжает расти, HBM и универсальный DRAM по-прежнему будут делить ограниченные производственные мощности передовых технологий, а в 2027 году предложение памяти останется напряженным, и прогноз цен на HBM на 2027 год был повышен, ожидается, что средняя цена вырастет на 121% по сравнению с прошлым годом. Из-за ограниченного предложения и роста системных затрат 8-слойный HBM, как ожидается, станет приоритетным вариантом для многих производителей в 2027 году, его цена за Гб будет на 10% до 20% выше, чем у 12-слойных продуктов.

IBM объявила, что клиенты ее платформы управления цифровыми активами IBM Digital Asset Haven теперь могут подключаться к лицензированным блокчейн-сетям, включая блокчейн-основу общего реестра Swift. Новый тестовый адаптер сообщений ISO 20022 позволяет финансовым учреждениям инициировать токенизированные депозитные транзакции через этот реестр, используя стандартные платежные сообщения. IBM заявила, что финансовые учреждения, участвующие в программе Swift, уже протестировали токенизированные депозиты на этом реестре с помощью Digital Asset Haven. Этот реестр поддерживает токенизированные депозиты, выпущенные банками, что позволяет клиентам IBM круглосуточно перемещать цифровые активы, при этом окончательный расчет по-прежнему осуществляется через существующие системы.Swift впервые представила этот реестр на Sibos 2025, основанный на прототипе, разработанном в сотрудничестве с Consensys, в проектировании которого участвовало более 40 финансовых учреждений, из которых 17 участвуют в пилотном проекте токенизированных депозитов. В настоящее время Swift соединяет более 12,5 тысяч финансовых учреждений на более чем 200 рынках по всему миру. Указанный адаптер сообщений позволяет банкам продолжать использовать существующие форматы платежных сообщений и операционные процессы без необходимости внедрения специализированных рабочих процессов блокчейна.IBM также расширила Digital Asset Haven до локализованной тестовой версии, которая может быть установлена на IBM Z и IBM LinuxONE в собственных дата-центрах клиентов для управления цифровыми активами, такими как стейблкоины и токенизированные депозиты, без необходимости полагаться на инфраструктуру публичного облака. IBM утверждает, что платформа и уровень управления ключами полностью остаются в среде клиента, а ключи защищены аппаратным модулем безопасности IBM Crypto Express.

В 166-м эпизоде подкаста BidClub дизайнер чипов Bubble boi заявил, что высокоскоростная флеш-память технически привлекательна, но ей не хватает решающих примеров использования в центрах обработки данных. Он сообщил, что основными клиентами, о которых он слышал, являются китайские компании, которым трудно получить или произвести высококачественную HBM.Bubble boi отметил, что задержка HBF и высококачественной AI флеш-памяти составляет около 5 микросекунд, пропускная способность ниже, чем у HBM, стоимость за бит ниже, но общая стоимость может быть сопоставимой. Он считает, что наиболее очевидными клиентами являются те, кто не может получить HBM, что соответствует информации о спросе из Китая, которую он слышал от двух-трех человек, поскольку они не могут полностью производить ускорители или готовы принять продукты, не соответствующие передовым спецификациям.

Согласно отчету Money Today от 21 сентября, Samsung Electronics продвигает расширение мощностей по производству передовых технологий полупроводниковых пластин в связи с ростом рынка HBM, оценивая увеличение производства по 4-нм технологии для удовлетворения растущего спроса на чипы базового уровня HBM4. HBM4 от Samsung состоит из 10-нм 6-го поколения (1c) DRAM основных чипов и 4-нм логических базовых чипов, которые отвечают за высокоскоростной обмен данными с GPU и другими AI-ускорителями.В отличие от SK Hynix, использующего 12-нм технологию TSMC, Samsung применяет собственную 4-нм технологию для базовых чипов HBM4. Эта производственная линия работает на полную мощность и принимает заказы, такие как Groq 3 LPU от NVIDIA, компания недавно повысила цены на новые заказы по 4-нм и базовые чипы HBM4. Samsung ожидает, что доходы от HBM4 в третьем квартале вырастут более чем в 3 раза по сравнению с предыдущим кварталом, а доля HBM4 в доходах от HBM во второй половине года значительно превысит 60%. Дополнительное расширение P4 в Пхенчхане в основном будет использовано для 1c DRAM для HBM, более половины мощностей по 4-нм технологии полупроводниковых пластин уже распределено на базовые чипы HBM4.HBM4E также использует 4-нм базовые чипы, Samsung предоставила образцы клиентам в мае. Компания также оценивает возможность строительства новой производственной линии по 2-нм технологии для HBM5, цель состоит в том, чтобы использовать структуру GAA и увеличить плотность TSV, что позволит увеличить скорость работы более чем на 50% по сравнению с HBM4E. Citi ожидает, что в следующем году глобальный спрос на биты HBM достигнет 75,2 миллиарда Gb, что на 62% больше по сравнению с прошлым годом, при этом предложение составит около 59,4 миллиарда Gb, а дефицит составит около 21%.

