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ChainCatcher 消息，据財聯社援引媒體當地時間 9 月 29 日報導，三星電子執行副總裁 Kim Taewoo：預計明年 HBM 將占 DRAM 廠商晶圓總產能的近 30%，目前該比例約為 20%。他稱，HBM 與傳統 DRAM 競爭同一批晶圓產能，擴大 HBM 產出可能擠壓傳統 DRAM 供應。TrendForce 此前預測，2027 年底全球三大 HBM 供應商的 HBM 晶圓投入約占 DRAM 晶圓總投入的 30%，但按存儲容量計僅能貢獻約 13% 的 DRAM 總供應量。另據媒體 9 月 20 日報導，三星已於今年 2 月開始量產出貨 HBM4，5 月向包括英偉達在內的客戶提供 12 層 HBM4E 樣品；業內預計三星 HBM 月均晶圓投入量將由今年約 18 萬片增至明年約 25 萬片。TrendForce 同日表示，AI 伺服器需求持續，HBM 與通用 DRAM 仍將分享有限的先進製程產能，2027 年存儲供應將維持偏緊，並上調 2027 年 HBM 價格預期，預計混合平均售價同比上漲 121%。受供應有限和系統成本上升影響，8 層 HBM 預計將成為 2027 年多家廠商優先評估的方案，其每 Gb 售價將比 12 層產品高約 10% 至 20%。

ChainCatcher 消息，韓國《中央日報》報導，其取得的三星電子部長出身、前長鑫存儲（CXMT）設備投資負責人全某的陳述書顯示，CXMT 前 CEO 王寧國曾於 2016 年 10 月至 12 月召集全某等韓國團隊，要求帶回三星電子工藝配方計畫（PRP）及設備資訊，並稱若不帶回將向韓國政府舉報，還警告對方有核實人脈、不要說謊。全某稱當時感到害怕。報導稱，CXMT 管理層當時以"黃山"作為三星電子的代號。全某在三星電子工作 28 年後加入 CXMT，因涉嫌未經授權洩露並使用三星投入 1.6 萬億韓元、當時全球率先開發的 18 奈米 DRAM 工藝被起訴，今年 4 月一審被判 7 年有期徒刑，目前處於二審。PRP 包含 DRAM 製造約 600 個步驟的順序、設備、條件值及設備公司與型號。三星工藝設計工程師出身的朴某於 2016 年 9 月將相關內容手抄在 12 頁筆記中帶出，目前處於國際刑警組織紅色通報狀態。全某在庭審中陳述，與中國方面溝通時出現過做不出 18 奈米就不向 CXMT 提供投資的說法，並稱後來得知對方從一開始就想要該技術，CXMT 起初並無自行開發打算。上述施壓發生在為申請投資準備會議之前。CXMT 於 2016 年由合肥市政府下屬合肥產業投資出資 144 億人民幣設立，約 10 年未盈利，去年首次年度盈利，淨利潤 71 億人民幣。

ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 9 月 28 日報導，三星電子正加快平澤第五園區（P5）首條量產線（Ph1）建設，並與主要設備廠商討論將 Ph1 設備搬入目標從原定明年三季度提前至明年二季度。P5 是以 2028 年投產為目標的下一代半導體生產基地，今年三季度已開始建設 Ph1 潔淨室。三星電子此前已將原定明年初完成的 P5 Ph1 潔淨室建設提前約 6 個月，設備導入因此預計在明年三季度左右。業內人士稱，設備搬入開始時間擬從明年 7 月至 8 月提前至明年 5 月至 6 月前後；另有人士表示，三星甚至提出明年一季度先交付設備、由其他地點暫存，顯示其提前投資意願較強。P5 第二階段（Ph2）投資討論也在推進。目前 Ph1 更可能建設為 DRAM 與 HBM 產線，Ph2 則更可能建設為包括第十代（V10）在內的先進 NAND 產線。設備業人士稱，正式採購訂單尚未下達，但三星已與合作方討論將 Ph2 建成 NAND 產線，並因設備交付周期較長，要求提前備妥相關零部件。報導稱，全球大型科技公司增加 AI 基礎設施用高性能 DRAM 與 NAND 訂單，而三星等儲存企業產能有限。三星在 7 月二季度業績電話會上曾表示，今年未能滿足的需求將延至明年，明年供應短缺將比今年更嚴重，並預計短缺將持續至 2028 年。

