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Gateの市場データによると、米国のソフトウェア株が上昇し、IBMは5%上昇、ServiceNowは4.8%上昇、Salesforceは3%上昇しました。

財聯社が報じたところによると、現地時間9月29日、三星電子の執行副社長Kim Taewooは、来年のHBMがDRAMメーカーのウェーハ総生産能力の約30%を占めると予想しており、現在その割合は約20%であると述べました。彼は、HBMと従来のDRAMが同じウェーハ生産能力を争っており、HBMの生産を拡大すると従来のDRAMの供給が圧迫される可能性があると述べました。TrendForceは以前、2027年末までに世界の三大HBM供給者のHBMウェーハ投入量がDRAMウェーハ総投入量の約30%を占めると予測していますが、ストレージ容量で計算すると、DRAM総供給量の約13%しか貢献できないとしています。また、9月20日の報道によると、三星は今年2月からHBM4の量産出荷を開始し、5月にはNVIDIAを含む顧客に12層HBM4Eサンプルを提供しました。業界では、三星のHBMの月平均ウェーハ投入量が今年の約18万枚から来年の約25万枚に増加すると予想されています。TrendForceは同日、AIサーバーの需要が続いており、HBMと汎用DRAMは依然として限られた先進プロセスの生産能力を共有すると述べ、2027年のストレージ供給は引き続き厳しい状況が続くとし、2027年のHBM価格予想を引き上げ、混合平均販売価格が前年比で121%上昇すると予測しています。供給が限られ、システムコストが上昇する影響を受けて、8層HBMは2027年に多くのメーカーが優先的に評価する方案となる見込みで、その価格は12層製品よりも約10%から20%高くなると予想されています。

IBMはそのデジタル資産管理プラットフォームIBM Digital Asset Havenの顧客が、Swiftのブロックチェーンベースの共有台帳を含むライセンス制ブロックチェーンネットワークに接続できるようになったことを発表しました。新しいベータ版ISO 20022メッセージアダプターは、金融機関がこの台帳を通じて標準的な支払いメッセージを使用してトークン化された預金取引を開始することを可能にします。IBMは、Swift関連プログラムに参加している金融機関がDigital Asset Havenを使用してこの台帳上でトークン化された預金をテストしたと述べています。この台帳は銀行が発行したトークン化された預金をサポートしており、参加しているIBMの顧客はデジタル資産を24時間いつでも移転でき、最終的な決済は既存のシステムを通じて行われます。SwiftはSibos 2025でこの台帳を初めて発表し、Consensysと協力して開発したプロトタイプに基づいています。40以上の金融機関がその設計に参加しており、そのうち17社がトークン化された預金のパイロットに参加しています。Swiftは現在、世界中の200以上の市場に1.25万以上の金融機関を接続しています。上記のメッセージアダプターは、銀行が既存の支払いメッセージフォーマットと運用プロセスを維持できるようにし、ブロックチェーン専用のワークフローを採用する必要がありません。IBMは同時にDigital Asset Havenをローカライズされたデプロイメントベータ版に拡張し、このバージョンは顧客自身のデータセンターにあるIBM ZおよびIBM LinuxONEにインストールして、ステーブルコインやトークン化された預金などのデジタル資産を管理するために使用され、公有クラウドインフラストラクチャに依存する必要がありません。IBMは、プラットフォームとキー管理層が完全に顧客自身の環境内に保持され、キーはIBM Crypto Expressハードウェアセキュリティモジュールによって保護されると述べています。

BidClub ポッドキャスト第 166 回で、チップデザイナーの Bubble boi は、高帯域幅フラッシュメモリは技術的に魅力的であるが、決定的なデータセンターのユースケースが不足していると述べました。彼が提供した情報によれば、聞いたところによると、主要な顧客は高級 HBM を入手または生産するのが難しい中国の顧客です。Bubble boi は、HBF と高級 AI フラッシュメモリの遅延は約 5 マイクロ秒であり、帯域幅は HBM よりも低く、単位ビットコストは低いが、総コストは相当する可能性があると述べました。彼は、最も明確な顧客は HBM を入手できない主体であり、これは彼が 2 人から 3 人のところで聞いた中国の需要と一致しており、彼らは加速器を十分に製造できないか、または先進的な仕様の製品を受け入れることを望んでいると考えています。