Согласно отчету Seoul Economic Daily, Samsung Electronics планирует в следующем году увеличить объем производства шестого поколения высокоскоростной памяти HBM4 и седьмого поколения HBM4E, а также других продуктов серии HBM4 как минимум вдвое по сравнению с текущим годом. Компания намерена увеличить объем очистки стеклянных подложек, необходимых для тонкой обработки HBM на DRAM, с 20 000 штук в месяц в этом году до 50 000 штук в месяц в следующем году, что составляет увеличение в 2,5 раза. В прошлом году месячный спрос на эти подложки составлял около 10 000 штук, в этом году он удвоился по сравнению с прошлым годом.Основное внимание Samsung Electronics уделяет увеличению производства HBM4 и HBM4E, которые в основном состоят из высоких многослойных продуктов с 12 слоями и более. Компания начала массовое производство HBM4 с использованием шестого поколения DRAM на уровне 10 нм (1c) и чипов на основе 4 нм в феврале этого года, а в мае предоставила образцы HBM4E с 12 слоями клиентам, таким как NVIDIA. Ожидается, что с учетом среднемесячного ввода вафель, производственные мощности HBM Samsung Electronics увеличатся с примерно 180 000 штук в этом году до примерно 250 000 штук в следующем году, что составляет рост почти на 40%; доля отгрузок серии HBM4 может вырасти с примерно 40% в этом году до примерно 80% в следующем году.

KB Securities 11 сентября опубликовали отчет, в котором указали, что доля рынка HBM компании Samsung Electronics ожидается, что вырастет с 33% во втором квартале до 40% в четвертом квартале, что в основном связано с тем, что продажи HBM4 в третьем квартале увеличились более чем в три раза по сравнению с предыдущим кварталом, и ожидается, что во второй половине года HBM4 составит более 60% от общего объема продаж HBM.Samsung Electronics уже установила полное производство HBM4, начала поставки образцов HBM4E ключевым клиентам, приняла архитектуру HBM5 с ядром 1c и базовыми чипами 2 нм, а также дорожную карту следующего поколения ZHBM. В области контрактного производства стабильность выхода на 4 нм составляет более 80%, а выход на 2 нм GAA быстро увеличивается до более чем 70%. Аналитик KB Securities Ким Донг-Вон заявил, что контрактное производство с третьего квартала ожидается, что выйдет на прибыль, а выход на 2 нм в этом году может помочь получить заказы от крупных клиентов в США.

Согласно эксклюзивному отчету агентства Reuters от 10 сентября, китайские производители AI-чипов значительно повысили цены из-за нехватки высокоскоростной памяти. Huawei повысила цену на ускоритель Ascend 950DT до более чем 250 000 юаней, что на 20% до 50% выше по сравнению с ценой два месяца назад. Cambricon также увеличила ориентировочную цену на свой планируемый чип 690 на 20% до 30%, аналогичные повышения цен наблюдаются у Muxi и Tianxu Zhixin.В отчете говорится, что причиной являются экспортные ограничения США и рост затрат из-за поставок высокоскоростной памяти на сером рынке. Цены на более ранние продукты Huawei, такие как Ascend 950PR и 910C, также выросли примерно на 30%. Указанные повышения цен увеличили стоимость строительства AI-вычислительных мощностей в Китае. Компании, такие как Huawei и Cambricon, не прокомментировали ситуацию.

Согласно сообщениям из отрасли, компания Nvidia рассматривает возможность изменения схемы высокоскоростной памяти для следующего поколения искусственного интеллекта Rubin Ultra с 12 слоев на 8 слоев.На фоне роста затрат на хранение Nvidia уделяет больше внимания стоимости единицы пропускной способности и экономичности всей системы.

Согласно сообщению газеты "Чосон Ильбо", крупнейший производитель DRAM в Китае, компания Changxin Storage (CXMT), запустила опытное производство четвертого поколения высокоскоростной памяти HBM3. Начальный выход годной продукции остановился на уровне 25%, что составляет примерно одну треть золотого выхода в 80% для серийного производства. SK Hynix с 2022 года производит аналогичную продукцию, выход которой превышает 90%.Выход годной продукции на первом этапе для 8-слойных продуктов HBM3 от Changxin Storage составляет около 30%, а на втором этапе — около 70%, что становится окончательной годной продукцией. Компания поставляет небольшое количество образцов китайским компаниям, таким как Alibaba Pingtouge и Cambricon, и продолжает улучшать выход годной продукции. Технология G4 (17 нм) для обычного DRAM не имеет серьезных проблем, но DRAM-чипы для HBM имеют большую площадь и более строгие электрические спецификации.Отрасль связывает причины с недостаточной зрелостью технологии кремниевых через отверстия TSV. Анализ Nomad Semi показывает, что у Samsung HBM2 более 5000 TSV на чип, у SK Hynix HBM3 более 8000, а у Changxin Storage около 3000. Существует разрыв в 4-5 лет по сравнению с Samsung и SK Hynix.