ChainCatcher 消息，半導體分析機構 Kernel Insight：人工智慧需求推動 DRAM 價格維持歷史高位，最新工藝 DRAM 的單位面積銷售價值已高於台積電 N2、N3 晶圓價格。該機構將台積電 300 毫米 N3 晶圓價格估為 2 萬美元、N2 為 3 萬美元，折合名義價格分別約為每平方毫米 0.283 美元和 0.424 美元，未計入邊際損耗、切割損耗及良率與缺陷。按每 Gb 1.50 美元及世代比特密度計算，1y DRAM 為每平方毫米 0.329 美元，1z 為 0.410 美元，1b 為 0.654 美元，較 N2 高出 50% 以上。10 奈米級工藝按 1y、1z、1a、1b 的順序逐步微縮。上述每 Gb 價格假設接近現貨，DRAMeXchange 數據顯示，9 月 21 日 16Gb DDR5 eTT 晶片平均成交價為 24.80 美元，約合每 Gb 1.55 美元。比較口徑存在差異。台積電數字是客戶支付的晶圓代工價格，DRAM 數字是成品銷售的總銷售潛力，且未計入先進封裝成本；台積電實際供貨價會隨訂單量與合約變化。DRAM 指標基於小額現貨價格，不同於三星電子、SK 海力士、美光營收主體的長期合約價格。非公開固定交易價格近期走強，若尚未完全反映到現貨價格，儲存廠商晶圓單位價格的領先幅度可能更大。

ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 報導，三星電子調整下一代 DRAM 策略，將此前以項目形式開發的 B1b 納入正式路線圖，並命名為首款 10 奈米以下 DRAM D0a。此前 D0a 指垂直晶體管 DRAM，現該產品被單獨歸類為 D0a-V。此次更名是為加快在通用 DRAM 中導入先進封裝。B1b 將儲存單元與周邊驅動電路分別在不同晶圓上製造後再鍵合，採用晶圓對晶圓混合鍵合，通過銅互連直接連接。目前已商用 DRAM 為 1c，即第 6 代 10 奈米級、線寬約 11 至 12 奈米；下一代 1d 為第 7 代 10 奈米級、線寬約 10 至 11 奈米，被視為事實上最後的 10 奈米級產品，相關線寬屬於行銷用語而非實際物理尺寸。垂直晶體管可將單元內晶體管垂直佈置，把單元面積從 6F² 縮至 4F²，但需應對高深寬比刻蝕和漏電流，開發難度較高。晶圓對晶圓混合鍵合已在 CMOS 圖像感測器和高堆疊 NAND 中量產應用。三星電子正評估將 B1b 用於第 8 代高帶寬記憶體 HBM5。HBM5 預計約 2029 年量產，目標是較 HBM4E 將運行速度提高 50% 以上。業界估計，基於 B1b 的 D0a DRAM 最快約兩年後商用，具體量產投資日程或於明年年中確定。

ChainCatcher 消息，富達投資全球宏觀總監 Jurrien Timmer 在 X 平台表示，AI 領域交易已超過三個月處於"死錢"狀態，其跟蹤的 token 支出和 GPU 租賃費率均持平或下降，僅內存（DRAM）價格持續上漲。Timmer 認為，AI 長期將改變生活，並可能釋放生產率奇蹟，使經濟非通脹速度上限提高到足以維持全球債務可持續的水平。但在此之前，當前的建設是通脹性的，對數萬億美元算力投資的回報尚不確定，企業股權和債務資本需求正以 3.3 萬億美元的速度增長。

ChainCatcher 消息，全球儲存器持續嚴重缺貨，AI 及雲端應用推升 DRAM 與 NAND Flash 需求與價格。中國兩大儲存器廠長江儲存與長鑫儲存將打破各占半壁江山的格局。長江儲存跨入 LPDDR5 DRAM 將於 2026 年底試產，長鑫儲存要從 DRAM 搶進 NAND Flash。業界推測兩家最快 2028 年正面交鋒。長江儲存以 Xtacking 技術完成 294 層 3D NAND 開發，三星 2025 年與其達成專利許可協議，從第 10 代 V-NAND 起採用相關專利。長江儲存三期計畫 2026 年底投產，初期約 2.5 萬片 DRAM 產能，2027 年完成爬坡，瞄準 LPDDR5，並規劃後續擴產及 HBM、3D DRAM。長鑫傳出將在北京設置 NAND 研發生產線，估計最快 2028 至 2029 年量產。

ChainCatcher 消息，据 TechPowerUp 报道，中國 DRAM 廠商長鑫存儲（CXMT）預計到 2026 年底 DRAM 晶圓月產能約達 35 萬片，美光同期預估約 37.5 萬片。長鑫存儲潔淨室建設週期約 12 個月，短於行業通常的 21 至 24 個月。受美國制裁無法獲得 EUV，長鑫存儲使用較舊的 DUV 光刻及多重圖案化技術。該公司已開始出貨 16 Gb DDR5 晶片，速度 8000 MT/s，晶片面積 67 mm²、密度 0.239 Gb/mm²，G4 單元較 G3 小 20%。24 Gb 模組以約 6000 MT/s 量產，LPDDR5X-10667 模組（12 Gb 和 16 Gb）亦已量產。中國政府正鼓勵長鑫存儲向 JHICC、Swaysure 及長江存儲子公司 XMC 等國內廠商轉移 DRAM IP。

