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財聯社が報じたところによると、現地時間9月29日、三星電子の執行副社長Kim Taewooは、来年のHBMがDRAMメーカーのウェーハ総生産能力の約30%を占めると予想しており、現在その割合は約20%であると述べました。彼は、HBMと従来のDRAMが同じウェーハ生産能力を争っており、HBMの生産を拡大すると従来のDRAMの供給が圧迫される可能性があると述べました。TrendForceは以前、2027年末までに世界の三大HBM供給者のHBMウェーハ投入量がDRAMウェーハ総投入量の約30%を占めると予測していますが、ストレージ容量で計算すると、DRAM総供給量の約13%しか貢献できないとしています。また、9月20日の報道によると、三星は今年2月からHBM4の量産出荷を開始し、5月にはNVIDIAを含む顧客に12層HBM4Eサンプルを提供しました。業界では、三星のHBMの月平均ウェーハ投入量が今年の約18万枚から来年の約25万枚に増加すると予想されています。TrendForceは同日、AIサーバーの需要が続いており、HBMと汎用DRAMは依然として限られた先進プロセスの生産能力を共有すると述べ、2027年のストレージ供給は引き続き厳しい状況が続くとし、2027年のHBM価格予想を引き上げ、混合平均販売価格が前年比で121%上昇すると予測しています。供給が限られ、システムコストが上昇する影響を受けて、8層HBMは2027年に多くのメーカーが優先的に評価する方案となる見込みで、その価格は12層製品よりも約10%から20%高くなると予想されています。

韓国《中央日報》の報道によると、同紙が入手した三星電子の元幹部で、前長鑫メモリ（CXMT）の設備投資責任者である全某の陳述書には、CXMTの前CEOである王寧国が2016年10月から12月にかけて全某ら韓国チームを招集し、三星電子のプロセスレシピプラン（PRP）および設備情報を持ち帰るよう要求したことが記されており、持ち帰らなければ韓国政府に通報すると脅し、相手に対して人脈を確認し、嘘をつかないよう警告したとされています。全某は当時、恐怖を感じたと述べています。報道によれば、CXMTの経営陣は当時「黄山」を三星電子のコードネームとして使用していました。全某は三星電子で28年間勤務した後、CXMTに加入し、無許可で三星が投入した1.6兆ウォン、当時世界初の18ナノDRAMプロセスを漏洩し使用した疑いで起訴され、今年4月に一審で7年の実刑判決を受け、現在二審中です。PRPにはDRAM製造に関する約600のステップの順序、設備、条件値、および設備会社とモデルが含まれています。三星のプロセス設計エンジニア出身の朴某は2016年9月に関連内容を12ページのノートに手書きで記録し持ち出し、現在は国際刑事警察機構の赤色通報状態にあります。全某は法廷での陳述の中で、中国側とのコミュニケーションの際に「18ナノができなければCXMTに投資を提供しない」という発言があったことを述べ、後に相手が最初からその技術を欲していたことを知ったとし、CXMTは当初、自ら開発するつもりはなかったと語っています。上述の圧力は投資申請の準備会議の前に発生しました。CXMTは2016年に合肥市政府傘下の合肥産業投資から144億元の出資を受けて設立され、約10年間は利益を上げておらず、昨年初めて年間利益を計上し、純利益は71億元でした。

ZDNet Koreaの9月28日の報道によると、Samsung Electronicsは平沢第5工場（P5）の初の量産ライン（Ph1）の建設を加速しており、主要設備メーカーとPh1の設備搬入目標を当初の来年の第3四半期から来年の第2四半期に前倒しすることを協議しています。P5は2028年の稼働を目指す次世代半導体生産拠点であり、今年の第3四半期にはPh1のクリーンルームの建設が始まりました。Samsung Electronicsは、当初来年初めに完成予定だったP5 Ph1のクリーンルームの建設を約6ヶ月前倒しし、そのため設備導入は来年の第3四半期頃になると予想されています。業界関係者によれば、設備搬入の開始時期は来年の7月から8月を来年の5月から6月頃に前倒しすることが検討されており、別の関係者はSamsungが来年第1四半期に先に設備を納入し、他の場所に一時保管することを提案したとも述べており、早期投資の意欲が強いことを示しています。P5の第2段階（Ph2）への投資議論も進行中です。現在、Ph1はDRAMおよびHBM生産ラインとして建設される可能性が高く、Ph2は第10世代（V10）を含む先進的なNAND生産ラインとして建設される可能性が高いです。設備業界の関係者は、正式な調達注文はまだ出されていないが、SamsungはパートナーとPh2をNAND生産ラインとして建設することを議論しており、設備の納入サイクルが長いため、関連部品を前もって準備するよう要求していると述べています。報道によれば、世界の大手テクノロジー企業はAIインフラ用の高性能DRAMおよびNANDの注文を増加させており、Samsungなどのストレージ企業は生産能力が限られています。Samsungは7月の第2四半期の業績電話会議で、今年満たされなかった需要は来年に持ち越され、来年の供給不足は今年よりも深刻になると述べており、供給不足は2028年まで続くと予想しています。