Money Todayの9月21日の報道によると、サムスン電子はHBM市場の成長に伴い、ウェハー代工の先進プロセス能力の拡張を進めており、HBM4基座チップの需要増加に対応するために4nmプロセスの増産を検討しています。サムスンのHBM4は、10nm世代の6世代（1c）DRAMコアチップと4nmロジック基座チップで構成されており、基座チップはGPUなどのAIアクセラレーターとの高速データ交換を担当しています。SKハイニックスがTSMCの12nmを採用しているのとは異なり、サムスンはHBM4基座チップに自社の4nmプロセスを使用しています。この生産ラインはフル稼働しており、NVIDIAのGroq 3 LPUなどの注文を受けています。最近、会社は4nmの新しい注文とHBM4基座チップの価格を引き上げました。サムスンは第3四半期のHBM4の収益が前四半期比で3倍以上増加すると予想しており、下半期のHBM収益におけるHBM4の割合は60%以上になる見込みです。平沢P4の追加増産の大部分はHBM用の1c DRAMに使用され、ウェハー代工の4nm能力の半分以上がHBM4基座チップに割り当てられています。HBM4Eも同様に4nm基座チップを採用しており、サムスンは5月に顧客にサンプルを提供しました。会社はまた、HBM5のために2nmの新しい生産ラインを構築することを検討しており、GAA構造の2nmプロセスを目指し、TSV密度を向上させ、HBM4Eに比べて動作速度を50%以上向上させることを目指しています。サムスンは昨年の下半期に2nmの第一世代量産を開始し、今年の下半期には第二世代製品を推進します。シティは来年の世界のHBMビット需要が752億Gbに達し、前年比62%増加すると予測しており、供給は約594億Gb、ギャップは約21%になるとしています。

ソウル経済の報道によると、サムスン電子は来年、第6世代の高帯域幅メモリHBM4と第7世代のHBM4EなどのHBM4シリーズの生産量を今年の少なくとも2倍以上に拡大する計画です。同社は、HBM用DRAMの薄型加工に必要なガラス基板の外部洗浄量を、今年の月間2万枚から来年の月間5万枚に増やし、今年に比べて2.5倍増加させる予定です。昨年のこの基板の月間需要は約1万枚で、今年は昨年の2倍に増加しています。サムスン電子が重点的に増産するHBM4とHBM4Eは、12層以上の高積層製品が主です。同社は今年の2月に第6世代10nm（1c）DRAMと4nmプロセス基板チップを使用したHBM4の量産出荷を開始し、5月にはNVIDIAなどの顧客にHBM4Eの12層サンプルを提供しました。業界では、月平均のウェハ投入量で、サムスン電子のHBM生産能力が今年の約18万枚から来年の約25万枚に増加し、増加率は約40%になると予想されています。HBM4シリーズの出荷割合は、今年の約40%から来年の約80%に上昇する見込みです。

KB証券は9月11日に報告を発表し、三星電子のHBM市場シェアが第2四半期の33%から第4四半期の40%に向上する見込みであると指摘しました。これは主に、HBM4の第3四半期の販売量が前四半期比で3倍以上増加し、下半期にはHBM4がそのHBM総売上高の60%以上を占めると予想されるためです。三星電子はHBM4の全面量産を確立し、主要顧客にHBM4Eサンプルを供給し、1cコア裸チップと2ナノベース裸チップのHBM5アーキテクチャおよび次世代ZHBMのロードマップを採用しています。受託生産事業に関しては、4ナノの良品率が80%以上で安定しており、2ナノGAAの良品率は急速に70%以上に向上しています。KB証券のアナリスト、キム・ドンウォン氏は、受託生産事業が第3四半期から黒字化する見込みであり、2ナノの良品率が年内にアメリカの大口顧客の受注を獲得する助けになる可能性があると述べています。

