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LG電子は、人工知能データセンターの冷却事業に1,500億ウォンを投資します。

財聯社が報じたところによると、現地時間9月29日、三星電子の執行副社長Kim Taewooは、来年のHBMがDRAMメーカーのウェーハ総生産能力の約30%を占めると予想しており、現在その割合は約20%であると述べました。彼は、HBMと従来のDRAMが同じウェーハ生産能力を争っており、HBMの生産を拡大すると従来のDRAMの供給が圧迫される可能性があると述べました。TrendForceは以前、2027年末までに世界の三大HBM供給者のHBMウェーハ投入量がDRAMウェーハ総投入量の約30%を占めると予測していますが、ストレージ容量で計算すると、DRAM総供給量の約13%しか貢献できないとしています。また、9月20日の報道によると、三星は今年2月からHBM4の量産出荷を開始し、5月にはNVIDIAを含む顧客に12層HBM4Eサンプルを提供しました。業界では、三星のHBMの月平均ウェーハ投入量が今年の約18万枚から来年の約25万枚に増加すると予想されています。TrendForceは同日、AIサーバーの需要が続いており、HBMと汎用DRAMは依然として限られた先進プロセスの生産能力を共有すると述べ、2027年のストレージ供給は引き続き厳しい状況が続くとし、2027年のHBM価格予想を引き上げ、混合平均販売価格が前年比で121%上昇すると予測しています。供給が限られ、システムコストが上昇する影響を受けて、8層HBMは2027年に多くのメーカーが優先的に評価する方案となる見込みで、その価格は12層製品よりも約10%から20%高くなると予想されています。

台達電子は、NVIDIA (NVDA.O) Hyperion を基に自動運転システムを構築します。

ZDNet Koreaの9月28日の報道によると、Samsung Electronicsは平沢第5工場（P5）の初の量産ライン（Ph1）の建設を加速しており、主要設備メーカーとPh1の設備搬入目標を当初の来年の第3四半期から来年の第2四半期に前倒しすることを協議しています。P5は2028年の稼働を目指す次世代半導体生産拠点であり、今年の第3四半期にはPh1のクリーンルームの建設が始まりました。Samsung Electronicsは、当初来年初めに完成予定だったP5 Ph1のクリーンルームの建設を約6ヶ月前倒しし、そのため設備導入は来年の第3四半期頃になると予想されています。業界関係者によれば、設備搬入の開始時期は来年の7月から8月を来年の5月から6月頃に前倒しすることが検討されており、別の関係者はSamsungが来年第1四半期に先に設備を納入し、他の場所に一時保管することを提案したとも述べており、早期投資の意欲が強いことを示しています。P5の第2段階（Ph2）への投資議論も進行中です。現在、Ph1はDRAMおよびHBM生産ラインとして建設される可能性が高く、Ph2は第10世代（V10）を含む先進的なNAND生産ラインとして建設される可能性が高いです。設備業界の関係者は、正式な調達注文はまだ出されていないが、SamsungはパートナーとPh2をNAND生産ラインとして建設することを議論しており、設備の納入サイクルが長いため、関連部品を前もって準備するよう要求していると述べています。報道によれば、世界の大手テクノロジー企業はAIインフラ用の高性能DRAMおよびNANDの注文を増加させており、Samsungなどのストレージ企業は生産能力が限られています。Samsungは7月の第2四半期の業績電話会議で、今年満たされなかった需要は来年に持ち越され、来年の供給不足は今年よりも深刻になると述べており、供給不足は2028年まで続くと予想しています。

LG電子はNVIDIAのAIデータセンター冷却ソリューションの公式パートナーシッププログラムに参加し、「電力と冷却」カテゴリーの優先パートナーとして評価されました。LGは超大規模データセンターとホスティング市場を拡大することを目指しており、特に北米市場に注力しています。現在、世界の新しいデータセンターのキャパシティの60％以上が北米に集中しています。

