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オランダの半導体製造装置メーカーASMLは、10月14日に第3四半期の決算を発表する予定です。AIチップの需要に後押しされ、市場は2025年同期と比較して収益と利益が大幅に増加することを予想しています。ウォール街のアナリストは、第3四半期の収益を117.3億ユーロ、前年比55%増と予測しています；1株当たりの利益は10.76ユーロで、2025年第3四半期の5.49ユーロと比較してほぼ倍増します。ASMLの第2四半期の収益は93億ユーロで、2025年同期の77億ユーロを上回り、純利益は23億ユーロから29億ユーロに増加しました。会社は、発表予定の第3四半期の収益を110億から120億ユーロ、粗利率は55%から57%と予測し、年間収益の見通しを430億から450億ユーロに引き上げました。ASMLは、極紫外線（EUV）露光装置を商業生産している唯一のメーカーであり、TSMC、インテル、サムスンなどのファウンドリは、先進的なAIプロセッサを製造するためにその装置に依存しています。また、同社は次世代のHigh-NA EUVを開発中です。インテルは、この装置を使用して研究開発、テスト、製造において100万枚以上のウェハを処理しています。サムスンは2028年に先進的なDRAMの量産にこの装置を導入する計画です。市場は、ASMLが2027年に既存のEUVシステムの生産能力を約30%引き上げる計画を立てていると予想しています。

台積電は9月8日、2030年からオランダのASMLが製造した極端紫外線（EUV）露光装置の新型「高NA」機を量産に採用することを発表しました。双方は同日、業界横断的な高NA機の改良作業を行うことも発表しました。ASMLはナノレベルの超微細回路を形成するためのEUV露光機の供給を独占しており、2023年12月からより細い回路を描画できる高NA機の出荷を開始します。インテルは高NA機を導入しており、台積電は以前、コストが高いなどの理由で量産の採用を延期していました。台積電とASMLは業界横断プロジェクトを開始し、回路の原版としての光マスクを現在の6インチ（約15センチメートル）から12インチの大型に変更し、それに対応する大型マスク用の高NA機および関連部品を開発します。2031年までに大型マスクの試作生産ラインを設立し、2033年までに大型マスクに対応する高NA機を先進的な半導体生産に投入できる状態にする計画です。主要な半導体製造業者やマスク企業などが参加に興味を示しています。高NA機はより細い回路を描画できますが、一度に描画できる面積は従来の機種の半分に減少し、大型チップ回路を描く際には複数回の露光が必要で、工程が複雑になり、コストが上昇します。光マスクの大型化により露光面積を拡大し、コストを削減できます。台積電の会長兼CEOである魏哲家は当日、業界全体の専門知識を集め、先進技術を広く利用可能にする技術革新を継続的に推進し、その利益を伝えていくと述べました。

ASMLは、主要顧客と協力して、NVIDIAなどの企業が設計した大規模データセンター向けのチップ需要を満たすために、最先端のチップ製造装置を生産できる新しいソリューションを開発する計画を示しました。現在、ASMLが生産している広く使用されている極紫外線EUVリソグラフィ装置は、最大約800平方ミリメートルのチップを製造できます。ASMLが近日中に発表する次世代「高数値孔径」EUVリソグラフィ装置は、より精密なチップを製造することが可能です。しかし、より小型のマスクを使用しているため、製造可能なチップの面積には制限があります。ASMLは、2031年までにより大きなサイズのマスクを使用した試験生産ラインを展示し、2033年にはこの新技術を大規模量産可能にする計画です。

彭博社の報道によると、UBSグループのアナリストは、今後10年間で中国の半導体製造能力が十分に速い進展を遂げることは難しいと予測しており、ASMLの最先端EUV露光技術を本当に代替できるソリューションを開発することができないとしています。UBSのアナリストは報告書の中で、「彼らが現在いる段階は、ASMLが2004年にいた段階に相当するようだ」と述べており、特に光源やレーザーサブシステムの分野における特許申請活動から見ると、中国の現在の技術成熟度は、ASMLがEUV装置の大規模生産を開始する前の15年のレベルに大体相当しています。UBSは同時に、中国が今後2〜5年以内に浸漬式DUV露光機の大規模量産能力を持つことが期待されると予測しています。浸漬式DUVはEUVほど先進的ではありませんが、依然としてチップ製造に不可欠な設備です。ASMLの浸漬式DUVの価格は約9000万ドルで、EUV装置は1台あたり2億ドルを超えます。中国はASMLの最大市場の一つですが、輸出制限の影響を受け、ASMLは中国にEUV装置を販売することが禁止されています。UBSは、良率や生産能力の差、規制の制約を考慮すると、中国の露光装置が海外で使用される可能性は低いと指摘しています。ASMLのスポークスマンはコメントのリクエストに応じていません。この報道はUBSアナリストの予測に基づいており、実際の進展は産業の動向に基づいています。

三星電子半導体研究所 Foundry 工芸開発チームの朴昌民は「2026 次世代光刻+パターン化学術大会」で、会社は1ナノ（A10）プロセスからHigh-NA EUV技術を適用する計画であり、2030年頃に量産を実現することを目指していると述べました。三星は現在、2ナノ以下のプロセスで依然として既存の0.33 NA EUVの多重パターン化方案を採用しており、2029年に1.4ナノの量産を計画し、その後1ナノへと進める予定です。High-NA EUVはレンズの数値孔径（NA）を0.33から0.55に引き上げ、解像度が向上し、従来は多重パターン化が必要だった超微細プロセスを単回パターン化に簡素化することができ、製造コストの削減、生産効率の向上、設計の柔軟性に寄与します。しかし、この技術は難易度が高く、設備が高価であり、関連材料技術の同時アップグレードが必要です。朴昌民は1.4ナノおよび1ナノプロセスは依然として0.33 NA EUVの多重パターン化が主流であり、その後High-NAパターン化が新しい世代のプロセスの核心技術になると予測しています。