ロイターによると、9月10日に独占報道されたところによれば、中国のAIチップ製造業者は高帯域幅メモリの不足により大幅に価格を引き上げた。華為は昇騰950DTアクセラレータカードの指示価格を25万元人民币を超えるように引き上げ、2ヶ月前の価格から20%から50%の上昇となった。寒武紀は計画中の690チップの指示価格を20%から30%引き上げ、沐曦と天数智芯も同様の値上げがあった。報道によれば、その理由にはアメリカの輸出規制やグレー市場での高帯域幅メモリ供給のコスト上昇が含まれている。華為の以前の製品である昇騰950PRと910Cの価格も約30%上昇した。これらの値上げは中国のAI計算能力の構築コストを増加させた。華為、寒武紀などの企業はコメントを控えた。

業界の情報によると、NVIDIAは次世代のRubin Ultra人工知能アクセラレーターの高帯域幅メモリソリューションを12層から8層に調整することを検討しています。ストレージコストの上昇を背景に、NVIDIAは単位帯域幅コストと全体システムの経済性をより重視しています。

朝鮮日報の報道によると、中国最大のDRAMメーカーである長鑫存儲（CXMT）は、第四世代の高帯域幅メモリHBM3の試験生産を開始しました。初期の良品率は25%で、量産のゴールデン良品率80%の約三分の一です。SKハイニックスは2022年から同様の製品を量産しており、良品率は90%を超えています。長鑫存儲のHBM3 8層スタッキング製品の前工程の良品率は約30%、後工程では約70%が最終良品となります。同社は少量のサンプルをアリババの平頭哥や寒武紀などの中国企業に供給し、良品率の改善を続けています。G4（17ナノメートル級）プロセスの一般的なDRAMには大きな問題はありませんが、HBM用のDRAMチップは面積が大きく、電気仕様がより厳格です。業界はその原因をシリコン貫通孔TSV技術の成熟度不足に指摘しています。Nomad Semiの分析によると、サムスンのHBM2は1チップあたり5000個以上のTSVを持ち、SKハイニックスのHBM3は8000個以上、長鑫存儲は約3000個です。サムスンやSKハイニックスとの間には4年から5年の差があります。

三星電子のウェハ受託製造部門は、4ナノプロセスにおいて、第6世代高帯域幅メモリHBM4用の基板チップの量産比率が最近50%を突破したと発表しました。業界では、この部門が今年下半期に4ナノウェハの半分以上をHBM4基板チップの製造に投入する見込みで、NVIDIA、Broadcom、AMDなどへの供給を拡大する計画です。三星は今年2月にHBM4の量産出荷を開始し、第三四半期から供給量を拡大する予定で、年の中頃から関連ウェハの投入を大幅に増加させる計画です。このチップは三星のウェハ受託製造4ナノ（SF4）プロセスに基づいています。先月までに、全ての4ナノ生産能力の50%以上がHBM4基板チップに割り当てられました。関係者によると、三星の4ナノは現在フル稼働しており、その中でHBM4基板チップの割合は約50%から60%であり、下半期も高い割合を維持する見込みです。三星は平沢の2工場と3工場で4ナノから7ナノ級のプロセスを量産しており、4ナノの生産能力は月に約3万枚です。これに基づくと、HBM4基板チップ関連のウェハ投入は月に約1.5万枚と推定されます。三星は第二四半期の業績電話会議で、第三四半期のHBM4収益が前四半期比で3倍以上に拡大する見込みであり、下半期のHBM4収益は会社全体のHBM収益の60%を超えると予想しています。

未来資産証券アナリストのKim Young-gunは、Samsung ElectronicsがAIアプリケーション向けにHBMの出荷量を拡大することで、来年の汎用メモリチップの成長鈍化の影響を相殺すると予測しています。Samsung Electronicsの2027年のHBM出荷容量と平均販売価格は、それぞれ57%と49%急増する見込みで、汎用メモリチップの予想16%と20%の成長率を上回ると期待されています。未来資産は、Samsungの利益がウォンのドルに対する強さに影響されると予想していますが、全体としては依然として堅調を維持するとしています。同機関は、Samsungの2026年の営業利益予測を5.7%引き下げて370.057兆ウォン、2027年は4.2%引き下げて535.682兆ウォンとしました。