ZDNet Korea の報道によると、サムスン電子は次世代 DRAM 戦略を調整し、以前プロジェクト形式で開発されていた B1b を正式なロードマップに組み込み、初の 10 ナノメートル未満 DRAM D0a と名付けました。以前の D0a は垂直トランジスタ DRAM を指していましたが、現在この製品は D0a-V として単独で分類されています。この名称変更は、汎用 DRAM における先進的なパッケージングの導入を加速するためです。B1b は、ストレージセルと周辺ドライバ回路を異なるウェハ上で製造した後に接合し、ウェハ対ウェハの混合接合を採用し、銅相互接続で直接接続します。現在商用化されている DRAM は 1c で、これは第 6 世代 10 ナノメートル級、ライン幅は約 11 から 12 ナノメートルです。次世代 1d は第 7 世代 10 ナノメートル級、ライン幅は約 10 から 11 ナノメートルで、事実上最後の 10 ナノメートル級製品と見なされています。関連するライン幅はマーケティング用語であり、実際の物理的サイズではありません。垂直トランジスタは、セル内のトランジスタを垂直に配置することで、セル面積を 6F² から 4F² に縮小できますが、高深幅比エッチングと漏れ電流に対処する必要があり、開発難易度は高いです。ウェハ対ウェハの混合接合は、CMOS イメージセンサーや高積層 NAND で量産応用されています。サムスン電子は B1b を第 8 世代高帯域幅メモリ HBM5 に使用することを評価しています。HBM5 は約 2029 年に量産される見込みで、HBM4E に比べて動作速度を 50% 以上向上させることを目指しています。業界では、B1b に基づく D0a DRAM は最速で約 2 年後に商用化されると見込まれており、具体的な量産投資スケジュールは来年の中頃に決定される可能性があります。

奥尼電子公告によると、その完全子会社である奥尼智能科技（中山）有限公司がA社とGPU計算力カードの購入契約を締結し、契約総額は人民元16.7億元（税金含む）です。契約は正式に署名され、発効しました。

Money Todayの9月21日の報道によると、サムスン電子はHBM市場の成長に伴い、ウェハー代工の先進プロセス能力の拡張を進めており、HBM4基座チップの需要増加に対応するために4nmプロセスの増産を検討しています。サムスンのHBM4は、10nm世代の6世代（1c）DRAMコアチップと4nmロジック基座チップで構成されており、基座チップはGPUなどのAIアクセラレーターとの高速データ交換を担当しています。SKハイニックスがTSMCの12nmを採用しているのとは異なり、サムスンはHBM4基座チップに自社の4nmプロセスを使用しています。この生産ラインはフル稼働しており、NVIDIAのGroq 3 LPUなどの注文を受けています。最近、会社は4nmの新しい注文とHBM4基座チップの価格を引き上げました。サムスンは第3四半期のHBM4の収益が前四半期比で3倍以上増加すると予想しており、下半期のHBM収益におけるHBM4の割合は60%以上になる見込みです。平沢P4の追加増産の大部分はHBM用の1c DRAMに使用され、ウェハー代工の4nm能力の半分以上がHBM4基座チップに割り当てられています。HBM4Eも同様に4nm基座チップを採用しており、サムスンは5月に顧客にサンプルを提供しました。会社はまた、HBM5のために2nmの新しい生産ラインを構築することを検討しており、GAA構造の2nmプロセスを目指し、TSV密度を向上させ、HBM4Eに比べて動作速度を50%以上向上させることを目指しています。サムスンは昨年の下半期に2nmの第一世代量産を開始し、今年の下半期には第二世代製品を推進します。シティは来年の世界のHBMビット需要が752億Gbに達し、前年比62%増加すると予測しており、供給は約594億Gb、ギャップは約21%になるとしています。