Отдел полупроводникового производства компании Samsung Electronics в технологии 4 нм недавно достиг более 50% доли в массовом производстве базовых чипов для шестого поколения высокоскоростной памяти HBM4. В отрасли сообщают, что этот отдел во второй половине года выделит более половины своих 4-нм пластин на производство базовых чипов HBM4, чтобы увеличить поставки для таких компаний, как NVIDIA, Broadcom и AMD.Samsung первой запустила массовое производство HBM4 в феврале этого года и планирует увеличить объем поставок с третьего квартала, значительно увеличив соответствующие инвестиции в пластины с середины года. Этот чип основан на технологии полупроводникового производства Samsung 4 нм (SF4). По состоянию на прошлый месяц более 50% всех мощностей 4 нм уже были выделены для базовых чипов HBM4. Источники сообщают, что на данный момент Samsung работает на полную мощность на 4 нм, при этом доля базовых чипов HBM4 составляет около 50% до 60%, и в второй половине года она останется высокой.Samsung производит 4-7 нм чипы на своих заводах в Пхенчхане 2 и 3, где мощность 4 нм составляет около 30 000 пластин в месяц, что позволяет оценить, что инвестиции в пластины для базовых чипов HBM4 составляют около 15 000 пластин в месяц. На телефонной конференции по результатам второго квартала Samsung заявила, что ожидает, что выручка от HBM4 в третьем квартале увеличится более чем в 3 раза по сравнению с предыдущим кварталом, а во второй половине года выручка от HBM4 превысит 60% от общей выручки компании от HBM.

Аналитик по ценным бумагам Future Asset Ким Ён-гун заявил, что расширение поставок HBM от Samsung Electronics для приложений ИИ, как ожидается, компенсирует замедление роста общего объема поставок памяти в следующем году. Ожидается, что в 2027 году объем поставок HBM от Samsung Electronics и средняя цена продажи вырастут на 57% и 49% соответственно, что превысит ожидаемые темпы роста общего объема поставок памяти в 16% и 20%.Future Asset ожидает, что прибыль Samsung будет подвержена влиянию укрепления корейской воны по отношению к доллару, но в целом останется стабильной. Агентство снизило прогноз операционной прибыли Samsung на 2026 год на 5,7% до 370,057 триллиона вон, а на 2027 год — на 4,2% до 535,682 триллиона вон.

Председатель компании Bitmine, занимающейся финансами Ethereum, Том Ли опубликовал сообщение на платформе X, в котором заявил, что по состоянию на третий квартал около 20% акций, входящих в индекс Russell 1000 с наибольшим ростом, связаны с криптовалютами. Среди них, BMNR с начала третьего квартала вырос на 99%, заняв 4-е место; MSTR вырос на 67%, заняв 12-е место; CRCL вырос на 65%, заняв 14-е место; BLSH вырос на 55%, заняв 21-е место.Том Ли добавил, что до конца третьего квартала остался всего месяц, и эти акции криптовалют с сильными показателями могут стать объектом внимания инвесторов в ближайшее время.

Согласно электронным новостям от 3 сентября, Micron планирует удвоить производственные мощности по высокоскоростной памяти HBM по сравнению с прошлым годом, добавив до 60 000 вафель в месяц до конца этого года. По словам информированных источников, в прошлом году объем производства HBM от Micron составлял около 40 000–50 000 вафель в месяц, и к концу года он может достичь примерно 100 000 вафель в месяц, чтобы сократить разрыв с Samsung Electronics и SK Hynix.Micron увеличивает заказы на закупку у нескольких поставщиков оборудования HBM, производственные мощности расположены в основном на заводах по производству полупроводников в Тайване и Сингапуре, продолжается внедрение оборудования. В настоящее время объем производства в основном сосредоточен на HBM3E 12-слойной памяти, в начале этого года доля HBM4 12-слойной памяти составляла около 20% до 30%, к концу года она может вырасти до 50%. HBM4 12-слойная память будет использоваться в последнем AI-ускорителе от NVIDIA Vera Rubin, Micron начал массовое производство этого продукта с второго квартала этого года.Генеральный директор Micron Мехротра на пресс-конференции по результатам третьего квартала 2026 финансового года в июне этого года заявил, что скорость наращивания объемов производства HBM4 12-слойной памяти составляет примерно в два раза больше, чем у HBM3E 12-слойной памяти, а общий объем поставок HBM4 уже превысил 1 миллиард долларов. В отрасли считают, что производственные мощности HBM у Samsung и SK Hynix составляют около 150 000–200 000 вафель в месяц. Данные Counterpoint показывают, что во втором квартале этого года мировая доля рынка HBM составила 50% у SK Hynix, 32% у Samsung и 18% у Micron. Micron также готовит соответствующие инвестиции в Хиросиме, Япония.