ChainCatcher 消息，界面新聞從產業鏈獨家獲悉，蘋果已接受三星電子 2027 年一季度存儲芯片報價：DRAM 接近 2.0 美元 /Gb，NAND 閃存接近 0.33 美元 /Gb，較今年三季度報價上漲 30%-40%。界面新聞就此消息向蘋果求證，截至發稿暫無回應。

ChainCatcher 消息，据朝鮮日報 9 月 15 日報導，三星電子與 SK 海力士三季度營業利潤共識在三個月內再次上調。綜合主要券商與海外投行報告，三星電子三季度營業利潤預估約 114 萬兆韓元，較三個月前的 101.9052 萬兆韓元上調 12.2836 萬兆韓元（12%），較二季度 89.4 萬兆韓元增長 28%。SK 海力士三季度預估為 78.8035 萬兆韓元，較三個月前的 75.7249 萬兆韓元上調 4%，較二季度 60.5426 萬兆韓元增長 30%。TrendForce 預計三季度通用 DRAM 固定交易價格環比上漲 13% 至 18%，NAND 閃存上漲 10% 至 15%。證券界關注三星電子 HBM4 營收占比由一季度 5% 擴大至二季度約 35%，且良率改善。SK 海力士維持 HBM 市場份額第一，但三星 HBM4 量產改善或稀釋其供應溢價。花旗證券因韓元走強將 SK 海力士三季度營業利潤預估由 76.7 萬兆韓元下調至 74 萬兆韓元。美光將於 30 日公布 2026 財年第四季度（6 月至 8 月）業績，營收指引為 490 億至 510 億美元。

ChainCatcher 消息，HIP-3 市場部署者 Entropy 花費 500 枚 HYPE（約合 38,950 美元）拍下代碼 DRAM，預計將上線 io:DRAM 永續合約交易。此前 Trade.xyz 已部署 xyz:DRAM 永續合約交易。DRAM 為 Roundhill Memory ETF（DRAM），是全球首只純內存主題 ETF。

ChainCatcher 消息，中國最大 DRAM 廠商長鑫存儲 CXMT 近日啟動上海新廠合作商設備招標，並推進多地產能擴張。CXMT 目前在合肥二期、北京一期量產 DRAM，產能估約每月 20 萬片中段，年底或超過每月 30 萬片。CXMT 計劃今年四季度開上海新廠，相關設備招標已啟動。半導體設備業人士稱，該廠擬分兩階段擴建，產能將顯著超過每月 10 萬片。隨後計劃明年上半年開合肥新廠、最早明年下半年開北京新廠，後年上半年再開合肥新廠。設備業人士稱，CXMT 已與多方溝通多地建廠時點。若計劃全部落地，CXMT 今年至 2028 年每年可新增至少每月 7 萬至 8 萬片產能，長期或超每月 60 萬片。三星電子與 SK 海力士 DRAM 產能分別估約每月 70 萬片、60 萬片。

ChainCatcher 消息，据日經亞洲報導，中國芯片製造商長鑫存儲（CXMT）在利潤率方面已領先全球競爭對手，超越 SK 海力士和美光。該公司利用商品級 DRAM 供應緊張的局面，在第二季度佔據優勢。長鑫存儲的主要產品包括 DDR5 記憶體，近幾個月價格出現上漲。報導稱，這一情況出現在由韓國、美國和日本供應商主導的存儲芯片行業。

ChainCatcher 消息，SK 海力士 9 日表示，下一代儲存器 3D DRAM 半導體開發可利用代工工藝。此前一日，該公司在利川園區 Supex 中心舉行的 2026 SK 海力士未來論壇上，副社長金慶勳、孫浩英提出 3D DRAM 主要技術方向，包括 DRAM 外圍電路採用邏輯代工工藝、最大化數據總線帶寬、超短距離傳輸等。3D DRAM 是將原先平面鋪設的儲存單元垂直堆疊以提高集成度的下一代 DRAM。兩人表示，實現該技術除設計與發熱問題外，還需一並解決微細互連、鍵合、工藝整合等封裝領域難題。隨著前道與後道封裝、代工與儲存器技術邊界趨近，超越既有領域的共同優化將更重要。孫浩英稱，3D 技術正在改變晶圓廠與封裝的技術邊界，需與先進封裝技術創新一起，建立超越既有領域的優化與新協作體系。同主題發表的高麗大學教授申昌煥表示，3D DRAM 不僅是晶片垂直堆疊，更是打破儲存器與邏輯邊界的技術；隨著器件微細化接近極限、系統與儲存器間數據移動帶來的時間與功耗增加，轉向 3D 技術不可避免，並提議以人工智慧聯動材料、器件、封裝、架構四領域的 3D 集成設計框架。SK 海力士社長郭魯正在致辭中稱，過去儲存器市場像比誰跑得更快的直線道路，現在則像時刻變化的彎道，除內部能力外，把握外部環境變化速度與方向並靈活適應也很重要。