ソウル経済の報道によると、サムスン電子は来年、第6世代の高帯域幅メモリHBM4と第7世代のHBM4EなどのHBM4シリーズの生産量を今年の少なくとも2倍以上に拡大する計画です。同社は、HBM用DRAMの薄型加工に必要なガラス基板の外部洗浄量を、今年の月間2万枚から来年の月間5万枚に増やし、今年に比べて2.5倍増加させる予定です。昨年のこの基板の月間需要は約1万枚で、今年は昨年の2倍に増加しています。サムスン電子が重点的に増産するHBM4とHBM4Eは、12層以上の高積層製品が主です。同社は今年の2月に第6世代10nm（1c）DRAMと4nmプロセス基板チップを使用したHBM4の量産出荷を開始し、5月にはNVIDIAなどの顧客にHBM4Eの12層サンプルを提供しました。業界では、月平均のウェハ投入量で、サムスン電子のHBM生産能力が今年の約18万枚から来年の約25万枚に増加し、増加率は約40%になると予想されています。HBM4シリーズの出荷割合は、今年の約40%から来年の約80%に上昇する見込みです。

三星電子は先月、前財政経済部外貨制度課長の李熙坤をIRチームの常務に採用しました。李熙坤は外貨制度課長、資金市場政策課長などを務め、外貨制度および海外投資への対応を担当していました。今年4月には韓国を世界国債指数に組み入れる作業に参加し、特別表彰を受けました。今後は海外投資家およびグローバル資本市場への対応を担当する予定です。SKハイニックスは先月、前財政経済部戦略経済総括課長の鄭汝珍を広報総括の下の副社長に採用しました。鄭汝珍は気候環境予算課長、経済副総理秘書官、外貨制度課長、外貨資金課長などを務めていました。両社はアメリカでの生産投資を進めており、三星電子はテキサス州タイラーに370億ドルを投資してウェハー受託製造工場を建設する計画で、SKハイニックスはインディアナ州に40億ドルを投資して先進パッケージ工場を建設する計画です。

CoinDeskの報道によると、欧州中央銀行（ECB）は火曜日にユーロ圏の電子商取引およびモバイルビジネスの商人にデジタルユーロの試験運用に参加するよう呼びかけ、2029年に発行される可能性のある小売中央銀行デジタル通貨の準備を進めています。この試験運用では、通貨のテスト版の技術、運営プロセス、およびユーザー体験をテストします。テスト版はデジタルユーロに似ていますが、法定通貨ではありません。試験運用は12か月間行われ、2027年下半期に開始される予定で、最終的な発行は立法および管理委員会の別の決定を必要とします。数週間前、欧州中央銀行は36の銀行および決済機関をテスト段階に参加させることを決定しました。試験運用は、欧州中央銀行、19のユーロ圏国の中央銀行、および選ばれた商人が共同で参加し、中央銀行の職員がユーザーとして個人間のオンラインおよびオフライン送金、店内支払い、電子商取引およびモバイルビジネス支払いなどのシナリオをテストします。欧州中央銀行の総裁ラガルドは、デジタルユーロはヨーロッパの通貨主権を維持し、ドルに連動するステーブルコインへの依存を減らすために非常に必要であると述べました。欧州中央銀行は、TetherのUSDTやCircleのUSDCなどの民間ドルステーブルコインの普及がヨーロッパの通貨の自主性に脅威を与えると考えています。Hederaのグローバル政策副社長イサドラ・アレントンドは、デジタルユーロの成功は商業的な側面の実現可能性に大きく依存しており、商人にはインセンティブが必要であり、決済サービスプロバイダーは商人がデジタルユーロ支払いを受け入れる手数料を引き下げることを検討すべきだと述べました。