Согласно источникам в индустрии материалов, 2 сентября стало известно, что TSMC ожидает продолжения использования традиционной технологии микровыпуклых контактов в краткосрочной перспективе, а не смешанного соединения, для соединения высокоскоростной памяти HBM с передовыми упаковками AI-ускорителей. Учитывая цикл разработки соответствующих материалов, ожидается, что более мелкие микровыпуклые контакты будут использоваться до позднего этапа HBM4 и раннего HBM5. TSMC уже попросила своих партнеров по материалам и оборудованию разработать решения для соединения и заполнения основания с контактами размером около 5 микрон, и корейские и японские поставщики начали разработки, массовое производство контактов размером 5 мкм ожидается во второй половине 2028 года.В настоящее время высота контактов третьего поколения расширенной HBM, то есть HBM3E, составляет около 15-25 мкм, а HBM4 приближается к 10 мкм. Японские поставщики материалов ранее заявляли, что трудно гарантировать качество ниже 15 мкм. Уменьшение и уточнение контактов связано с ограничениями по высоте кубиков HBM и требованиями к более высокой плотности межсоединений. JEDEC устанавливает максимальную высоту стека HBM в 775 мкм. В передовых упаковках CoWoS от TSMC стеки HBM, собранные поставщиками GPU и памяти, устанавливаются в кремниевый промежуточный слой с помощью микровыпуклых контактов, а 16-слойные кристаллы DRAM собираются такими компаниями, как SK hynix и Samsung Electronics, в упаковке HBM.Первое и второе поколения HBM использовали более крупные припойные контакты, микровыпуклые контакты стали основными примерно с третьего поколения HBM. SK hynix использует технологию MR-MUF, а Samsung Electronics использует TC-NCF. Смешанное соединение позволяет достичь более тонких и плотных межсоединений через прямое соединение медных площадок, TSMC уже использовала это на платформе SoIC для стеков логических чипов, но HBM по-прежнему соединяется с промежуточным слоем с помощью микровыпуклых контактов.

Сообщение ChainCatcher, согласно корейским СМИ, Samsung Electronics сотрудничает с NVIDIA (NVDA.O) для разработки 8-слойной седьмой генерации высокоскоростной памяти (HBM4E), что значительно снижает высоту стеков по сравнению с первоначальными планами на 12 и 16 слоев. Спецификация скорости, предложенная NVIDIA, составляет 17-18 Гбит/с, что примерно на 20% выше скорости образцов HBM4E от Samsung на уровне 14.4 Гбит/с. Сообщается, что этот продукт будет использоваться в NVHBM.

Сообщение ChainCatcher, по данным аналитика Citrini Jukan, SK Hynix работает над диверсификацией поставщиков контрактных фабрик для базовых чипов, используемых в высокобандwidth памяти (HBM), которые создаются путем вертикальной укладки нескольких чипов памяти. Сообщается, что компания рассматривает возможность передачи части производства базовых чипов седьмого поколения HBM, то есть HBM4E, на аутсорсинг фабрикам Intel. До сих пор SK Hynix полностью полагалась на TSMC для аутсорсинга производства базовых чипов.Этот шаг рассматривается как попытка создать стратегию многофункционального аутсорсинга, чтобы уменьшить концентрацию цепочки поставок на TSMC и одновременно усилить переговорные позиции SK Hynix в вопросах ценообразования. По словам отраслевых источников, 31 августа SK Hynix продвигает план, согласно которому базовые чипы HBM4E могут быть совместно произведены TSMC и Intel, начиная как минимум с поколения HBM4E.Поскольку рынок ожидает, что бремя затрат на базовые чипы HBM4E будет расти. Поскольку продукты HBM в основном покрываются долгосрочными поставочными соглашениями (LTA), SK Hynix также трудно сразу же передать более высокие затраты на аутсорсинг клиентам через повышение цен на продукцию. Поэтому отраслевые наблюдатели считают, что если Intel в конечном итоге присоединится к цепочке поставок базовых чипов SK Hynix, компания получит больше возможностей в отношении конкурентоспособности затрат и стабильности поставок.