イーサリアム財庫会社 Bitmine の会長 Tom Lee は X プラットフォームで発表し、第三四半期以来、ラッセル 1000 指数の上昇率が高い株式の約 20% が暗号通貨関連株であると述べました。その中で、BMNR は第三四半期以来 99% 上昇し、4 位にランクイン；MSTR は 67% 上昇し、12 位；CRCL は 65% 上昇し、14 位；BLSH は 55% 上昇し、21 位です。Tom Lee はさらに、第三四半期の終了まで残り1ヶ月しかなく、これらの好調な暗号株は投資家が次に追い求める対象になる可能性があると補足しました。

電子ニュースによると、9月3日、美光は高帯域幅メモリ（HBM）の生産能力を昨年の2倍に拡大する計画であり、今年の年末までに最大で月産6万枚のウェハを追加する予定です。関係者によると、昨年の美光のHBM生産量は月産約4万から5万枚で、年末には約月産10万枚に達する見込みで、サムスン電子やSKハイニックスとのギャップを縮小することを目指しています。美光は複数のHBM機器メーカーへの発注を増やしており、生産拠点は主に台湾とシンガポールのウェハ工場で、設備の導入を継続しています。現在の生産量はHBM3E 12層が中心で、今年初めにはHBM4 12層の割合が約20%から30%で、年末には最大50%に上昇する可能性があります。HBM4 12層はNVIDIAの最新AIアクセラレーターVera Rubinに使用され、美光は今年の第2四半期からこの製品の量産を開始しました。美光のCEO、メヘロトラは今年6月に2026会計年度第3四半期の業績発表会で、HBM4 12層の量産の立ち上がり速度はHBM3E 12層の約2倍であり、HBM4の累積出荷収益は10億ドルを超えたと述べました。業界では、サムスンとSKハイニックスのそれぞれのHBM生産能力は月産約15万から20万枚と見られています。Counterpointのデータによると、今年第2四半期の世界のHBM市場シェアはSKハイニックスが50%、サムスンが32%、美光が18%です。美光は日本の広島で関連投資を準備しています。

材料業界の情報筋によると、9月2日、台積電は短期的に従来の微凸ブロック技術を使用し続ける見込みであり、混合接合ではなく、高帯域幅メモリ（HBM）とAIアクセラレーターの先進パッケージングに使用されるとされています。関連材料の開発サイクルを考慮すると、より細かい間隔の微凸ブロックはHBM4の後期およびHBM5の初期まで使用される見込みです。台積電は材料および設備のパートナーに対し、約5ミクロン級のブロックの接合および底部充填ソリューションの開発を要求しており、韓国と日本のサプライヤーは開発を開始しており、5μm級ブロックの量産は2028年下半期に始まると予想されています。現在、第三世代拡張HBM、すなわちHBM3Eのブロックの高さは約15～25μmで、HBM4は約10μmに近づいています。日本の材料サプライヤーは、15μm以下の品質を保証するのが難しいと以前に述べています。ブロックを短縮し、細化する理由は、HBMキューブの高さ制限およびより高い相互接続密度の要求によるものです。JEDECはHBMスタッキングの最大高さを775μmと規定しています。台積電の先進CoWoSパッケージングでは、GPUとメモリサプライヤーが組み立てたHBMスタッキングが微凸ブロックを介してシリコン中間層に取り付けられ、16層のDRAMチップスタッキングはSK hynixや三星電子などによってHBMパッケージ内で完成されています。第一世代および第二世代のHBMは、より大きなはんだ凸ブロックを使用しており、微凸ブロックはHBM3世代頃から主流となりました。SK hynixはMR-MUFプロセスを使用し、三星電子はTC-NCFを使用しています。混合接合は、直接接合された銅パッドを介してより薄く、より密な相互接続を実現できます。台積電はSoICプラットフォームでロジックチップのスタッキングに使用していますが、HBMは依然として微凸ブロックで中間層に接続されています。