朝鮮日報の9月15日の報道によると、サムスン電子とSKハイニックスの第3四半期の営業利益のコンセンサスが3ヶ月以内に再度引き上げられました。主要な証券会社と海外投資銀行の報告を総合すると、サムスン電子の第3四半期の営業利益は約114兆ウォンと予測され、3ヶ月前の101.9052兆ウォンから12.2836兆ウォン（12%）引き上げられ、第二四半期の89.4兆ウォンからは28%の増加となります。SKハイニックスの第3四半期の予測は78.8035兆ウォンで、3ヶ月前の75.7249兆ウォンから4%引き上げられ、第二四半期の60.5426兆ウォンからは30%の増加です。TrendForceは第3四半期の一般的なDRAMの固定取引価格が前四半期比で13%から18%上昇し、NANDフラッシュが10%から15%上昇すると予測しています。証券界はサムスン電子のHBM4の収益占有率が第一四半期の5%から第二四半期の約35%に拡大し、良品率が改善していることに注目しています。SKハイニックスはHBM市場シェアの第一位を維持していますが、サムスンのHBM4の量産改善がその供給プレミアムを希薄化する可能性があります。シティグループ証券はウォン高の影響でSKハイニックスの第3四半期の営業利益予測を76.7兆ウォンから74兆ウォンに引き下げました。マイクロンは30日に2026会計年度第4四半期（6月から8月）の業績を発表し、収益のガイダンスは490億から510億ドルです。

韓国中央銀行が最近発表した『2026年9月貨幣信用政策報告』の中で、今年以来の韓国総合株価指数（KOSPI）の変動理由を振り返りました。報告によると、KOSPIが上昇するにつれて、サムスン電子とSKハイニックスの指数上昇への寄与率が急速に高まっています。特に、KOSPIが今年の6月に8000ポイントから9000ポイントに上昇する過程で、これら2銘柄の指数上昇への寄与率は99%に達しました。

The Bellの報道によると、サムスン電子の受託製造部門は、アプリケーションプロセッサの受託生産契約について、製造単価の相違により遅延しており、双方は価格差を縮小できず、交渉が長引いている。技術面では重大な問題は発生しておらず、現在議論されている2ナノメートルプロセスは、相当程度の安定化評価を得ている。業界の情報によれば、サムスンの2ナノメートルプロセスを採用した高通のAP受託生産は来年に延期される可能性があり、年内に生産を開始できるかどうかも不明である。高通は2021年以前に先進的なAPをサムスンに受託させていたが、サムスンは近年このビジネスを再び獲得しようとし、テスラやブロードコムなどの顧客を次々と獲得している。事情に詳しい関係者によると、契約の遅延によりサムスンが年内に高通のAPを生産することが困難になり、双方は次世代製品について再度議論する可能性がある。サムスンは戦略的顧客を獲得した後、以前のように低価格の注文を受け入れなくなった。

科創板日報によると、サムスン電子は初のディスプレイ付きAIメガネの開発に着手した。この製品は音声機能を提供するだけでなく、レンズ上にカラー視覚情報を表示し、Meta Ray-Ban Displayスマートメガネに似ている。業界関係者によると、サムスン電子はAIメガネ用に0.2インチまたはそれ以下の超小型スクリーンの開発を検討しており、先月その開発タスクをサムスンディスプレイに委託し、製品の外形寸法、情報表示面積、色、価格などに関する要求を提示した。サムスン電子は現在、OLEDoSやLEDoSなどの候補パネル方案の評価を行っており、業界ではこの製品が2027年下半期または2028年上半期に発売されると予想されている。現在、このメガネの具体的な詳細は決まっていない。色彩表示に関して、サムスン電子は4ビットカラーの制限されたグレースケールを採用する予定であり、高解像度スクリーンではなく、双眼式または単眼式デザインの採用もまだ決定していない。業界関係者は、RGB OLEDoSが価格と歩留まりの面で課題に直面しており、白色OLEDoSパネルが登場する可能性が高いと述べている。サムスンは以前、ディスプレイのないAIメガネを発表しており、サムスン電子、グーグル、Gentle Monster、Warby Parkerが共同開発した。