半導体分析機関 Kernel Insight：人工知能の需要が DRAM 価格を歴史的高水準に維持させており、最新のプロセス DRAM の単位面積販売価値はすでに台積電の N2、N3 ウェハ価格を上回っています。この機関は台積電の 300 ミリメートル N3 ウェハ価格を 2 万ドル、N2 を 3 万ドルと推定しており、名目価格はそれぞれ約毎平方ミリメートル 0.283 ドルと 0.424 ドルで、エッジロス、切断ロス、歩留まりおよび欠陥は考慮されていません。毎 Gb 1.50 ドルおよび世代ビット密度で計算すると、1y DRAM は毎平方ミリメートル 0.329 ドル、1z は 0.410 ドル、1b は 0.654 ドルで、N2 よりも 50% 以上高くなっています。10 ナノメートル級プロセスは 1y、1z、1a、1b の順に段階的に微細化されています。上記の毎 Gb 価格は現物に近いと仮定されており、DRAMeXchange のデータによると、9 月 21 日の 16Gb DDR5 eTT チップの平均取引価格は 24.80 ドルで、約毎 Gb 1.55 ドルに相当します。比較基準には差異があります。台積電の数字は顧客が支払うウェハのファウンドリ価格であり、DRAM の数字は完成品販売の総販売潜在力であり、先進パッケージコストは考慮されていません；台積電の実際の供給価格は注文量や契約によって変動します。DRAM 指標は小口現物価格に基づいており、三星電子、SK ハイニックス、マイクロンの収益主体の長期契約価格とは異なります。非公開の固定取引価格は最近強含みであり、まだ現物価格に完全に反映されていない場合、メモリメーカーのウェハ単位価格の先行幅はさらに大きくなる可能性があります。

ZDNet Korea の報道によると、サムスン電子は次世代 DRAM 戦略を調整し、以前プロジェクト形式で開発されていた B1b を正式なロードマップに組み込み、初の 10 ナノメートル未満 DRAM D0a と名付けました。以前の D0a は垂直トランジスタ DRAM を指していましたが、現在この製品は D0a-V として単独で分類されています。この名称変更は、汎用 DRAM における先進的なパッケージングの導入を加速するためです。B1b は、ストレージセルと周辺ドライバ回路を異なるウェハ上で製造した後に接合し、ウェハ対ウェハの混合接合を採用し、銅相互接続で直接接続します。現在商用化されている DRAM は 1c で、これは第 6 世代 10 ナノメートル級、ライン幅は約 11 から 12 ナノメートルです。次世代 1d は第 7 世代 10 ナノメートル級、ライン幅は約 10 から 11 ナノメートルで、事実上最後の 10 ナノメートル級製品と見なされています。関連するライン幅はマーケティング用語であり、実際の物理的サイズではありません。垂直トランジスタは、セル内のトランジスタを垂直に配置することで、セル面積を 6F² から 4F² に縮小できますが、高深幅比エッチングと漏れ電流に対処する必要があり、開発難易度は高いです。ウェハ対ウェハの混合接合は、CMOS イメージセンサーや高積層 NAND で量産応用されています。サムスン電子は B1b を第 8 世代高帯域幅メモリ HBM5 に使用することを評価しています。HBM5 は約 2029 年に量産される見込みで、HBM4E に比べて動作速度を 50% 以上向上させることを目指しています。業界では、B1b に基づく D0a DRAM は最速で約 2 年後に商用化されると見込まれており、具体的な量産投資スケジュールは来年の中頃に決定される可能性があります。