韓国メディアの報道によると、サムスン電子はエヌビディア (NVDA.O) の要求に応じて、8層の第7世代高帯域幅メモリ（HBM4E）の開発を進めており、当初の計画である12層、16層の案に比べてスタッキングの高さを大幅に低下させています。エヌビディアが提案した速度仕様は17-18Gbpsで、サムスンの初期HBM4Eの14.4Gbpsのサンプル速度より約20%高いとされています。この製品はNVHBMに使用されると報じられています。

Citrini のアナリスト Jukan の情報によると、SK ハイニックスは多様な高帯域幅メモリ（HBM）用の基板チップのファウンドリ供給業者を多様化する作業を進めているとのことです。これらの HBM は、複数のメモリチップを垂直に積み重ねて構築されています。報道によれば、同社は第7世代 HBM すなわち HBM4E の一部基板チップの生産をインテルのファウンドリに外注することを検討しているとのことです。これまで、SK ハイニックスは完全に TSMC に依存して基板チップの生産を外注してきました。この動きは、サプライチェーンの TSMC への集中度を減少させるための多供給業者ファウンドリ戦略の構築努力と見なされています。また、SK ハイニックスの価格交渉力を強化することにもつながります。業界の情報筋によれば、8月31日、SK ハイニックスは HBM4E の基板チップを TSMC とインテルが共同で製造する計画を進めており、最も早く HBM4E 世代から始まる可能性があるとのことです。市場は HBM4E の基板チップのコスト負担がさらに増加することを予想しています。HBM 製品は主に長期供給契約（LTA）でカバーされているため、SK ハイニックスはすぐに製品価格を引き上げてより高いファウンドリコストを顧客に転嫁することが難しい状況です。したがって、業界の観察者は、インテルが最終的に SK ハイニックスの基板チップ供給チェーンに加わる場合、同社はコスト競争力と供給の安定性においてより多くの選択肢を得ることになると考えています。

SemiAnalysisは最新のポッドキャストを公開し、SKハイニックスとマイクロンが最高のHBM4速度を実現する上で常に課題に直面していることを指摘しました。特に、SKハイニックスは基盤チップを再設計しなければならず、その結果、HBM4のNVIDIA Rubinプラットフォームへの供給が遅れています。サムスンは現在、最も優れたHBM4技術を持っています。ブロードコムは伝統的にサムスンにHBM供給を大きく依存しています。サムスンはHBM3E世代でのパフォーマンスが不十分であり、これがブロードコムのASICにとって不利となりました。しかし、現在サムスンはHBM4で競合他社に対して優位に立っており、この同じサプライチェーン関係がハラペーニョにとっての利点となっています。

ソウル経済の報道によると、サムスン電子は、NVIDIAの要求に応じたHBM4E（第7世代）8層製品を開発しており、カスタム高帯域幅メモリNVHBMの供給の核心パートナーとしての地位を確保しようとしています。この製品は、当初計画されていた12層、16層よりもスタッキングの高さを低くし、NVIDIAが提案した速度仕様は17-18Gbpsで、サムスンの初期HBM4Eサンプルの速度（14.4Gbps）より約20%高く、NVIDIAが公開したNVLink最適化仕様のNVHBMに使用されます。8層を採用することで、従来のスタッキング層数を増やして容量を向上させるHBMとの競争ロジックとは逆に、後工程の難易度と歩留まりの圧力を低下させ、供給の拡大に寄与し、NVIDIAがメモリ不足を緩和する戦略と見なされています。NVHBMは、来年発売予定の次世代AI GPU「Rubin Ultra」からの適用が期待されており、このGPUはGPU間の接続規模を72から576に拡大し、より高速なHBMを搭載した数百のGPUが協調して全体の計算能力を向上させます。カスタムHBM市場において、サムスンはSKハイニックスやマイクロンに比べて競争力があり、NVHBMにはDRAMとロジックチップベースの基裸片設計生産能力が必要であり、サムスンは一体的に対応できます。業界関係者によると、サムスンはHBM4で業界最高水準の速度を検証しており、速度競争において優位性を発揮できるとされています。