ChainCatcher 消息，長鑫科技召開 2026 年半年度業績說明會。有投資者詢問長鑫科技第三季度 DRAM 價格情況，公司高級副總裁、財務負責人黃丹陽認為，展望 2026 年下半年，全球 DRAM 產品供給緊缺格局將延續。

ChainCatcher 消息，韓國券商 KB Securities 警告，三星電子和 SK 海力士的儲存半導體庫存已降至不足 10 天供應量，明年可用供應將明顯不足。該機構週一報告指出，人工智慧基礎設施投資以前所未有的速度擴張，儲存晶片市場面臨嚴重供應短缺。關鍵因素是向 HBM4 過渡，HBM4 所需晶圓約為傳統 DRAM 的三倍，晶圓產能有限將減少傳統 DRAM 可用產能。KB Securities 預計明年 DRAM 和 NAND 需求將超過供應 10 個百分點以上。研究主管 Kim Dong-won 表示，人工智慧伺服器將消耗 HBM、伺服器 DDR5 和企業級固態硬碟，可能導致歷史性短缺。全球超大規模數據中心運營商將明年人工智慧基礎設施投資預期上調至 1.3 萬億美元，較上年增長 60%。該機構預計明年儲存半導體將占人工智慧基礎設施總投資的 57%，高於去年的 14%，TrendForce 預計這一比例可能高達 68%。三星電子股價較高點跌去近 28%，SK 海力士跌去近 40%。

ChainCatcher 消息，長鑫科技召開 2026 年半年度業績說明會。公司獨立董事陳武朝在回覆投資者提問時表示，2026 年上半年，全球 DRAM 產品景氣度提升，價格上漲。目前，公司仍處於產能擴張和技術升級的關鍵投入期，需要在保障必要資本開支的前提下逐步為股東創造回報。隨著盈利能力持續增強，公司將依法依規適時啟動分紅方案的論證。

ChainCatcher 消息，据 TrendForce 集邦諮詢最新儲存器產業研究，2026 年第二季由於 Conventional DRAM（一般型 DRAM）合約價顯著上漲，推升整體 DRAM 產業營收季增 59.5%，近 1,547.3 億美元。隨著 LLM 模型訓練、AI 推理刺激 AI Server 需求，HBM3e、LPDDR5X 和高容量 RDIMM 出貨同步成長，Agentic AI 應用則帶動各容量規格的 RDIMM 拉貨。供給方面，原廠庫存處於谷底、且新增供給優先滿足 Server 應用，第二季整體 DRAM 位元出貨量小幅成長。

ChainCatcher 消息，据朝鮮日報 9 月 7 日報導，SK 海力士正在加快提高 10 奈米級第六代（1c）DRAM 生產占比。業內數據顯示，其 1c DRAM 占比由今年一季度約 10%升至二季度約 13%，三季度有望達約 24%，四季度約 34%；明年一季度或升至約 35%，首次超過 1b（約 33%）並成為主力工藝。1b（10 奈米級第五代）DRAM 占比在今年二季度約 43%見頂後轉為下降。二季度末，三星電子 1c 占比約 16%、美光約 19%，均高於 SK 海力士的約 13%。報導稱，SK 海力士下半年加快轉換，四季度或按約 34%超過三星電子約 31%。SK 海力士在二季度業績電話會上表示，採用 1c 工藝的 DRAM 供應自二季度起實質性展開，下半年將隨 HBM4 放量及 1c 通用 DRAM 出貨增加，比特增長率高於上半年。三星電子自 HBM4 起採用 1c DRAM，運行速度約 11.7Gbps；SK 海力士此前以已驗證的 1b DRAM 與先進 MR-MUF 封裝優先保障量產穩定性，自下一代 HBM4E 起首次將 1c DRAM 用作 HBM 核心芯片。Counterpoint Research 等預計，今年英偉達、谷歌、AMD 合計口徑下 HBM4 市場份額約為 SK 海力士 50% 中段、三星電子 20% 後段、美光 10% 後段。