富達投資のグローバルマクロディレクターであるJurrien Timmerは、Xプラットフォームで、AI分野の取引が3ヶ月以上「死に金」状態にあると述べています。彼が追跡しているトークン支出とGPUレンタル料金は横ばいまたは下降しており、メモリ（DRAM）価格のみが持続的に上昇しています。Timmerは、AIが長期的に生活を変え、生産性の奇跡を解放し、経済の非インフレ速度の上限を引き上げ、世界の債務を持続可能なレベルに保つ可能性があると考えています。しかし、その前に、現在の構築はインフレ的であり、数兆ドルの計算能力投資のリターンはまだ不確実であり、企業の株式と債務資本の需要は3.3兆ドルの速度で増加しています。

世界的なメモリ不足が続いており、AIおよびクラウドアプリケーションがDRAMとNANDフラッシュの需要と価格を押し上げています。中国の二大メモリメーカーである長江存儲と長鑫存儲は、それぞれ半分の市場を占める状況を打破するでしょう。長江存儲はLPDDR5 DRAMに進出し、2026年末に試産を開始します。長鑫存儲はDRAMからNANDフラッシュに進出する予定です。業界では、両社が最速で2028年に直接対決するとの予測があります。長江存儲はXtacking技術を用いて294層の3D NANDの開発を完了し、三星は2025年にその特許ライセンス契約を結び、第10世代V-NANDから関連特許を採用します。長江存儲の三期計画は2026年末に稼働を開始し、初期には約2.5万枚のDRAM生産能力を持ち、2027年には生産を拡大し、LPDDR5を目指します。また、今後の生産拡大やHBM、3D DRAMの計画もあります。長鑫は北京にNANDの研究開発生産ラインを設置するとの情報があり、最速で2028年から2029年に量産を開始する見込みです。

TechPowerUp の報道によると、中国の DRAM メーカーである長鑫存储（CXMT）は、2026 年末までに DRAM ウェーハの月産能力が約 35 万枚に達すると予測しており、同時期の美光の予測は約 37.5 万枚です。長鑫存储のクリーンルームの建設期間は約 12 ヶ月で、業界の通常の 21 から 24 ヶ月よりも短いです。アメリカの制裁により EUV を入手できないため、長鑫存储は古い DUV 光刻および多重パターン化技術を使用しています。同社はすでに 16 Gb DDR5 チップを出荷し始めており、速度は 8000 MT/s、チップ面積は 67 mm²、密度は 0.239 Gb/mm²で、G4 ユニットは G3 よりも 20% 小さくなっています。24 Gb モジュールは約 6000 MT/s で量産されており、LPDDR5X-10667 モジュール（12 Gb および 16 Gb）も量産されています。中国政府は長鑫存储に対して、JHICC、Swaysure、および長江存储の子会社 XMC などの国内メーカーに DRAM IP を移転することを奨励しています。

界面ニュースは、産業チェーンから独占的に得た情報によると、AppleはSamsung Electronicsの2027年第1四半期のメモリーチップの価格を受け入れたことが確認されました：DRAMは約2.0ドル/Gb、NANDフラッシュは約0.33ドル/Gbで、今年第3四半期の価格から30%-40%の上昇です。界面ニュースはこの情報についてAppleに確認を求めましたが、発表時点ではまだ回答はありません。

朝鮮日報の9月15日の報道によると、サムスン電子とSKハイニックスの第3四半期の営業利益のコンセンサスが3ヶ月以内に再度引き上げられました。主要な証券会社と海外投資銀行の報告を総合すると、サムスン電子の第3四半期の営業利益は約114兆ウォンと予測され、3ヶ月前の101.9052兆ウォンから12.2836兆ウォン（12%）引き上げられ、第二四半期の89.4兆ウォンからは28%の増加となります。SKハイニックスの第3四半期の予測は78.8035兆ウォンで、3ヶ月前の75.7249兆ウォンから4%引き上げられ、第二四半期の60.5426兆ウォンからは30%の増加です。TrendForceは第3四半期の一般的なDRAMの固定取引価格が前四半期比で13%から18%上昇し、NANDフラッシュが10%から15%上昇すると予測しています。証券界はサムスン電子のHBM4の収益占有率が第一四半期の5%から第二四半期の約35%に拡大し、良品率が改善していることに注目しています。SKハイニックスはHBM市場シェアの第一位を維持していますが、サムスンのHBM4の量産改善がその供給プレミアムを希薄化する可能性があります。シティグループ証券はウォン高の影響でSKハイニックスの第3四半期の営業利益予測を76.7兆ウォンから74兆ウォンに引き下げました。マイクロンは30日に2026会計年度第4四半期（6月から8月）の業績を発表し、収益のガイダンスは490億から510億ドルです。