Striveの副社長Joe BurnettがXプラットフォームで投稿し、TrezorとBitBoxの電子メールインフラが侵害された疑いがあると述べ、ビットコインの強化段階はまだ続いている。

フランスの人工知能会社 Mistral AI は、30 億ユーロの D ラウンド資金調達を完了し、投資後の評価額は 210 億ユーロを超えたと発表しました。同社によれば、これはヨーロッパのテクノロジー企業にとってこれまでで最大の株式資金調達です。サムスン電子が主導し、EQT が管理する Scaleup Europe Fund と既存の投資家 PSG Equity が共同でリードしました。新しい投資家には Advent、ブラックロックが管理するファンドおよび口座、そしてルクセンブルク大公国が含まれます。a16z、ASML、Belfius、BNP Paribas CIB、Bpifrance、Carmignac、DST Global、Eurazeo、General Catalyst、Headline、Hillspire、Index Ventures、Korelya Capital、Lightspeed、英偉達、Phoenix Court の Solar Fund（LocalGlobe、Latitude、Solar を含む）および Salesforce Ventures などの既存の投資家も引き続き参加しています。資金は最前線のモデル研究、計算能力とインフラの拡張、商業化および国際市場の開拓に使用されます。Mistral AI は現在、20 カ国で事業を展開し、Airbus、ASML、HSBC を含む 125 社以上の企業にサービスを提供しています。

韓国メディアのGreen.krによると、サムスン電子はArmと共同でエッジAIチップの共同研究開発を正式に開始しました。Armは8月末に次世代エッジAI SoCチップの開発に向けた一時的な工事費用を承認し、サムスン電子と正式にこのプロジェクトを開始しました。このプロジェクトは、Armが提供するコア技術を基にサムスン電子が統合して実現する協力モデルを採用しており、最終顧客向けにカスタマイズされたチップを共同で開発することを目的としています。

韓国の『ソウル経済』が8月31日に報じたところによると、AIアクセラレーターで使用されるHBMとDRAMの価格が引き続き高騰しています。韓国貿易協会のデータによると、DRAMの輸出量は5月の約6.817億個から7月の5.9174億個に減少し、13.2%の減少となりましたが、輸出額は114.28億ドルから135.52億ドルに増加し、18.5%の増加を見せました。輸出単価は16.76ドルから22.9ドルに上昇し、36.6%の上昇となっています。HBM4はNVIDIAなどの顧客への供給が拡大しており、初期の良品率はHBM3Eよりも低く、全体的なDRAM供給不足を悪化させています。サムスン電子のメモリ事業部は、2031年までに約70%の生産能力を長期供給契約に配分する予定で、主な対象にはNVIDIA、マイクロソフト、グーグルが含まれています。Mega Grid Supplyのデータによると、HBM3E 36GBの現物価格は2100ドルで、長期契約価格の4倍から5倍に相当します；量産調整中のHBM4 16層の現物価格は約3500ドルです。金融投資界では、サムスン電子の第3四半期の売上高は206.64兆ウォン、営業利益は116.38兆ウォンになると予測されており、営業利益は初めて100兆ウォンを突破する見込みです。SKハイニックスの第3四半期の売上高は101.76兆ウォン、営業利益は79.16兆ウォンと予想されています。サムスン電子は、早ければ来年に平沢キャンパスの唯一のウェハー受託生産ラインS5をメモリ生産に転換することを検討しています。

LG電子は、サムスン電子にAI家電チップの委託生産を依頼し、TSMCへの依存から脱却します。CoAsia SEMIはLGのために2つのIoTチップを開発し、プロジェクトの総費用は310億ウォン（約1.51億元人民元）で、2026年7月から2030年12月までの期間で行われます。このプロジェクトは韓国政府の「K-On-Device AI半導体技術開発」計画に属し、計画の総予算は約8000億ウォンです。