HIP-3 市場デプロイヤー Entropy は 500 枚の HYPE（約 38,950 米ドル）を費やしてコード DRAM を落札し、io:DRAM 永続契約取引を開始する予定です。以前に Trade.xyz は xyz:DRAM 永続契約取引を展開しました。DRAM は Roundhill Memory ETF（DRAM）であり、世界初の純メモリテーマ ETF です。

中国最大 DRAM メーカー長鑫存儲 CXMT は最近、上海の新工場の協力業者の設備入札を開始し、複数の地域での生産能力拡張を進めています。CXMT は現在、合肥の第2期と北京の第1期で DRAM の量産を行っており、月間生産能力は約 20 万枚と推定されており、年末には月間 30 万枚を超える可能性があります。CXMT は今年の第4四半期に上海の新工場を開設する計画で、関連する設備入札はすでに開始されています。半導体設備業界の関係者によると、この工場は2段階に分けて拡張される予定で、生産能力は月間 10 万枚を大幅に超える見込みです。その後、来年の上半期に合肥の新工場を開設し、早ければ来年の下半期に北京の新工場を開設し、再来年の上半期に再び合肥の新工場を開設する計画です。設備業界の関係者は、CXMT が多くの関係者とコミュニケーションを取りながら、各地での工場設立のタイミングを調整していると述べています。もし計画がすべて実現すれば、CXMT は今年から 2028 年まで毎年少なくとも月間 7 万から 8 万枚の生産能力を追加できる見込みで、長期的には月間 60 万枚を超える可能性があります。サムスン電子と SK ハイニックスの DRAM 生産能力はそれぞれ月間 70 万枚、60 万枚と推定されています。

日経アジアの報道によると、中国の半導体メーカーである長鑫存储（CXMT）は、利益率の面で世界の競合他社をリードしており、SKハイニックスやマイクロンを超えています。同社は、商品レベルのDRAM供給が厳しい状況を利用し、第2四半期に優位に立っています。長鑫存储の主な製品にはDDR5メモリが含まれており、ここ数ヶ月で価格が上昇しています。この状況は、韓国、アメリカ、日本のサプライヤーが主導するストレージチップ業界で発生しています。

SKハイニックスは9日、次世代メモリ3D DRAM半導体の開発においてファウンドリプロセスを活用できると発表しました。前日、同社は利川園区のSupexセンターで開催された2026 SKハイニックス未来フォーラムにおいて、副社長のキム・ギョンフンとソン・ハヨンが3D DRAMの主要技術方向について発表しました。これには、DRAM周辺回路にロジックファウンドリプロセスを採用すること、データバス帯域幅を最大化すること、超短距離伝送などが含まれます。3D DRAMは、従来の平面に配置されたメモリセルを垂直に積み重ねて集積度を向上させる次世代DRAMです。二人は、この技術を実現するためには設計や発熱の問題に加え、微細相互接続、ボンディング、プロセス統合などのパッケージング分野の課題も解決する必要があると述べました。前工程と後工程のパッケージング、ファウンドリとメモリ技術の境界が近づく中で、既存の分野を超えた共同最適化がより重要になるとしています。ソン・ハヨンは、3D技術がウェーハ工場とパッケージングの技術的境界を変えていると述べ、先進的なパッケージング技術の革新と共に、既存の分野を超えた最適化と新しい協力体制を構築する必要があると提案しました。同テーマで発表した高麗大学のシン・チャンファン教授は、3D DRAMは単にチップを垂直に積み重ねるだけでなく、メモリとロジックの境界を打破する技術であると述べました。デバイスの微細化が限界に近づく中で、システムとメモリ間のデータ移動による時間と消費電力の増加が避けられないため、3D技術への移行は不可避であり、人工知能を活用して材料、デバイス、パッケージング、アーキテクチャの4つの分野の3D統合設計フレームワークを提案しました。SKハイニックスの社長クォク・ルは、過去のメモリ市場は誰がより速く走るかの直線道路のようだったが、今は常に変化するカーブのようであり、内部能力に加えて外部環境の変化の速度と方向を把握し、柔軟に適応することも重要であると述べました。

長鑫科技は2026年の半期業績説明会を開催しました。投資家が長鑫科技の第三四半期のDRAM価格について質問したところ、同社の上級副社長で財務責任者の黄丹陽は、2026年下半期を見据えると、世界のDRAM製品供給の厳しい状況が続くと考えています。

韓国の証券会社KB証券は、サムスン電子とSKハイニックスのストレージ半導体在庫が10日分を下回ったと警告し、来年の供給が明らかに不足すると述べました。この機関は月曜日に、人工知能インフラへの投資がかつてない速度で拡大しており、ストレージチップ市場が深刻な供給不足に直面していると報告しました。重要な要因はHBM4への移行であり、HBM4に必要なウェハは従来のDRAMの約3倍であり、ウェハの生産能力が限られているため、従来のDRAMの利用可能な生産能力が減少します。KB証券は、来年のDRAMとNANDの需要が供給を10パーセント以上上回ると予測しています。研究責任者のキム・ドンウォン氏は、人工知能サーバーがHBM、サーバーDDR5、企業向けSSDを消費し、歴史的な不足を引き起こす可能性があると述べました。世界の超大規模データセンター運営者は、来年の人工知能インフラへの投資予想を1.3兆ドルに引き上げ、前年より60%増加するとしています。この機関は、来年のストレージ半導体が人工知能インフラ総投資の57%を占めると予測しており、昨年の14%から増加しています。TrendForceは、この割合が68%に達する可能性があると予測しています。サムスン電子の株価は高値から約28%下落し、SKハイニックスは約40%下落しました。

長鑫科技は2026年上半期の業績説明会を開催しました。会社の独立取締役である陳武朝は、投資家の質問に対して、2026年上半期には、世界のDRAM製品の景気が改善し、価格が上昇すると述べました。現在、会社は依然として生産能力の拡張と技術のアップグレードに重要な投資を行っており、必要な資本支出を確保した上で、徐々に株主にリターンを創出する必要があります。利益能力が持続的に強化されるにつれて、会社は法令に従い、適時に配当計画の検討を開始します。

TrendForceの最新のメモリ産業研究によると、2026年第二四半期には、Conventional DRAM（一般型 DRAM）の契約価格が大幅に上昇し、全体のDRAM産業の収益が前四半期比で59.5%増加し、約1,547.3億ドルに達する見込みです。LLMモデルのトレーニングやAI推論がAIサーバーの需要を刺激し、HBM3e、LPDDR5X、および高容量RDIMMの出荷が同時に成長しています。Agentic AIアプリケーションは、さまざまな容量のRDIMMの需要を引き上げています。供給面では、原材料メーカーの在庫は底を打ち、新たな供給はサーバーアプリケーションを優先して満たされており、第二四半期の全体のDRAMビット出荷量はわずかに成長しています。

朝鮮日報の9月7日の報道によると、SKハイニックスは10ナノメートル級第6世代（1c）DRAMの生産比率を高めるための加速を進めています。業界のデータによると、1c DRAMの比率は今年第1四半期の約10%から第2四半期の約13%に上昇し、第3四半期には約24%、第4四半期には約34%に達する見込みです。来年の第1四半期には約35%に上昇し、初めて1b（約33%）を超えて主力プロセスとなる見込みです。1b（10ナノメートル級第5世代）DRAMの比率は、今年第2四半期に約43%でピークを迎えた後、減少に転じています。第2四半期末時点で、サムスン電子の1c比率は約16%、マイクロンは約19%で、いずれもSKハイニックスの約13%を上回っています。報道によると、SKハイニックスは下半期に変換を加速し、第4四半期には約34%でサムスン電子の約31%を超える見込みです。SKハイニックスは第2四半期の業績電話会議で、1cプロセスを採用したDRAMの供給が第2四半期から実質的に開始され、下半期にはHBM4の出荷増加と1c汎用DRAMの出荷増加に伴い、ビット成長率が上半期を上回ると述べました。サムスン電子はHBM4から1c DRAMを採用し、動作速度は約11.7Gbpsです。SKハイニックスは以前、検証済みの1b DRAMと先進的なMR-MUFパッケージを使用して量産の安定性を優先的に確保し、次世代HBM4Eから初めて1c DRAMをHBMコアチップとして使用します。Counterpoint Researchなどは、今年、NVIDIA、Google、AMDの合計でHBM4の市場シェアがSKハイニックスの50%中盤、サムスン電子の20%後半、マイクロンの10%後半になると予測しています。